公开(公告)号：KR1019940000143B1

公开(公告)日：1994-01-07

申请号：KR1019910010538

申请日：1991-06-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동구 ,  박경룡 ,  박신종 ,  박철순 ,  박형무

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/13336 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/86

Abstract: The method uses the 5-15 inches thin film transistors (TFT) as an unit panel, arranges TFT in matrix, and connects the bus line of drains and gates electrically by the ink jet method, thus it enables to manufacture the large (20-60 inches) liquid crystal display (LCD) panels by keeping the yielding ratio of small (5-15 inches) panels. The method comprises a 1st process manufacturing the unit of TFT panels, and a 2nd process connecting the bus lines electrically.

Abstract translation: 该方法采用5-15英寸薄膜晶体管（TFT）作为单元面板，将TFT布置在矩阵中，并通过喷墨法将排水沟和母线的总线电连接，从而能够制造大型（20- 60英寸）液晶显示器（LCD）面板，通过保持小（5-15英寸）面板的屈服比。 该方法包括制造TFT面板单元的第一工艺，以及电连接总线的第二工序。

公开(公告)号：KR1019920013607A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021813

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  강진영 ,  박철순 ,  양전욱 ,  이진희 ,  김도진 ,  맹성재 ,  심규환 ,  최영규

IPC: H01L21/335

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019910017621A

公开(公告)日：1991-11-05

申请号：KR1019900003291

申请日：1990-03-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재신 ,  박철순 ,  김도진 ,  강진영

IPC: H01L27/04

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100598437B1

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：KR1020040084718

申请日：2004-10-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최병건 ,  현석봉 ,  탁금영 ,  이희태 ,  박성수 ,  박철순

IPC: H04B1/40 ,  H03D7/00

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03D7/1491 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0084

Abstract: 본 발명은 직접변환(direct conversion) 방식으로 고주파(RF) 신호를 베이스밴드(base-band) 신호로 하향변환(down conversion)시키는 주파수 혼합기(mixer)에 관한 것이다. 본 발명의 직접변환 주파수 혼합기는 단일 위상의 고주파(RF) 신호와 직교국부발진(quadrature LO) 신호를 이용하여 직교 베이스밴드 신호를 얻을 수 있는 구조로서, 제 1 주파수 혼합부는 0도와 180도 위상의 직교국부발진(LO) 신호를 이용하여 단일 위상의 고주파(RF) 신호를 인-페이즈(In-phase)의 베이스밴드로 직접하향변환(direct down conversion)시키고, 제 2 주파수 혼합부는 90도와 270도 위상의 직교국부발진(LO) 신호를 이용하여 단일 위상의 고주파(RF) 신호를 직교위상(quadrature-phase)의 베이스밴드로 직접하향변환시킨다. 직교국부발진(LO) 신호가 인가되는 트랜지스터와 고주파(RF) 신호가 입력되는 트랜지스터의 드레인과 소스가 각각 공통으로 연결되기 때문에 낮은 전원전압에서도 구동이 가능하다.
직접변환, 주파수 혼합기, 고주파, 직교국부발진, 베이스밴드

公开(公告)号：KR100289328B1

公开(公告)日：2001-12-28

申请号：KR1019980053108

申请日：1998-12-04

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 ,  박철순

IPC: H01L29/80

Abstract: 이단계 게이트 리세스(recess) 공정을 이용하여 이단 T-형상의 게이트 구조를 갖는 화합물반도체 소자를 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 이단계 게이트 리세스 방법을 이용하여 제작된 T-형 게이트에 의하면, 쇼트키 층과 접촉하는 게이트 전극의 게이트 길이가 실제로 게이트 패턴의 길이와 동일하기 때문에 소자의 차단 주파수의 저하없이 고주파 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 2 단의 T-형상의 게이트 전극패턴 하부에 절연막 스페이서를 구비함으로써, 게이트 전극과 소오스/드레인 전극 간의 절연 특성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 신뢰성이 높은 초고속 저잡음의 화합물 반도체 소자를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR100275520B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 방사각 조절 평면 매립형 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저의 활성영역을 형성하기 위하여 에피 결정성장 후 방사각 조절영역의 광흡수 억제를 위한 식각 및 결정성장 없이 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정에서 방사각 조절 광도파로를 제작함으로써 방사각 조절 광도파로를 통하여 작은 방사각을 얻어 광섬유와의 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100274155B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970037477

申请日：1997-08-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure and a manufacturing method thereof are provided to suppress occurrence of higher order modes during a high power operation and obtain a stable basic mode operation characteristics even at high power by reducing a change in an effective refractive index in edge portions of the semiconductor laser. CONSTITUTION: A multiple quantum well structure of a buffer layer(5), a clad layer(6), an active layer(8), a clad layer(10), and an ohmic contact layer(12) is grown on a substrate(4) by a MOCVD or other growing method. Then, a semiconductor laser having a ridge wave guide structure having a ridge portion(16) and a channel portion(17) is produced by processes of photo-resist masking, and coating an insulating layer and electrodes. After etching the ridge portion, boundary regions with the channel portion are ion-implanted with a predetermined dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask so as to have alleviated bandgap and effective refractive index. After masking the ion-implanted regions, new regions in the vicinity of the ion-implanted regions are ion-implanted with a new dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask. The ion-implantations are repeated by the number of kinds of dopant materials to be implanted. The ion-implantations are repeated with dopant materials having bandgaps different from the bandgap or with different effective refractive indices according to depth of ion-implantation and dose of dopants. The resultant structure are subjected to an annealing process to produce a high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure.

Abstract translation: 目的：提供具有脊波导引结构的高功率半导体激光器及其制造方法，以抑制高功率操作期间的高阶模式的发生，即使在高功率下也能够通过减少高功率的变化而获得稳定的基本模式操作特性 在半导体激光器的边缘部分的有效折射率。 构成：在衬底上生长缓冲层（5），包覆层（6），有源层（8），包覆层（10）和欧姆接触层（12）的多量子阱结构（ 4）通过MOCVD或其他生长方法。 然后，通过光刻胶掩模和涂覆绝缘层和电极的工艺制造具有脊部分（16）和沟道部分（17）的脊波导构造的半导体激光器。 在蚀刻脊部之后，使用光刻胶掩模或氧化物掩模，用预定的掺杂剂材料离子注入具有沟道部分的边界区域，以便减小带隙和有效折射率。 在掩蔽离子注入区域之后，使用光致抗蚀剂掩模或氧化物掩模，用离子注入区域附近的新的掺杂剂材料离子注入离子注入区域。 通过待植入的掺杂剂材料的种类数来重复离子注入。 用离子注入深度和掺杂剂剂量的带隙不同于带隙或不同有效折射率的掺杂剂材料重复离子注入。 对所得结构进行退火处理，以制造具有脊波导构造的高功率半导体激光器。

公开(公告)号：KR100275496B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019980026478

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문평 ,  이태우 ,  박성호 ,  박철순

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 반절연 화합물 반도체 기판에 부콜렉터, 콜렉터, 베이스, 에미터, 에미터캡 에피층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 절연막을 웨이퍼 전면에 증착 하고 감광막을 마스크로 하여 에미터 측벽영역의 절연막을 식각 하는 단계와, 절연막을 마스크로 하여 식각된 절연막 하부의 에미터캡층과 에미터층을 화학 식각하는 단계와, 식각된 에미터캡층과 에미터층 영역에 도핑시키지 않은 화합물 반도체층을 에미터캡층 높이까지 재성장시키는 단계와, 절연막을 전부 식각하고 감광막을 마스크로 하여 재성장시킨 에미터캡층과 에미터층 외부의 에미터캡층과 에미터층을 식각하는 단계와, 리프트 오프(lift-off)법에 의해 에미터 전극과 베이스 전극을 동시에 형성시키는 단계와, 감 광막을 마스크로 하여 베이스층과 콜렉터층을 식각하는 단계 및 리프트 오프법에 의해 콜렉터 전극을 형성하는 단계로 이루어져, 이종접합쌍극자 트랜지스터의 에미터 면적이 감소함에 따라 전류이득이 감소하는 에미터 크기 효과(size effect)를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100274150B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019970059538

申请日：1997-11-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 ,  박철순 ,  맹성재

IPC: H04B7/14

Abstract: PURPOSE: An indoor/outdoor wireless repeater is provided to amplify and radio-repeat a radio signal such as satellite broadcast, LMDS, wireless CATV, radio ATM from outdoor or, in reverse, to radio-repeat a wireless signal transmitted from an indoor radio terminal or a radio private network to the outdoor. CONSTITUTION: A subscriber transmitting part(200) amplifies the radio signal transmitted from an indoor terminal equipment without an additional frequency amplification and transfers it to the outdoor. A subscriber receiving part(100) amplifies the radio signal transmitted from the outdoor without the additional frequency amplification and transfers it the indoor.

Abstract translation: 目的：提供一个室内/室外无线中继器，用于放大和无线电重复室外无线电信号（如卫星广播，LMDS，无线CATV，无线电ATM）等无线电信号，或者反向无线电重复从室内无线电发送的无线信号 终端或无线电专线到室外。 构成：用户发送部件（200）放大从室内终端设备发送的无线信号，无需额外的频率放大，并将其传送到室外。 订户接收部分（100）放大从室外发射的无线电信号而没有额外的频率放大，并将其传送到室内。

公开(公告)号：KR100262941B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019980020845

申请日：1998-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박병선 ,  윤형섭 ,  이진희 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/335

Abstract: 본 발명은 반도체 기술분야에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법에 관한 것이며, 미세한 T형 게이트를 안정적인 구조로 용이하게 형성할 수 있는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 T형 게이트 형성을 위한 희생막(예를 들어, 실리콘 질화막) 증착시 증착 온도를 점진적으로 변화시켜 다층의 박막을 증착하고, 이후 습식식각시 증착 온도에 따른 층간의 식각속도차를 이용하며, 또 전자빔 레지스트 패턴이 높은 온도에서 흘러내리는 플로우(flow) 특성을 이용하여 안정적인 구조를 가지는 계단형 미세 T형 게이트를 형성한다. 즉, 본 발명은 게이트 다리와 머리부위가 만나는 부분을 계단형 구조로 형성하여 게이트 다리와 머리의 끊어짐을 방지하고, 절연막이 게이트 다리를 양쪽에서 지지하고 있기 때문에 미세한 게이트 다리와 면적이 큰 T형 게이트 전극을 들뜸 없이 제작할 수 있다.