Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 C 1 -C 4 선형 또는 분지형 알킬기다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 고리가 있는 아미노디올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고리가 있는 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 좋아진 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이 착화합물은 비교적 낮은 온도에서 쉽게 분해하기 때문에 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 나노 입자 및 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1]
상기 식에서, m과 n은 2 내지 3의 정수고, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기다. 아미노디올, 박막제조용 선구물질, 고리화 아민 화합물, 금속 착화합물
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노알코올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노알코올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
상기 식에서, R 1 은 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기, 또는 Y(CH 2 ) m CH(R * )-(여기에서, Y는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알콕시기 또는 디(C 1 -C 4 알킬)아민이고, R * 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기이며, m은 1 내지 3의 정수이다) 이고, R 2 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬기이며, R'는 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또 는 분지형 C 1 -C 4 알킬기 또는 알킬실릴기이다.
Abstract:
본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV) [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), Hf(mp) 4 ]를 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 기존의 Hf(O t Bu) 4 (hafnium tetra- tert -butoxide)와 견줄 때 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 더 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 고리가 있는 아미노디올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고리가 있는 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 좋아진 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이 착화합물은 비교적 낮은 온도에서 쉽게 분해하기 때문에 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 나노 입자 및 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1]
상기 식에서, m과 n은 2 내지 3의 정수고, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소 또는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C 1 -C 4 알킬 기 또는 알킬실릴 기다. 아미노디올, 박막제조용 선구물질, 고리화 아민 화합물, 금속 착화합물
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1의 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 합성하는 티타늄 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 개선되어 티타늄 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다.
상기 식에서, 2개의 R은 서로 독립적으로 C 1 -C 4 의 선형 또는 분지형 알킬기이고, 2개의 R'은 서로 독립적으로 C 1 -C 4 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 CR" 2 CH 2 NR * 2 (여기에서, R" 및 R * 는 C 1 -C 4 의 선형 또는 분지형 알킬기이다) 이다.
Abstract:
본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물을 선구 물질로 사용하여, 외부로부터 환원제를 넣지 않고, 녹는점이 낮고 비등점이 높으며 배위 가능한 원소를 포함하는 덮개 리간드를 이용하여, 금속 입자의 크기 및 형상을 제어할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: Precursors of group IV transition metal oxide and a preparing method thereof are provided, which precursors are easily stored due to its less sensitivity to water, and has improved volatility, so that they are useful as precursors for production of an oxide thin layer. CONSTITUTION: The precursors of group IV transition metal oxide represented by formula (1) of M(OCR2(CH2)mY)x(NR'2)(4-x), is provided, wherein M is titanium, zirconium or hafnium; R is optionally fluor containing C1-C4 alkyl; Y is -OR' or -NR'2 in which R' is C1-C4 alkyl or C1-C4 alkylsilyl; m is an integer from 1 to 3; and x is an integer from 1 to 4. The method for preparing the precursors of group IV transition metal oxide of formula (1) comprises reacting group IV transition metal complex of formula (2) of M(NR'2)4, with an alcohol compound of formula (3) of HOCR2(CH2)mY.
Abstract:
PURPOSE: An aminoalcohol compound, its preparation method, a metal complex prepared by using the compound, its preparation method and a method for growing a metal or metal oxide thin film by using the complex as a precursor are provided, to improve the thermal stability and volatility of a metal complex, thereby enhancing the quality of a thin film obtained by using the complex. CONSTITUTION: The aminoalcohol compound is represented by the formula 1 or 2, wherein Rs are independently an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; R' is an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F, Si(CH3)3 or H; R''s are independently an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and m and n are a number of 1-3. The metal complex is represented by M(OR)y, wherein M is a metal selected from the group consisting of an alkaline earth metal, a transition metal and a lanthanide metal; R is an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and y is a number of 2-6.