公开(公告)号：WO00013200A1

公开(公告)日：2000-03-09

申请号：PCT/NL1999/000535

申请日：1999-08-27

IPC: H01J37/04 ,  G01Q30/02 ,  H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28

Abstract: An electron microscope provided with an electron source; an energy-dispersive element; an accelerating tube; a plate mounted between the energy-dispersive element and the specimen, in which a selection slit is provided at right angles to the dispersive direction of the dispersive element; source imaging electron optics for obtaining an image of a source in the plane of the plate comprising the selection slit. In addition to the selection slit, the plate comprises a plurality of further apertures useful for the determination of the cross-sectional form of the beam; and the electron microscope comprises means for the determination of the intensity of the beam being transmitted through and/or onto the plate, so that subject thereto, setting parameters of the energy-dispersive element and the source imaging electron optics can be aligned. The dimensions of the apertures are in the nanometric range and the plate constitutes a thin membrane placed at a position where the electron's kinetic energy is so low that it can be blocked by the thin membrane. Further, the plate is positioned directly after the energy-dispersive element and the source imaging electron optics.

Abstract translation: 具有电子源的电子显微镜; 能量分散元素; 加速管; 安装在所述能量分散元件和所述试样之间的板，其中选择狭缝设置成与所述色散元件的色散方向成直角; 源成像电子光学器件，用于获得包括选择狭缝的板的平面中的源的图像。 除了选择狭缝之外，板包括多个可用于确定梁的横截面形状的另外的孔; 并且电子显微镜包括用于确定透射通过板和/或板上的光束的强度的装置，使得能够对能量色散元件和源成像电子光学器件的设定参数进行对准。 孔的尺寸在纳米范围内，并且板构成薄膜，该薄膜位于电子的动能如此低的位置，以致其被薄膜阻挡。 此外，该板被直接放置在能量色散元件和源成像电子光学器件之后。

公开(公告)号：WO9966535A2

公开(公告)日：1999-12-23

申请号：PCT/GB9901879

申请日：1999-06-15

Applicant: SUPERION LTD ,  AITKEN DEREK

Inventor： AITKEN DEREK

IPC: H01J37/317 ,  H01J49/20 ,  H01J49/30 ,  H01J49/32 ,  H01J49/00

CPC classification number: H01J49/06 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/322 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: Apparatus for acting upon charged particles has particular application in a mass analysis apparatus. An array of elongate magnetic poles (311) extends longitudinally in the direction of a longitudinal axis (350) of the array, the array having a symmetrical reference surface (320) containing the longitudinal axis and passing through the array with magnetic poles (311) on each side of the reference surface. Charged particles (314) enter into, or originate in, the field of the magnetic pole array at a position spaced from the said longitudinal axis (350). The array of magnetic poles is such as to provide between opposed poles (311A, 311B), an extended region of magnetic field in which the charged magnetic particles pass with a curved motion imposed thereon by the field, together with entry and exit regions (312A and 312B) which provide curved magnetic fields (312A, 312B), giving focusing or divergence of the beam of charged particles passing through the fringe field at an angle to the normal to the entry or exit region. The apparatus includes resolving means (332) for selecting a required species of particle from the beam by parameter dependent dispersion in a plane transverse to the reference surface (320), by focusing of the beam of particles at different focal points (331) along the general direction of propagation of the beam (314).

Abstract translation: 用于作用于带电粒子的装置在质量分析装置中具有特别的应用。 细长磁极（311）的阵列在阵列的纵向轴线（350）的方向上纵向延伸，阵列具有包含纵向轴线并通过磁极（311）穿过阵列的对称参考表面（320） 在参考表面的每一侧。 带电粒子（314）在与所述纵向轴线（350）间隔开的位置处进入或产生在磁极阵列的场中。 磁极阵列可以在相对的极（311A，311B）之间提供磁场的延伸区域，其中充电的磁性粒子通过场中施加的弯曲运动，以及进入和退出区域（312A 和312B），其提供弯曲的磁场（312A，312B），使得通过所述边缘场的带电粒子束与入射或出射区域的法线成一定角度的聚焦或发散。 该设备包括分解装置（332），用于通过在垂直于参考表面（320）的平面中的参数依赖性色散从束中选择所需粒子的粒子，通过沿不同焦点（331）的粒子束聚焦 光束（314）的传播方向。

公开(公告)号：WO1981003239A1

公开(公告)日：1981-11-12

申请号：PCT/JP1981000099

申请日：1981-04-27

Applicant: HITACHI LTD ,  SHIBATA A ,  ABE K ,  TAYA S

Inventor： HITACHI LTD

IPC: H01J37/317

CPC classification number: C30B31/22 ,  H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171

Abstract: An apparatus for implanting ions into the wafer (22) in the manufacture of a semiconductor device, especially an apparatus suitable for implanting double-charge ions into the wafer (22). Only those ions having predetermined masses are chosen by the mass-separation electromagnet (14) from among ion beams (12) originating from the ion source (10) and implanted into the wafer (22) through the slit (16). Between the slit (16) and the mass-separation electromagnet (14) are provided electrodes (24) for separating ions having different energy levels disposed with the direction of deflection parallel to that of the mass-separation electromagnet, and a deflective magnetic field (26) for separating neutral particles and so on disposed with the direction of deflection perpendicular to that of the mass-separation electromagnet.

Abstract translation: 一种用于在制造半导体器件中的离子注入晶片（22）中的装置，特别是适用于将双电荷离子注入到晶片（22）中的装置。 仅通过质量分离电磁体（14）从源离子源（10）的离子束（12）中选择具有预定质量的那些离子，并通过缝隙（16）注入到晶片（22）中。 在狭缝（16）和质量分离电磁体（14）之间设置有用于分离具有与质量分离电磁体平行的偏转方向设置的具有不同能级的离子的电极（24）和偏转磁场 26），用于分离中性粒子等，其中偏转方向与质量分离电磁体的偏转方向垂直。

公开(公告)号：WO2018140120A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/US2017/061918

申请日：2017-11-16

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： LIKHANSKII, Alexandre

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J49/22 ,  H01J27/024 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J49/061 ,  H01J49/48 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31701

Abstract: An apparatus which has the capability of filtering unwanted species from an extracted ion beam without the use of a mass analyzer magnet is disclosed. The apparatus includes an ion source having chamber walls that are biased by an RF voltage. The use of RF extraction causes ions to exit the ion source at different energies, where the energy of each ion species is related to its mass. The extracted ion beam can then be filtered using only electrostatic energy filters to eliminate the unwanted species. The electrostatic energy filter may act as a high pass filter, allowing ions having an energy above a certain threshold to reach the workpiece. Alternatively, the electrostatic energy filter may act as a low pass filter, allowing ions having an energy below a certain threshold to reach the workpiece. In another embodiment, the electrostatic energy filter operates as a bandpass filter.

公开(公告)号：WO2016125864A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/JP2016/053384

申请日：2016-02-04

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 畠山　雅規 ,  田島　涼 ,  末松　健一 ,  渡辺　賢治 ,  當間　康 ,  寺尾　健二 ,  村上　武司

IPC: H01J37/29 ,  H01J37/05 ,  H01J37/141 ,  H01J37/147 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/141 ,  H01J37/147 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/29

Abstract: 　電子線検査装置において、電子ビームの軌道路を構成する鏡筒内部の基準電圧を高くし、二次電子による電子ビームの信号量や加速度の増大を実現し、分解能を高める。　電子ビームを試料（３）表面に照射する一次電子光学系と、試料（３）から放出される二次電子を検出器（５）の電子検出面に結像させる二次電子光学系を備え、検出器（５）で検出された信号から試料（３）表面の電子像を取得して試料（３）を検査する電子線検査装置において、二次電子光学系が組み込まれる鏡筒内部に、内層（８２ａ）と外層（８２ｃ）に導電体、中間層（８２ｂ）に絶縁体が積層されてなる筒体（８）を設置し、この筒体（８）の内部に電子軌道路を形成するとともに、筒体の外側に二次電子光学系を構成する部材（Ｍｌａ）が配置された構成を有する。

Abstract translation: 本发明的目的是增加构成电子束轨迹路径的透镜管中的参考电压，以便增加电子束检查装置中二次电子的电子束的信号量和加速度，并提高分辨率。 电子束检查装置具有用于用电子束照射样品（3）的表面的一次电子光学系统和用于使从样品（3）发射的二次电子以形成图像的二次电子光学系统 检测器（5）的电子检测表面从检测器（5）检测的信号中获取样品（3）表面上的电子图像，并检查样品（3）。 电子束检查装置具有这样的结构，其中分别将内层（82a）和外层（82c）中的导体和中间层（82b）中的绝缘体分别形成的圆柱体（8）安装在 配置有二次电子光学系统的透镜管，在圆筒体（8）中形成电子轨迹路径，构成二次电子光学系统的构件（MIa）配置在圆筒体的外侧。

公开(公告)号：WO2016106426A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/US2015/067732

申请日：2015-12-28

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： EISNER, Edward, C ,  VANDERBERG, Bo

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/12

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/05 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31705

Abstract: A system and method are provided for implanting ions at low energies into a workpiece (109). An ion source configured to generate an ion beam is provided, wherein a mass resolving magnet (102) is configured to mass resolve the ion beam. The ion beam may be a ribbon beam or a scanned spot ion beam. A mass resolving aperture (103) positioned downstream of the mass resolving magnet filters undesirable species from the ion beam. A combined electrostatic lens (106) system is positioned downstream of the mass analyzer, wherein a path of the ion beam is deflected and contaminants are generally filtered out of the ion beam, while concurrently decelerating and parallelizing the ion beam. A workpiece scanning system is further positioned downstream of the combined electrostatic lens system, and is configured to selectively translate a workpiece in one or more directions through the ion beam, therein implanting ions into the workpiece.

Abstract translation: 提供了一种用于将低能量下的离子注入到工件（109）中的系统和方法。 提供了一种被配置为产生离子束的离子源，其中质量分辨磁体（102）构造成质量分辨离子束。 离子束可以是带状束或扫描的点离子束。 位于质量分辨磁体下游的质量分辨孔径（103）从离子束过滤不期望的物质。 组合的静电透镜（106）系统位于质量分析器的下游，其中离子束的路径被偏转并且污染物通常从离子束过滤掉，同时使离子束同时减速和平行化。 工件扫描系统还位于组合的静电透镜系统的下游，并且被配置为在一个或多个方向上选择性地将工件平移通过离子束，其中将离子注入到工件中。

公开(公告)号：WO2015094382A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/US2014/000217

申请日：2014-11-26

Applicant: WHITE, Nicholas, R.

Inventor： WHITE, Nicholas, R.

IPC: H01J3/20

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: The present invention is a C-shaped yoke-coil assembly which operates as a markedly improved mass analyzer device; and is able to achieve at least one identifiable modification (such as an effective separation of dissimilar charged ion species) in an adjacent traveling ribbon-shaped beam. The C-shaped yoke coil assembly offers a commercially useful resolving power; is far easier and less expensive to manufacture; and is quickly positioned, aligned, and operated in comparison to conventionally known mass analyzer devices.

Abstract translation: 本发明是作为明显改进的质量分析装置而工作的C形轭铁线圈组件; 并且能够在相邻的行进带状波束中实现至少一种可识别的修改（例如，不同的带电离子种类的有效分离）。 C形轭线圈组件提供商业上有用的分辨能力; 制造更容易，成本更低; 并且与传统已知的质量分析器装置相比被快速定位，对准和操作。

公开(公告)号：WO2013172365A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/JP2013/063488

申请日：2013-05-15

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 榊原　慎 ,  谷本　憲史 ,  安部　悠介 ,  山本　琢磨

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28 ,  H01J37/29 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28

Abstract: 　一方向の電子ビームに影響を与えずに、逆方向の電子ビームのプロファイル等を調整可能な電子ビーム応用装置を提供する。そこで、電場型偏向器および磁場型偏向器をそれぞれ８極以上持つＥＸＢ偏向器（１０１）と、第１の比率と強度の調整手段（１１０）と、第２の比率と強度の調整手段（１１１）を備える。第１の比率と強度の調整手段（１１０）は、ＥＸＢ偏向器（１０１）で生成される双極子電場と双極子磁場の比率と強度を調整し、第２の比率と強度の調整手段（１１１）はＥＸＢ偏向器（１０１）で生成される４極子電場と４極子磁場の比率と強度を調整する。

Abstract translation: 提供一种电子束施加装置，其可以在一定方向上调节电子束的轮廓等而不影响相反方向的电子束。 电子束施加装置设置有：对于电场偏转器和磁场偏转器中的每一个具有八个或更多个极的EXB偏转器（101）; 第一比例和强度调节装置（110）; 和第二比例强度调节装置（111）。 第一比例和强度调节装置（110）调节EXB偏转器（101）中产生的偶极电场和偶极磁场的比例和强度，第二比例和强度调节装置（111）调整比例和强度 在EXB偏转器（101）中产生的四极电场和四极磁场。

公开(公告)号：WO2013067902A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/CN2012/084004

申请日：2012-11-02

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 彭立波 ,  龙会跃 ,  谢均宇

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J49/30 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: 一种宽带离子束分析器，用于从宽带离子束中分离出所需的离子，包括上磁极（1）、下磁极（2）、上励磁线圈（3）、下励磁线圈（4）、分析光栏（7）和磁轭（5，6）。其中，上磁极（1）和下磁极（2）均具有弧形的入射端边界（101）和出射端边界（102）。入射端边界（101）和出射端边界（102）的弧面半径（Rb）都等于所需的离子在磁场中的偏转半径（R）。宽带离子束中所需的离子能够在磁场中部理想聚焦，得到焦斑尺寸等于0的理想焦点，可以通过选取合适的最小分析缝（701）宽度而获得最佳的分辨率，实现宽带离子束中所需的离子与其他离子完全分离。

公开(公告)号：WO2012161874A2

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/US2012/032796

申请日：2012-04-09

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION ,  CHEN, Chien-Huei ,  WHITE, Peter ,  VAN RIET, Michael J. ,  VENKATARAMAN, Sankar ,  JIANG, Hai ,  YANG, Hedong ,  GUPTA, Ajay

Inventor： CHEN, Chien-Huei ,  WHITE, Peter ,  VAN RIET, Michael J. ,  VENKATARAMAN, Sankar ,  JIANG, Hai ,  YANG, Hedong ,  GUPTA, Ajay

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/28 ,  G01N23/04 ,  G06T5/50 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148 ,  H01J37/05 ,  H01J37/222 ,  H01J37/244

Abstract: One embodiment relates to a method of inspecting a site location on a target substrate. Contours are obtained, the contours having been generated from a reference image using a design clip. A target image of the site location is acquired. The contours are aligned to the target image, and contrast values are computed for pixels on the contours. A threshold is applied to the contrast values to determine contour-based defect blobs. Another embodiment relates to a method of generating contours for use in inspecting a site location for defects. Other embodiments, aspects and features are also disclosed.

Abstract translation: 一个实施例涉及一种检查目标基板上的位置位置的方法。 获得轮廓，使用设计剪辑从参考图像生成轮廓。 获取站点位置的目标图像。 轮廓与目标图像对齐，并且对轮廓线上的像素计算对比度值。 将阈值应用于对比度值以确定基于轮廓的缺陷斑点。 另一个实施例涉及一种产生用于检查位置缺陷的轮廓的方法。 还公开了其它实施例，方面和特征。