태양전지 광활성층의 제조방법

    公开(公告)号:KR101395779B1

    公开(公告)日:2014-05-19

    申请号:KR1020130040135

    申请日:2013-04-11

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 a) 11족 금속의 제1칼코젠화합물 및 상기 제1칼코젠화합물보다 낮은 융점을 갖는 11족 금속의 제2칼코젠화합물이 단일한 입자 내에 혼재된 복합 입자 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 제3칼코젠화합물을 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 도포막을 열처리하여 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 다원 칼코젠화합물 막을 제조하는 단계를 포함한다.

    태양전지 광활성층의 제조방법
    112.
    发明公开
    태양전지 광활성층의 제조방법 有权
    用于太阳能电池的照相活性层的制造方法

    公开(公告)号:KR1020130116197A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:KR1020130040111

    申请日:2013-04-11

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/042 C09D11/00

    Abstract: PURPOSE: Ink is provided to produce a semiconductor compound based photoactive layer in a single phase by a low temperature heat-processing at a temperature lower than 550°C, which is a process allowable temperature. CONSTITUTION: Ink contains the following: a composite particle which contains a first chalcogen compound of 11th group, and a second chalcogen compound of the 11th group with the lower melting point than the first chalcogen compound; and a precursor of more than one element selected from 12-14th group. The melting point of the second chalcogen compound is 220-550°C. A production method of a solar cell photoactive layer comprises a step of forming a coating film by coating the ink on a substrate, and a step of heat-processing the coating film.

    Abstract translation: 目的:提供油墨以通过在低于550℃的温度下进行的低温热处理在单相中制造半导体化合物基光活性层,这是工艺允许温度。 构成:油墨含有如下:含有第11组第一硫属化合物的复合颗粒和第11组熔点比第一硫属化合物低的第二硫属化合物; 以及选自第12-14组的多于一种元素的前体。 第二硫属化合物的熔点为220-550℃。 太阳能电池光活性层的制造方法包括通过在基板上涂布油墨而形成涂膜的工序和对涂膜进行热处理的工序。

    태양전지 광활성층의 제조방법
    113.
    发明公开
    태양전지 광활성층의 제조방법 有权
    用于太阳能电池的照相活性层的制造方法

    公开(公告)号:KR1020130116031A

    公开(公告)日:2013-10-22

    申请号:KR1020130040135

    申请日:2013-04-11

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/042 C09D11/00

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a photoactive layer is comprises to be able to manufacture multi-source chalcogen compound (a photoactive layer) with high quality through simple, safe and convenient processes, or to be able to manufacture a photoactive layer made of coarse grains, having an excellent compositional stability and uniformity, and an elaborate fine structure. CONSTITUTION: Ink includes composite particles in which a first chalcogen compound of a metal of group 11, and a second chalcogen compound of a metal of group 11, which has a lower melting point than the first chalcogen compound, are mixed in a single particle; and a third chalcogen compound of one or more than two selected from group 12-14. A manufacturing method of a photoactive layer for a solar cell comprises (i) a step of forming a coated film by coating the ink on a substrate; and (ii) a step of manufacturing a multi-source chalcogen compound film of a metal of group 11, and one or more than two elements selected from group 12-14, by heat-treating the coated film.

    Abstract translation: 目的:光活性层的制造方法包括能够通过简单,安全和方便的工艺制造高品质的多源硫属化合物(光活性层),或者能够制造由粗颗粒制成的光活性层 具有良好的组成稳定性和均匀性,精细的结构。 构成:油墨包括复合颗粒,其中第一种硫族金属的第一种硫属化合物和第11族金属的第二种硫属化合物,其熔点低于第一种硫属化合物,在单一颗粒中混合; 和选自12-14族的一个或多于两个的第三种硫属化合物。 一种用于太阳能电池的光敏层的制造方法包括:(i)通过在基板上涂覆油墨来形成涂膜的步骤; 和(ii)通过热处理涂膜,制备11族金属的多源硫属化合物膜和选自12-14族中的一种或多种元素的步骤。

    Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막의 제조 방법
    114.
    发明公开
    Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막의 제조 방법 无效
    用于通过基于低温SE沉积的热处理来制造用于太阳能电池的CI(G)S薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020120117587A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:KR1020110035415

    申请日:2011-04-15

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a Cl(G)S thin film by a Se low temperature deposition heat treatment is provided to obtain a high electric property by densifying the Cl(G)S thin film. CONSTITUTION: Se is deposited on a thin film including Cl(G)S sample heated at 60 to 150 degrees centigrade. A thin film including the Cl(G)S sample with Se is thermally treated at 300 to 600 degrees centigrade. The Cl(G)S sample includes a precursor which is transformed into Cl(G)S materials or Cl(G)S. [Reference numerals] (AA) Depositing Se vapor on the surface and the inner side of Cl(G)S sample including a precursor which is transformed into Cl(G)S materials or Cl(G)S at 60°C~150°C; (BB) Additionally thermally processing Se deposited Cl(G)S sample at 300°C~600°C by controlling steam pressure; (CC) Cooling at room temperature

    Abstract translation: 目的:提供通过Se低温沉积热处理制造Cl(G)S薄膜的方法,以通过使Cl(G)S薄膜致密化来获得高电性能。 构成:Se沉积在包括在60至150摄氏度加热的Cl(G)S样品的薄膜上。 包括具有Se的Cl(G)S样品的薄膜在300至600摄氏度下进行热处理。 Cl(G)S样品包括转化为Cl(G)S材料或Cl(G)S的前体。 (AA)在包含前体的Cl(G)S样品的表面和内侧上沉积Se蒸气,其在60℃〜150℃下转化为Cl(G)S材料或Cl(G)S C; (BB)另外通过控制蒸汽压力在300℃〜600℃热处理Se沉积的Cl(G)S样品; (CC)在室温下冷却

    카르복시산 유도체를 이용한 저온 수계 CI(G)S(CuInxGa1?xSe2) 나노입자의 제조방법
    116.
    发明公开
    카르복시산 유도체를 이용한 저온 수계 CI(G)S(CuInxGa1?xSe2) 나노입자의 제조방법 有权
    使用羧基衍生物的CI(G)S(CUINXGA1-XSE2)纳米颗粒的水基制备方法

    公开(公告)号:KR1020110024157A

    公开(公告)日:2011-03-09

    申请号:KR1020090082043

    申请日:2009-09-01

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing low temperature water-based copper-indium-(gallium-)selenide(CuIn_xGa_1-xSe_2) nano particles is provided to use carboxylic acid derivative in order to be eco-friendly implemented. CONSTITUTION: A copper complex is prepared by reacting a copper compound and carboxylic acid derivative, represented by chemical formula 1, in an aqueous solvent. A selenium compound is introduced into the copper complex solution, and a copper-selenium complex is prepared. An indium compound is introduced into a copper-selenium complex solution. Copper-indium-(gallium-)selenium nano particles are prepared.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造低温水性铜铟 - ( - 硒化镓)(CuIn_xGa_1-xSe_2)纳米颗粒的方法,以使用羧酸衍生物进行环保实施。 构成:通过将化合物1表示的铜化合物和羧酸衍生物在水性溶剂中反应制备铜络合物。 将硒化合物引入铜络合物溶液中,并制备铜 - 硒络合物。 将铟化合物引入铜 - 硒络合物溶液中。 制备了铜 - 铟 - (镓)硒纳米颗粒。

    잉크젯프린터기에 있어서 잉크방울의 속도측정방법
    117.
    发明公开
    잉크젯프린터기에 있어서 잉크방울의 속도측정방법 有权
    用于确定印刷机墨水速度的方法

    公开(公告)号:KR1020090062994A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:KR1020070130498

    申请日:2007-12-13

    Abstract: A method for measuring speed of an ink drop in an ink jet printer is provided to maximize productivity by processing of a one-dimensional line which is different with a conventional method measuring the speed of the ink drop through a second-dimensional plane image processing. A method for measuring speed of an ink drop in an ink jet printer comprises the following steps of: taking a picture of the ink drop sprayed from a printer header; storing a photographed image in a computer; designating a desired part including the ink drop among the stored images to a line; detecting an edge of the ink drop; performing image processing on a selected ink drop; and measuring the speed of the ink drop after image processing.

    Abstract translation: 提供了一种用于测量喷墨打印机中的墨滴速度的方法,以通过处理与通过第二维平面图像处理测量墨滴速度的传统方法不同的一维线来最大化生产率。 一种用于测量喷墨打印机中的墨滴速度的方法,包括以下步骤:从打印机头部喷射的墨滴的图像; 将拍摄的图像存储在计算机中; 将包含存储的图像中的墨滴的期望部分指定到一行; 检测墨滴的边缘; 对所选择的墨滴执行图像处理; 并且在图像处理之后测量墨滴的速度。

    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법
    118.
    发明授权
    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법 有权
    具有适体的碳纳米管生物传感器作为分子识别元件以及使用其的感测目标材料的方法

    公开(公告)号:KR100748408B1

    公开(公告)日:2007-08-10

    申请号:KR1020050056195

    申请日:2005-06-28

    Abstract: 본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화

    반도체 나노소자
    119.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号:KR1020070002111A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度,并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极(12),从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒(16)涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

    마이크로 에멀젼과 채널 반응기를 이용한 금속 또는 반도체나노입자의 제조방법
    120.
    发明公开
    마이크로 에멀젼과 채널 반응기를 이용한 금속 또는 반도체나노입자의 제조방법 无效
    使用微乳液和通道反应器的金属或半导体纳米粒子的制备方法

    公开(公告)号:KR1020060107695A

    公开(公告)日:2006-10-16

    申请号:KR1020050030042

    申请日:2005-04-11

    Abstract: 본 발명은 마이크로 에멀젼과 채널 반응기를 이용한 금속 또는 반도체 나노입자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 채널의 직경을 1 ∼ 10 ㎜ 범위인 반응기를 사용하여 종래 채널 반응기의 좁은 직경으로 인한 유로의 막힘 현상을 해소하고, 또한 상기 큰 직경의 채널 반응기 사용으로 인한 나노입자 크기 및 입도 분포의 제어가 용이하지 못한 문제를 유입되는 금속 또는 반도체의 전구체의 액적 크기를 특정 범위로 제한한 마이크로 에멀젼 형태로 연속적으로 유입하는 일련의 연속공정으로, 입도 분포가 좁은 나노크기의 입자를 형성하면서 동시에 유로 공간의 확보되어 효율적으로 연속 대량 공정의 수행이 가능한 마이크로 에멀젼과 채널 반응기를 이용한 금속 또는 반도체 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
    마이크로 에멀젼, 채널 반응기, 연속 대량 공정, 금속 또는 반도체 나노입자

Patent Agency Ranking