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公开(公告)号：CN101199247A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021236.7
申请日：2006-06-13
Applicant: 揖斐电株式会社
Inventor： 苅谷隆
CPC classification number: H05K1/11 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L24/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/0001 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K3/4602 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309 , H05K2201/09509 , H05K2201/09518 , H05K2201/096 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H05K2201/10674 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种印刷线路板。该印刷线路板包括可安装在1个芯片上包括2个处理器核心(81A、81B)的双核处理器(80)的安装部(60)、和对应于各处理器核心(81A、81B)各自独立形成的电源线(12A、12B)、接地线(11A、11B)、第1及第2层状电容器(40A、40B)。因此，即使各处理器核心(81A、81B)的电位瞬间降低，也可以通过与其相对应的层状电容器(40A、40B)的作用抑制电位的瞬间降低，即使一个处理器核心的电压变动，该电压变动也不会影响其余的处理器核心，因此也不会产生误动作。
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公开(公告)号：CN101102641A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127101.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0234 , H05K1/0231 , H05K2201/09236 , H05K2201/09309 , H05K2201/10022 , H05K2201/10159
Abstract: 本发明公开了一种印刷电路板，该印刷电路板包括安装在其上的高速DRAM和存储器控制器。所述高速DRAM通过存储器总线布线连接到所述存储器控制器。所述印刷电路板进一步包括电源图案和串联电路，所述电源图案通过并联终端电阻器连接到所述存储器总线。串联电路通过在所述电源图案和地图案之间串联连接电容器和电阻器形成，所述电阻器的阻值与所述电源图案的特性阻抗基本上相等。
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公开(公告)号：CN100349966C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03800763.0
申请日：2003-04-01
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08K7/00 , C08L63/00 , C08L77/00 , C08L77/10 , H05K3/384 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309 , H05K2203/1476 , Y10T428/24917 , Y10T428/25 , C08L2666/20
Abstract: 本发明的目的是提供用于形成内置电容层的双面镀铜箔叠层板的电介质层不用骨架材料可形成任意的膜厚、且具备高强度的双面镀铜箔叠层板。为了实现上述目的，使用了由粘合剂树脂和作为电介质粉末的电介质填料混合而成的印刷电路板的内置电容层形成用的含有电介质填料的树脂，其中的粘合剂树脂由20～80重量份的环氧树脂(含有固化剂)、20～80重量份的可溶于溶剂的芳香族聚酰胺树脂聚合物及根据需要适量添加的固化促进剂形成，电介质粉末是平均粒径DIA为0.1～1.0μm、通过激光衍射散射式粒度分布测定法测得的重量累积粒径D50为0.2～2.0μm、且用重量累积粒径D50和通过图像解析获得的平均粒径DIA求得的以D50/DIA表示的凝集度值在4.5以下的近似球状的具备钙钛矿结构的电介质粉末。
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公开(公告)号：CN100338979C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN99801613.6
申请日：1999-10-12
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0256 , H05K1/162 , H05K3/0052 , H05K2201/0355 , H05K2201/09154 , H05K2201/09309 , H05K2203/0228 , H05K2203/0346 , Y10T29/435 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/4981 , Y10T428/24777 , Y10T428/24917
Abstract: 一种薄分层板绝缘层的边缘处不含导体材料。薄分层板在将作成PCB前可进行生产缺陷检测。将未加工的薄分层板剪切为所需的薄分层板不把导体材料涂覆在绝缘层上。为此，在板被切割时，垂直安装的切割钻头的旋转面与板面确定的平面吻合。一种固定装置将未加工的薄分层板固定在一平面内以剪切板边，获得所需的薄分层板。
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公开(公告)号：CN101035406A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610127270.4
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0209 , H05K2201/09309 , Y10T29/43 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明揭示一种埋入式电容核，其包括第一组电容、第二组电容、及该第一组电容与该第二组电容之间一层间介电膜。该第一组电容包括：第一导电图案，其包含至少两个导电电极；以及第二导电图案，其包含至少两个导电电极，其对应于该第一导电图案之两个导电电极；以及第一介电膜，其位于该第一导电图案及该第二导电图案之间的第一介电膜。该第二组电容包括：第三导电图案，其包含至少两个导电电极；第四导电图案，其包含对应于该第四导电图案之两个导电电极之至少两个导电电极；以及位于该第三导电图案及该第四导电图案之间的第二介电膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1315138C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN99124488.5
申请日：1999-11-23
Applicant: 微涂层技术公司
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/085 , H05K3/388 , H05K3/467 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0317 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309
Abstract: 本发明涉及形成薄膜电容器，该薄膜电容器是由第一柔性金属层、淀积在其上的厚度约是0.03至约2微米的介电层和淀积在介电层上的第二柔性金属层形成。第一柔性金属层是金属箔，例如铜、铝或镍箔，或者是淀积在聚合物支持板上的金属层。这些层是通过燃烧化学气相淀积或控制气氛的化学气相淀积法淀积的。
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公开(公告)号：CN1953169A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137380.9
申请日：2006-10-20
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/64 , H01L21/48 , H01L21/60 , H05K1/11 , H05K1/18 , H05K3/46 , H05K3/32
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H05K2201/09763 , H05K2201/10734
Abstract: 一种包含电源芯线的器件，所述电源芯线包括：包含至少一个嵌入式单立电容器的至少一个嵌入式单立电容器层，其中所述嵌入式单立电容器至少包括第一电极和第二电极，并且其中所述嵌入式单立电容器定位在电源芯线的外层上，且该电容器的第一和第二两个电极定位在该电源芯线外层上，以使半导体器件的至少一个Vcc(电源)端子和至少一个Vss(接地)端子分别直接连接到至少一个第一和至少一个第二电极上。
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公开(公告)号：CN1937884A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610127271.9
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/38 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01079 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种在电路板内的埋入式电容装置，在其上具有集成电路。该电路板在该集成电路的下方具有共享耦合区域。该埋入式电容装置包括第一电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第一终端组，而第二电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第二终端组。该第一电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第一终端组。类似地，该第二电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第二终端组。
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公开(公告)号：CN1898795A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038456.1
申请日：2004-12-17
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·帕兰杜兹
IPC: H01L23/498 , H01L23/64
CPC classification number: H05K1/162 , H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H05K1/0306 , H05K3/4688 , H05K2201/0187 , H05K2201/09309 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及集成电路封装的衬底诸如封装衬底或插入衬底的制造。使用其中具有多个通路孔的绿色材料形成基底结构。随后烧结该绿色材料，使得绿色材料变成烧结陶瓷材料且该基底结构变成具有通路孔的烧结陶瓷基底结构。在烧结陶瓷基底结构的每个通路孔内形成导电通路。在该烧结陶瓷基底结构上形成电容器结构。该电容器结构的电源层和接地层连接到该通路。这样可形成电容器结构，且无需在诸如硅衬底的脆性衬底中钻出通路孔而将该电容器结构连接到通路。烧结陶瓷材料还具有低的热膨胀系数，可承受制造该电容器结构时的高温加工条件，且制造成本不昂贵。
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公开(公告)号：CN1894758A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037296.9
申请日：2004-12-14
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor： 罗伯特·T·克罗斯韦尔 , 格雷戈里·J·杜恩 , 罗伯特·B·伦普科夫斯基 , 阿伦·V·通加雷 , 约维察·萨维奇
IPC: H01G4/20
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/0029 , H05K3/025 , H05K3/384 , H05K3/429 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309 , H05K2201/09509 , H05K2201/09718
Abstract: 嵌入到印刷电路结构中的多个电容器之一包括：第一电极(415)，覆盖在印刷电路结构的第一衬底层(505)之上；晶体化介电氧化物核(405)，覆盖在第一电极之上；第二电极(615)，覆盖在晶体化介电氧化物核之上；以及高温抗氧化剂层(220)，位于晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个之间，并且同晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个相接触。所述晶体化介电氧化物核的厚度小于1微米，电容密度大于1000pF/mm2。多个电容器中每个的材料和厚度都相同。晶体化介电氧化物核可与多个电容器中所有其他电容器的晶体化介电氧化物核相隔离。
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