回路基板および電子機器
    183.
    发明申请
    回路基板および電子機器 审中-公开
    电路板和电子设备

    公开(公告)号:WO2009072182A1

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/JP2007/073381

    申请日:2007-12-04

    Inventor: 土井 英司

    Abstract:  本発明は、10層構造を有する回路基板150において、第10層151_10に形成された、互いに平行に延びる複数本の導体パターンであって、各々の導体パターンが接地パターンとして用いられるスリット状グラウンドパターン151bと、第1層151_1に、回路基板150に垂直な方向から投影したときの、第1層151_1における上記の表面におけるスリット状グラウンドパターン151bが形成された領域と重なる領域に形成された、互いに平行に延びる複数本の導体パターンであって信号線として用いられるスリット状配線パターン151aとを備えた。

    Abstract translation: 具有十层结构的电路板(150)设置有多个狭缝状接地图案(151b),其是形成在第十层(151_10)中并且平行延伸并且被用作接地的导体图案 图案和多个狭缝状布线图案(151a),其是形成在与第一层(151_1)中的第一层(151_1)的表面上的狭缝状接地图案(151b))重叠的区域中的导体图案 形成从垂直于电路板(150)的方向突出的层(151_1),其平行延伸并用作信号线。

    基板および半導体装置
    184.
    发明申请
    基板および半導体装置 审中-公开
    基板和半导体器件

    公开(公告)号:WO2009072164A1

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/JP2007/001349

    申请日:2007-12-05

    Abstract:  基板3は、樹脂を含有する絶縁層と導体配線層312とが交互に積層され、各導体配線層312が絶縁層のビアホールに形成された導体層で接続されてなるビルドアップ層を有する。導体配線層312のうち基板最表面側に配置される導体配線層312Dは、信号線配置エリアAに形成され、所定の方向に延在する複数本の信号線312D1を有する。信号線312D1が配置された信号線配置エリアAの信号線312D1と略平行方向の線膨張係数であり、レーザスペックル法で測定された線膨張係数をαsig-x、略直交方向の線膨張係数であり、レーザスペックル法で測定された線膨張係数をαsig-yとした場合、下記の式で表される線膨張係数の信号線方向依存率が25以下である。 線膨張係数の信号線方向依存率=(|αsig-y-αsig-x|/αsig-x)×100

    Abstract translation: 基板(3)具有堆积层,其中包含树脂和导体布线层(312)的绝缘层与通过形成在通孔中的导体层连接的每个导体布线层(312)交替层叠, 绝缘层。 配置在导体配线层(312)中的基板的最表面侧的导体布线层(312D)具有形成在信号线配置区域(A)中并沿预定方向延伸的多条信号线(312D1)。 在信号线(312D1)的信号线配置区域(A)中,在大致平行于信号线(312D1)的方向上表现线性膨胀系数的情况下,以激光散斑法 ,通过激光散斑法测定的大致正交方向的线膨胀系数,如下式所示,线性膨胀系数的信号线方向的相关率为25以下。 线膨胀系数的信号线方向的依赖比=(| asig-y-asig-x | / asig-x)×100。

    基板又は電子部品の反り解析方法、基板又は電子部品の反り解析システム及び基板又は電子部品の反り解析プログラム
    186.
    发明申请
    基板又は電子部品の反り解析方法、基板又は電子部品の反り解析システム及び基板又は電子部品の反り解析プログラム 审中-公开
    用于分析板或电子组件的分析方法,用于分析板或电子组件的分析的系统和用于分析板或电子组件的分析的程序

    公开(公告)号:WO2008001922A1

    公开(公告)日:2008-01-03

    申请号:PCT/JP2007/063188

    申请日:2007-06-25

    Inventor: 平田一郎

    Abstract: この基板の反り解析方法は、基板及び基板に実装する各種部品を含む電子部品の少なくとも形状と弾性定数を含むモデルデータに基づいた基板の反り算出において、電子部品に対する温度と時間の関係を表した温度プロファイルを所定時間で分割し、分割時間に対応する電子部品の緩和弾性率を、温度と時間の換算則に基づいて基準温度について合成された電子部品に関するマスターカーブの時間軸上でシフトさせることによって取得し、シフト後の時間と実際に印加されている温度との関係に基づいて電子部品に関する硬化度を算出し、算出した硬化度の値に応じ、硬化度に対応する前記マスターカーブ上の緩和弾性率、又は硬化度と弾性定数との関係に基づいて算出した緩和弾性率に基づいて、電子部品の反りを解析する処理を含む。

    Abstract translation: 该板翘曲分析方法包括以下处理步骤:基于至少包括形状和弹性的模型数据来计算指示电子部件的温度和时间之间的关系的温度分布规定时间段 板或电子部件的常数,包括组装在板上的各种部件,通过相对于基于标准温度的合成的电子部件在主曲线的时间轴上移动相应于分割时间段的弛豫模量,获得松弛模量 根据温度和时间之间的转换规则,基于移动后的时间与施加的温度之间的关系计算相对于电子部件的硬化程度,并且基于主曲线上的松弛模量来分析电子部件的翘曲对应 达到硬化程度或相关程度之间的关系 根据计算硬度的程度计算弹性常数。

    WARPAGE CONTROL WITH INTERMEDIATE MATERIAL
    190.
    发明申请
    WARPAGE CONTROL WITH INTERMEDIATE MATERIAL 审中-公开
    用中间材料进行温控

    公开(公告)号:WO2016020389A1

    公开(公告)日:2016-02-11

    申请号:PCT/EP2015/067970

    申请日:2015-08-04

    Abstract: A mounting device (100) for mounting electronic components, wherein the mounting device (100) comprises an electrically conductive structure (102) having a first value of thermal expansion in at least one pre-defined spatial direction, an electrically insulating structure (104) having a second value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction being different from, in particular smaller than,the first value and being arranged on the electrically conductive structure (102), and a thermal expansion adjustment structure (106), in particular in and/or on the electrically conductive structure (102), having a third value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction, wherein the third value is selected and the thermal expansion adjustment structure (106) is located so that thermally induced warpage of the mounting device (100) resulting from a difference between the first value and the second value is at least partially compensated by the thermal expansion adjustment structure (106).

    Abstract translation: 一种用于安装电子部件的安装装置(100),其中所述安装装置(100)包括在至少一个预定空间方向上具有第一热膨胀值的导电结构(102),电绝缘结构(104) 具有在所述至少一个预定空间方向上的第二热膨胀值特别小于所述第一值,并且布置在所述导电结构(102)上,以及热膨胀调节结构(106) ,特别是在导电结构(102)中和/或导电结构(102)上,具有在至少一个预定空间方向上的热膨胀的第三值,其中选择第三值,热膨胀调节结构(106) 定位成使得由第一值和第二值之间的差异导致的安装装置(100)的热诱导翘曲至少部分地被第 皮肤膨胀调整结构(106)。

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