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公开(公告)号：KR100137573B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940033882
申请日：1994-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 미세 게이트를 갖는 전계효과 트랜지스터에서, 게이트의 저항과 기생 커패시턴스를 대폭 줄여서 소자의 전기적인 성능을 개선하는 방법이 개시된다.
본 발명에서는, 기판 위에, 전자빔 노광용 제1레지스트 및 제2레지스트를 차례로 도포하고, 게이트 형상에 따라서 전자빔들로 게이트 영역의 상기 제1 및 제2레지스트를 노광시키되, 게이트 상부의 형성을 위해 조사되는 전자빔들의 에너지 크기와 게이트 하부의 형성을 위해 조사되는 전자빔의 에너지 크기를 다르게 한다.-
公开(公告)号：KR100129841B1
公开(公告)日：1998-04-03
申请号：KR1019940034388
申请日：1994-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: An optical system of an exposure unit which is used at a line width control process of a semiconductor element manufacturing is disclosed. The optical system comprises a first lens group(30) arranged around a beam axis; a reflection mirror(40) for reflecting the beam passed from the first lens group(30); a total reflection mirror(50) for reflecting the beam from the mirror(40) so as to enable the reflected beam to proceed the outer line of the mirror(40); and a second lens group(60) enabling the beam passed from the total reflection mirror(50) to proceed a recording medium.
Abstract translation: 公开了一种在半导体元件制造的线宽控制处理中使用的曝光单元的光学系统。 光学系统包括围绕光束轴布置的第一透镜组（30）; 用于反射从第一透镜组（30）通过的光束的反射镜（40）; 用于反射来自反射镜（40）的光束以使反射光束能够进入反射镜（40）的外线的全反射镜（50）; 以及第二透镜组（60），其使得能够从全反射镜（50）通过的光束进行记录介质。
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公开(公告)号：KR1019970076070A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960017848
申请日：1996-05-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 마스크용 글래스 링 구조에 관한 것으로서, 종래 글래스 링 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 종래의 글래스 링의 기능 및 역할을 크게 저하시키지 않으면서도 글래스 링과 실리콘 웨이퍼 뒷면과의 접착면적을 적절히 축소 조절하여, 멤브레인의 편평도 및 OPD(Out-of-Plane Distortion)/IPD(In-Plane Distortion)특성을 크게 개선시킬 수 있도록 한 것이다.
그 글래스 링의 구조는 실리콘 웨이퍼 뒷면과 접착부위 면적을 달리하기 위하여 실리콘 웨이퍼 외경 보다 작은 임의의 크기의 외경 및 이에 상응하는 임의의 내경 크기를 갖고서 마스크를 지지하도록 구성된 것이다.
또 다른 글래스 링의 구조는 여러 구조물 또는 여러 조각으로 구성할 수가 있고, 또한 글래스 링 표면에 글래스 링과 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 고의로 축소하기 위해 소정 형태의 돌기들을 형성할 수 있는 구조로 된 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970051605A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053673
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970030324A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042065
申请日：1995-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 프로브 빔 주사방식에 의한 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 프로브 빔 주사방식을 사용하여 촛점신호의 측정오차를 최소화함으로써 자동촛점장치의 정밀도와 분해능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는 반도체 노광장치의 웨이퍼 자동촛점장치에 있어서, 반도체 레이저(101); 전기한 반도체 레이저(101)로 부터 발생된 빛의 편광방향을 TE 편광으로 바꾸기 위한 선 편광자(103) 및 슬릿(104)의 광학계; 전기한 슬릿(104)으로 부터 투사된 빛을 사용하여 웨이퍼 스테이지(90)상의 웨이퍼(80)에 프로브 빔을 주사하기 위한 갈바노미터(106)로 이루어진 주사거울(106); 웨이퍼(80)상에서 반사된 반사광을 실린더상 렌즈(111)에 집속하기 위한 광학계 및 포로브 빔의 길이 방향을 압축하여 PSD(112)상에 전달하기 위한 실린더상 렌즈(112); 및, 발광 및 수광회로부(140)와 신호처리 및 제어부(150)로 구성되어 전기한 광학계에 의한 광학신호를 전기신호로 변환하기 위한 자동촛점 신호처리계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking116.发明公开실리콘-온- 절연체 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법(Silicon-On-Insulator MOS transistor and fabricating method thereof) 无效绝缘体上硅MOS场效应晶体管和绝缘体上硅MOS晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970024287A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034136
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 실리콘-온-절연체 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 소오스 및 드레인영역 사이의 채널이 반전 상태를 이루도록 저농도로 도핑되어 게이트전극에 낮은 전압이 인가되어도 채널이 형성되는 저농도 채널영역과 고농도로 도핑되어 전위장벽이 높으며 게이트 길이와 무관하게 소정의 높은 게이트 전압이 인가되어야 채널이 형성되는 고농도 채널영역으로 구성되며 상기 고농도 채널영역은 저농도 채널영역과 소오스영역의 사이에 형성되도록 한다. 따라서, 문턱전압을 게이트의 길이와 무관하게 고농도 채널영역에 의해 조절하므로 항상 일정하고, 고농도 채널영역의 높은 전위 장벽에 의해 드레인영역 부근에서 형성되는 전계가 소오스영역으로 침투되는 것을 방지하여 누설전류의 증가를 방지할 수 있으며, 또한, 드레인 영역의 전계를 소오스영역으로 분산시키므로 드레인영역 부근의 전계를 저하시켜 전자 충돌에 의한 전자-정공의 발생을 억제하여 기생 바이폴라 동작에 의한 전류가 증가되는 것을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970024262A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950036680
申请日：1995-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1기둥의 상부에 베이스영역을 형성하고, 이 베이스영역에 에미터 전극으로 부터 불순물을 확산시켜 에미터영역을 형성하므로 베이스영역과 에미터영역의 접촉면이 넓으므로 전류 구동 능력이 크고, 또한, 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작다.
또한, 상기 바이폴라 트랜지스터는 저농도 콜렉터영역으로 이용되는 제1기둥 하부의 불순물 농도가 낮고 콜렉터영역의 길이가 길므로 항목 전압 및 어얼리 전압이 높게 된다.
따라서, 전류 구동능력이 크고 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작으며, 또한, 항복 전압 및 어얼리 전압이 높으므로 고속 디지탈 집적회로 및 아날로그 집적회로에 사용할 수 있어 디지탈 집적회로와 아날로그 집적회로가 혼재된 디지탈 집적회로/아날로그 집적회로를 설계 및 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960026526A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032936
申请日：1994-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼 운송장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 연직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019960009236A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019950024503
申请日：1995-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는 데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe
2 O
3 ) 등과 같은 마스크 패턴재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되지 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변환시키는 반전부와 조사되는 광의 위상을 변 시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다. 따라서 단일의 포토레지스트층에 1번 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광이 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다. -
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