公开(公告)号：FR2978596A1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：FR1255603

申请日：2012-06-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GIANESELLO FREDERIC ,  PILARD ROMAIN ,  DURAND CEDRIC

IPC: H01F17/00 ,  H03H7/42

Abstract: Transformateur du type symétrique-dissymétrique, qui comprend un circuit primaire inductif (L1) et un circuit secondaire inductif (L2) logés à l'intérieur d'un enroulement inductif supplémentaire (L3) connecté en parallèle aux bornes du circuit secondaire et en couplage inductif avec le circuit primaire et le circuit secondaire.

公开(公告)号：FR2977749A1

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：FR1156019

申请日：2011-07-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES ,  GLORIEUX MAXIMILIEN

IPC: H03K19/003 ,  G11C11/4078 ,  H03K19/20

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique intégré comprenant des éléments assurant la réalisation d'une fonction logique et des moyens d'atténuation de la sensibilité desdits éléments vis-à-vis de perturbations extérieures, lesdits moyens d'atténuation étant déconnectables lors de phases de modifications volontaires de l'état desdits éléments.

公开(公告)号：FR2977367A1

公开(公告)日：2013-01-04

申请号：FR1155917

申请日：2011-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CAUBET PIERRE ,  BAUDOT SYLVAIN

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/34 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS ayant un isolant de grille comprenant un diélectrique à forte permittivité et une grille conductrice comprenant une couche de TiN, dans lequel la composition en azote dans la couche de TiN est sous-stœchiométrique dans sa partie inférieure et augmente progressivement jusqu'à une composition stœchiométrique dans sa partie supérieure.

公开(公告)号：FR2976121A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154735

申请日：2011-05-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBIER FREDERIC ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3745

Abstract: Procédé de commande d'un pixel (Pix) comprenant au moins un premier et un second photosites (P1, P3) comportant chacun une photodiode (PPD1, PPD3) et un transistor de transfert de charges TG1, TG3), un nœud de lecture (SN) et une électronique de lecture communs à tous les photosites. Le procédé comprend une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD1) du premier photosite (P1) pendant une première période, une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD3) du second photosite (P3) pendant une seconde période plus courte que la première période, une sélection du signal correspondant à la quantité de charges accumulées dans la photodiode d'un photosite ayant l'intensité non saturée la plus élevée ou bien une transmission d'un signal de saturation, et une numérisation du signal sélectionné.

公开(公告)号：FR2976114A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154833

申请日：2011-06-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  CAMUS LUDOVIC ,  JACQUET FRANCOIS

IPC: G11C11/401 ,  G11C8/16 ,  G11C11/41

Abstract: L'invention concerne une mémoire vive double port comprenant au moins une cellule mémoire élémentaire associée à deux paires de lignes de bits (BLTa/BLFa, BLTb/BLFb) et à deux lignes de mots (WLa, WLb), caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens de connexion (34, 36) de premières lignes de chaque paire entre elles et de deuxièmes lignes de chaque paire entre elles lors d'étapes de lecture et d'écriture simultanées dans ladite cellule élémentaire.

公开(公告)号：FR2975826A1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：FR1154637

申请日：2011-05-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： VANNIER PATRICK

IPC: H01L21/308 ,  H01L23/48

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré, comprenant des étapes consistant à : former une cavité traversante (1) dans une première couche (PR), réaliser une première gravure partielle d'une seconde couche (DE) au travers de la première couche, pour approfondir la cavité dans la seconde couche, réaliser une gravure isotropique partielle de la première couche, pour élargir des bords de la cavité et ainsi dégager la seconde couche au voisinage des bords de la cavité, réaliser une seconde gravure partielle de la seconde couche au travers de la première couche, jusqu'à ce que la cavité traverse la seconde couche, les gravures partielles des première et seconde couches formant une marche (3, 3') dans la seconde couche dans des parois latérales de la cavité, et retirer totalement la première couche.

公开(公告)号：FR2974239A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153179

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) amincir le substrat par sa face arrière ; b) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (44) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur ; et c) recuire à une température permettant de recristalliser le silicium amorphe (44) pour le stabiliser.

公开(公告)号：FR2955205B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

公开(公告)号：FR2971888A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151473

申请日：2011-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BLONKOWSKI SERGE ,  LOPEZ DIANA

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0203

Abstract: Procédé de mesure d'énergie lumineuse reçue par au moins un photosite (P)comprenant un transistor de transfert (3) et une photodiode (P) comportant une zone de stockage de charge (6), le procédé comprenant une encapsulation de la grille du transistor de transfert (3) du photosite (P) dans une couche (5) de matériau semi-conducteur dont au moins une partie comprend un matériau semi-conducteur amorphe hydrogéné, une mise à la masse de la zone de stockage de charges (6) du photosite (P), et une détermination de la dérive temporelle de l'intensité du courant drain-source du transistor de transfert (3).

公开(公告)号：FR2971362A1

公开(公告)日：2012-08-10

申请号：FR1150922

申请日：2011-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/285 ,  H01G4/33 ,  H01L21/324 ,  H01L29/51

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur TiN/Ta O /TiN consistant à déposer sur une couche de TiN une couche de Ta O par un procédé de dépôt de couche atomique assisté par plasma (PEALD), dans une plage de température de 200 à 250°C, en répétant les étapes successives suivantes : dépôt d'une couche de tantale à partir d'un précurseur à une pression partielle comprise entre 0,05 et 10 Pa ; et application d'un plasma d'oxygène à une pression d'oxygène comprise entre 1 et 2000 Pa.