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公开(公告)号：KR1020150043039A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130121986
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的钌化合物及其制造方法和薄膜的制造方法，其中化学式1的钌化合物具有优异的热稳定性，从而生产出优质的钌薄膜 。 [化学式1]
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公开(公告)号：KR101505125B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121985
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和高挥发性的钼化合物，由此用于制造包括硫属钼元素的优质薄膜。 在本发明中，提供了一种钼化合物，其用于在制造薄膜时不添加硫属元素的钼硫属化物制造薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钼化合物。
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公开(公告)号：KR101503031B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR101472472B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136560
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는게르마늄전구체에관한것으로, 상기게르마늄전구체는열적안정성이향상되고, 칼코겐을포함하고있는전구체인경우에는박막제조중에별도의칼코겐을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의칼코겐이포함된게르마늄박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R3, R4는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬또는플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의숫자에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020140127687A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钼前体。钼前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钼薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140127685A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046350
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并具有增强的热稳定性和 挥发性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，n为 1〜3的整数。
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公开(公告)号：KR1020140127684A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钨前体。钨前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钨薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127683A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及以下式1表示的锡前体。作为包含硫的前体的锡前体在制造薄膜时不需要加入单独的硫。 锡前体具有改善的热稳定性，由此形成包含优质硫的锡薄膜。 [式1]（式中，R 1和R 2各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基或C 1 -C 10的直链或支链氟代烷基， C10，E为S，Se或Te，n为选自1〜3的整数。）。
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公开(公告)号：KR1020140127682A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1或化学式4表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并且具有 增强的热稳定性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，X为Cl ，Br或I，n为选自1至3的整数。在化学式4中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10 烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，Y为SeCN或SCN，n为选自1至3的整数。
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公开(公告)号：KR1020140127679A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的铅前体。所述前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，在制备薄膜期间不需要加入单独的硫，从而容易地制造高质量的铅 硫化物薄膜。 [式1]（式1中，R 1和R 2各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基或C1的直链或支链的三氟烷基 -C10，N选自1〜3的整数。）。
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