公开(公告)号：DE102015106552A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102015106552

申请日：2015-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HABLE WOLFRAM ,  GRUBER MARTIN

IPC: H01L23/46 ,  H01L21/58 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen ein elektronisches Modul bereit, umfassend einen Interposer, umfassend einen Fluidkanal, ausgebildet in einem elektrisch isolierenden Material, und eine elektrisch leitfähige strukturierte Schicht; mindestens einen elektronischen Chip, der an der elektrisch leitfähigen strukturierten Schicht befestigt ist und in thermischem Kontakt mit dem Fluidkanal steht; und eine gemoldete Kapselung, die mindestens teilweise um den einen elektronischen Chip herum ausgebildet ist, wobei die elektrisch leitfähige strukturierte Schicht direkt auf dem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.

公开(公告)号：DE102014222189A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014222189

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  HOEGERL JÜRGEN ,  GRÖNINGER HORST ,  FUERGUT EDWARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/051 ,  H01L25/07

Abstract: Es wird eine Halbleiterbaugruppe beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfass die Halbleiterbaugruppe einen Halbleiterkörper, wobei der Halbleiterkörper eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite aufweist, eine auf der Oberseite angeordnete obere Hauptelektrode, eine auf der Unterseite angeordnete untere Hauptelektrode sowie eine an der Oberseite angeordnete Steuerelektrode, mittels der ein elektrischer Strom zwischen der oberen Hauptelektrode und der unteren Hauptelektrode gesteuert werden kann. Die Halbleiterbaugruppe umfasst weiter ein Federelement zur Druckkontaktierung der Steuerelektrode mit einer von dem Federelement erzeugten Druckkraft, wobei das Federelement elektrisch und mechanisch mit der Steuerelektrode verbunden ist, sodass die Druckkraft unter anderem auf die Halbleiterbaugruppe wirkt.

公开(公告)号：DE102014114294A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014114294

申请日：2014-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FISCHER THOMAS ,  FUERGUT EDWARD ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Eine Anordnung (100) wird bereitgestellt. Die Anordnung (100) kann aufweisen: einen Nacktchip (102), der zumindest ein elektronisches Bauteil (104) und einen ersten Anschluss (106) auf einer ersten Seite (108) des Nacktchips (102) und einen zweiten Anschluss (110) auf einer zweiten Seite (112) des Nacktchips (102) entgegengesetzt zu der ersten Seite (108) aufweist, wobei die erste Seite (108) die Hauptbearbeitungsseite des Nacktchips (102) ist und der Nacktchip (102) ferner zumindest einen dritten Anschluss (114) auf der zweiten Seite (112) aufweist; eine erste elektrisch leitende Struktur (116), die Stromfluss vom dritten Anschluss (114) auf der zweiten Seite (112) des Nacktchips (102) zur ersten Seite (108) durch den Nacktchip (102) bereitstellt; eine zweite elektrisch leitende Struktur (118) auf der ersten Seite (108) des Nacktchips (102), die den zweiten Anschluss (110) seitlich mit der ersten elektrisch leitenden Struktur (116) koppelt; und ein Verkapselungsmaterial (120), das zumindest über der ersten Seite (108) des Nacktchips (102) angeordnet ist, um den ersten Anschluss (106) und die zweite elektrisch leitende Struktur (118) zu bedecken.

公开(公告)号：DE102013113558A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013113558

申请日：2013-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIEZ WALTER ,  FUERGUT EDWARD ,  THEUSS HORST

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/04

Abstract: Ein eingebettetes Chipgehäuse wird bereitgestellt. Das eingebettete Chipgehäuse aufweist eine Vielzahl von Chips; Kapselungsmaterial, das die Vielzahl von Chips einbettet; zumindest eine elektrische Umverteilungsschicht, die mit der Vielzahl von Chips elektrisch verbunden ist; und einen gemeinsamen Anschluss, der mit der zumindest einen elektrischen Umverteilungsschicht verbunden ist, worin der gemeinsame Anschluss eine Schnittstelle für zumindest eines von Senden und Empfangen eines gemeinsamen elektrischen Signals zwischen der Vielzahl von Chips und dem gemeinsamen Anschluss bereitstellt.

公开(公告)号：DE102009044863B4

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102009044863

申请日：2009-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD ,  MENGEL MANFRED ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L23/48

Abstract: Halbleiter-Bauelement, aufweisend: einen Halbleiterchip (22), der eine aktive Oberfläche (24) gegenüber einer hinteren Oberfläche (26) umfasst; Kapselungsmittelteilchen (36, 108), die durch einen Sinterungsprozess direkt auf dem Halbleiterchip (22) zu einem Kapselungsmittel (56, 76, 118) verfestigt sind, das Seiten des Halbleiterchips (22) kapselt; eine erste Metallschicht (84), die an einem ersten Kontakt auf der aktiven Oberfläche (24) des Halbleiterchips (22) angebracht ist; eine separate zweite Metallschicht (66), die an der hinteren Oberfläche (26) des Halbleiterchips (22) angebracht ist; und elektrisch leitendes Material (82), das sich zwischen der ersten Metallschicht (84) und der hinteren Oberfläche (26) erstreckt.

公开(公告)号：DE102013103920A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102013103920

申请日：2013-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  FUERGUT EDWARD ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements wird ein erstes Halbleiterelement auf einem Träger montiert. Ein B-Zustand härtbares Polymer wird auf dem Träger abgeschieden. Ein zweites Halbleiterelement wird auf dem Polymer angebracht.

公开(公告)号：DE102011053099A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053099

申请日：2011-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLES BENJAMIN ,  FUERGUT EDWARD ,  MAHLER JOACHIM ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Füllen eines Kontaktlochs in einer Chip-Gehäuse-Anordnung bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen: Einbringen elektrisch leitfähiger diskreter Partikel in ein Kontaktloch eines Chip-Gehäuses; und Bilden eines elektrischen Kontakts zwischen den elektrisch leitfähigen diskreten Partikeln und einem Kontaktanschluss der Vorderseite und/oder der Rückseite des Chips.

公开(公告)号：DE102009044863A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：DE102009044863

申请日：2009-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD ,  MENGEL MANFRED ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102010000384A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102010000384

申请日：2010-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L21/60

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Metallträgers, das Anbringen von Chips an dem Träger und das Aufbringen einer Metallschicht über den Chips und dem Metallträger, um die Chips elektrisch mit dem Metallträger zu koppeln. Nach dem Aufbringen der Metallschicht wird der Metallträger segmentiert, um Metallkontaktelemente zu erhalten.

公开(公告)号：DE102006059526B4

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：DE102006059526

申请日：2006-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/50