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公开(公告)号：KR101799158B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
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公开(公告)号：KR101744924B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150183936
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본원발명은온도제어의정확도를향상시킬수 있는단결정성장장치및 이를이용한단결정의성장방법에대한것으로보다구체적으로는단결정성장용원료가투입되는도가니; 상기도가니를감싸면서가열하는가열수단; 상기도가니의온도를측정할수 있는제 1 온도측정수단; 상기도가니상부에구비되고선단에단결정의시드(seed)가고정되는단결정인상수단; 및상기단결정인상수단의길이방향축을따라내부에구비되며선단의단결정시드및 단결정인상수단의축 방향온도구배를측정할수 있는제 2 온도측정수단을포함하는것을특징으로하는단결정성장장치및 상기온도측정수단을이용한온도모니터링결과와단결정성장장치의파워제어장치를연동하여실시간으로용융물의온도를제어하는것을특징으로하는단결정성장방법에대한것이다. 본원발명에따른단결정성장장치는결정성장용원료의표면온도와단결정성장장치내부의온도를정확히측정하고단결정성장장치의파워제어장치와연동하여실시간으로용융물의온도를제어할수 있는장점이있어작업자간경험및 숙련도의차이로인한단결정의품질의편차를줄일수 있으므로단결정생산의효율성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明具体地euroneun在坩埚比单晶生长装置及使用其生长单晶的方法，它可以提高温度控制的精度的生长单晶原料; 用于围绕坩埚加热的加热装置; 第一温度测量装置，用于测量坩埚的温度; 单晶提升装置，设置在坩埚上并在其顶端固定到单晶种子上; 并沿单晶提拉装置，用于将单晶籽和晶体生长装置，并且所述温度测量的纵向轴线设置在其中，其特征在于，第二温度测量，其可以测量单晶提拉装置，用于远端处的轴向温度梯度的装置 并且通过使用单晶生长设备的装置和功率控制装置联锁温度监测结果来实时控制熔体的温度。 根据本发明工作的单晶生长装置存在能够精确地测量和与所述单晶生长装置的表面温度，并在材料的装置中的晶体生长温度为晶体生长字距调整电力控制装置相结合实时控制的熔体的温度的优点 可以在单晶的品质的变化减少由于在经验和技能的差异可以提高单晶制造的效率。
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公开(公告)号：KR101742391B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170055268A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的热稳定性和挥发性的新型铟前体，并且提供一种通过使用该铟前体和由此制备的薄膜而在低温下容易地生产高质量氧化铟薄膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160144808A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150081459
申请日：2015-06-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은개스킷을사용하지않고도고온및 고압의조건에서도기밀을유지할수 있는단결정성장용압력용기에대한것으로, 보다구체적으로는개구를가지며내열합금으로제조되는압력용기본체; 상기압력용기본체개구의내부에삽입되는내식성소재의라이너; 상기압력용기본체의상부에구성되는압력용기헤드; 상기압력용기헤드의중심부에구성되는유니온;을구비하며, 상기라이너와유니온간의기밀밀착에의하여압력용기의밀봉이유지되는단결정성장용압력용기에대한것이다. 또한, 본발명에따른압력반응용기는귀금속개스킷을사용하지않음에따른유지비용의절감과온도와압력의변화에도불구하고안정적으로반응기의압력을유지할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101610623B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
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公开(公告)号：KR101530043B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046345
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR101485520B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由式1或2的方法，其中所述钨前体是热稳定的并且具有高的挥发性的优点可通过使用此形成硫化钨的高品质的薄膜，所表示的钨前体。
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