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公开(公告)号：KR1020160006491A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140086145
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌化合物及其制备方法和薄膜形成方法。 由化学式1表示的钌化合物可以由于热稳定性和优异的挥发性而形成优质的钌薄膜。 在化学式1中，R 1〜R 6各自独立地为氢，或具有1〜4个碳原子的直链或支链烷基。
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公开(公告)号：KR101567936B1
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020130136364
申请日：2013-11-11
Applicant: 한국화학연구원 , 공주대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은하기화학식 1 내지화학식 3 중어느하나로표시되는안티몬-텔루륨단일전구체에관한것으로, 상기안티몬-텔루륨단일전구체는열적안정성과휘발성이향상되고, 박막제조중에별도의텔루륨을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의안티몬-텔루륨이포함된박막을형성할수 있다. [화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기식에서, R, R, R, R는각각독립적으로 C1-C10인선형또는분지형알킬기, 또는 C6-C16인방향족고리이다.)
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公开(公告)号：KR1020150088538A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008990
申请日：2014-01-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/00
CPC classification number: C07F3/003 , C23C16/409 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은하기화학식1로표시되는스트론튬전구체에관한것으로, 상기스트론튬전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의스트론튬박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R, R, R은각각독립적으로 H, C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의플루오르화알킬기이며, m, n은각각독립적으로 1 내지 3이고, a는 1 내지 3이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锶前体，能够形成优质的锶薄膜，因为锶前体具有热稳定性和高挥发性。 在化学式1中，R_1为C1-C10直链或支链烷基，R_2，R_3，R_6和R_7独立地为H，C1-C10直链或支链烷基或C1-C10氟烷基，m n分别为1〜3的数，a为1〜3的数。
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公开(公告)号：KR1020150081609A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001269
申请日：2014-01-06
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/045 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는니켈전구체에관한것으로, 상기니켈전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는니켈박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬및 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3 사이의숫자에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镍前体。镍前体是含有硫的前体，并且具有在制造薄膜时不需要添加单独的硫的优点。 此外，可以形成含有高品质硫的镍薄膜作为提高热稳定性。 [化学式1]在上述化学式中，R 1和R 2分别独立地为C1-C10或支链形式烷基的直链型，R 3和R 4分别独立地为直链型的C 1 -C 10或烷基和氟代烷基 的分支形式，n选自1至3的数。
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公开(公告)号：KR101530044B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101521800B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130050315
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/305 , H01G9/2022 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 a) 증착챔버내로기판을도입하는단계; b) 상기기판상에원자층증착법으로하기화학식 1로표시되는니켈전구체를흡착하는단계; c) 상기흡착된니켈전구체를제외한나머지부산물을제거하는단계; d) 상기증착챔버내로황 원을유입시켜, 상기기판에흡착된상기니켈전구체와교환반응시켜상기기판상에황화니켈박막을형성하는단계; 및 e) 상기황화니켈박막을제외한나머지부산물을제거하는단계;를포함하는원자층증착법을이용한황화니켈박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]본발명의원자층증착법(Atomic Layer Deposition)을이용한황화니켈박막의제조방법에의하여황화니켈박막을제조하는경우, 금속층두께의조절이용이하면서도균일한금속층을형성하고, 기판상에금속층을형성하는온도를상대적으로낮출수 있다.
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公开(公告)号：KR101505126B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121987
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和挥发性高的钨化合物，用于制造具有钨硫钨酸盐的优质薄膜。 在本发明中，提供了具有良好的热稳定性和高挥发性的钨化合物，并且用于在制造薄膜时不添加硫属元素的情况下容易地加工薄膜，并且用于制造具有钨硫属钨的薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钨化合物。
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128.发明授权
公开(公告)号：KR101472473B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136556
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及涉及由式（1），其中，所述的Ge前体具有的是不需要在作为含有硫和在质量硫化物的热稳定性和挥发性提高的前体产生的薄膜添加一个额外的硫的优点表示的Ge前体 可以形成锗薄膜。
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公开(公告)号：KR1020140112633A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film and a method for manufacturing an organic-inorganic hybrid thin film using the same. In the deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film, an atomic layer deposition chamber for the deposition of inorganic matters and a thermal deposition chamber for the depositing of organic matters are vertically connected. A gate valve is arranged in a connection path connecting the chambers. An injection port for supplying an inorganic deposition source is arranged in the atomic layer deposition chamber. A unit for heating an organic deposition source is arranged in the thermal deposition chamber. In the formation of a molecular organic-inorganic thin film, the present invention can form the multi-layered physical thin film of the organic and inorganic layers using a thermal deposition method and an atomic layer deposition method and the multi-layered thin film of the organic and inorganic layers through a chemical combination on the interface of the organic and inorganic layers.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合薄膜的沉积装置及其制造方法。 在有机 - 无机混合薄膜的沉积装置中，垂直连接用于沉积无机物质的原子层沉积室和用于沉积有机物的热沉积室。 闸阀布置在连接腔室的连接路径中。 用于提供无机沉积源的注入口布置在原子层沉积室中。 用于加热有机沉积源的单元布置在热沉积室中。 在分子有机 - 无机薄膜的形成中，本发明可以使用热沉积法和原子层沉积法形成有机和无机层的多层物理薄膜，并且可以形成多层薄膜 有机和无机层通过化学组合在有机和无机层的界面上。
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公开(公告)号：KR101399552B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120047439
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R4, R5, R6, R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, m, n은 각각 1 내지 3이다.)
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