公开(公告)号：CN109072335B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201780017652.8

申请日：2017-03-15

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 伊藤顺一 ,  荒川淳一 ,  横田拓也 ,  樋口直树

IPC: B09B3/00

Abstract: 本发明的锂离子电池废料的处理方法包括以下工序：浸出工序，对锂离子电池废料进行浸出，而得到浸出后液体；脱铝工序，将浸出后液体中和至pH4.0～6.0的范围内之后，进行固液分离，将浸出后液体中的铝去除而得到第一分离后液体；及脱铁工序，向第一分离后液体中添加氧化剂，将pH调整为3.0～5.0的范围内，其后进行固液分离，将第一分离后液体中的铁去除而得到第二分离后液体。

公开(公告)号：CN113088703A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110358963.9

申请日：2016-03-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 河村寿文

IPC: C22B7/00 ,  C25B1/00 ,  C25C1/06

Abstract: 本发明提供一种从含有包含钨的有用物质的原料混合物高效地制造碳化钨的方法。本发明的碳化钨的制造方法的特征在于包括：通过使用有机系电解液对含有包含钨的有用物质的原料混合物进行电解而使钨溶解于电解液的工序；和通过将溶解有钨的电解液在800℃以上的温度进行烧成而获得碳化钨的工序。

公开(公告)号：CN112805403A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980066087.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 梶田博树 ,  涩谷义孝 ,  成田里安

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/053

Abstract: 一种溅射靶，所述溅射靶包含氧化镁烧结体，其特征在于，所述氧化镁烧结体中的在一个晶粒内存在的针孔的数量为20个以上的晶粒的比例为50％以下。本发明的课题在于提供一种包含氧化镁烧结体并且在溅射时粉粒的产生少的溅射靶。

公开(公告)号：CN112695273A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011397506.2

申请日：2013-09-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34

Abstract: 一种溅射靶，其包含含有Co的金属基质相和6～25摩尔％的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下称为“氧化物相”)，其特征在于，XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0.7以下。本发明提供可以抑制溅射时初期粉粒的产生并缩短预烧时间，并且在溅射时可以得到稳定的放电的非磁性材料粒子分散型溅射靶。

公开(公告)号：CN112654588A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980058336.4

申请日：2019-10-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 山崎芳树 ,  三上充

IPC: C03C3/04 ,  C03C4/08 ,  H01S3/06

Abstract: 一种光吸收层，所述光吸收层通过与激光介质接合而构成接合体，其特征在于，所述光吸收层包含玻璃材料，并且在激光介质的振荡波长(波长大于等于650nm且小于1400nm)下，所述光吸收层具有0.1cm‑1～10.0cm‑1的吸收系数，所述光吸收层与激光介质的折射率差在±0.1以内，并且所述光吸收层与激光介质的线性热膨胀系数差在±1ppm/K以内。本发明的课题在于提供一种用于防止寄生振荡的光吸收层、以及能够抑制制造成本并且容易进行用于制作接合体的加工的材料。

公开(公告)号：CN112638826A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980055418.3

申请日：2019-08-29

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 有吉裕贵 ,  富田功 ,  阿部洋

IPC: C01D15/08 ,  H01M10/54

Abstract: 本发明目的在于提供在使粗碳酸锂在二氧化碳气体的供给下溶解在液体中时，能够有效地提高气体反应效率的碳酸锂的制造方法。在本发明中，从含有电池正极材料成分的锂离子电池废料制造碳酸锂的方法，所述电池正极材料成分含有从Co、Ni和Mn所构成的群中选择的至少一种金属和Li，其中，对于所述锂离子电池废料实施湿式处理，由此从所述锂离子电池废料中使所述电池正极材料成分的所述金属的至少一种分离，得到粗碳酸锂后，包括：溶解工序，使所述粗碳酸锂，在二氧化碳气体的供给下溶解于液体中；脱碳酸工序，加热在所述溶解工序中得到的锂溶解液，使碳酸脱离，在所述溶解工序中，使粗碳酸锂在液体中溶解时，在反应槽内使用搅拌机搅拌所述液体，使所述搅拌机的搅拌叶片的直径(d)相对于所述反应槽的内径(D)的比(d/D)为0.2～0.5。

公开(公告)号：CN112119038A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202080002709.9

申请日：2020-01-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 山崎芳树 ,  宗安慧 ,  三上充

IPC: C01B33/24 ,  C01B33/32

Abstract: 一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTR与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。

公开(公告)号：CN111836692A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017991.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN107428616B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680007587.6

申请日：2016-02-19

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 山口洋平 ,  栗原敏也 ,  角田浩二

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN111670259A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201980011068.0

申请日：2019-01-30

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 青木胜志 ,  武田翼 ,  大塚教正

IPC: C22B1/00 ,  B09B3/00 ,  C22B7/00 ,  C22B11/02 ,  C22B15/00

Abstract: 本发明提供能够增大在冶炼工序中处理的电子、电气设备部件屑的处理量，且能够高效地回收有价金属的电子、电气设备部件屑的处理方法。电子、电气设备部件屑的处理方法包括在冶炼工序中对电子、电气设备部件屑进行处理的工序，且电子、电气设备部件屑的处理方法在冶炼工序之前包括用于减少电子、电气设备部件屑中所含的冶炼阻碍物质的工序。