Abstract:
Various semiconductor chip package substrates with reinforcement and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a package substrate that has a first side and a second side opposite to the first side. The first side has a central area adapted to receive a semiconductor chip. A solder reinforcement structure is formed on the first side of the package substrate outside of the central area to resist bending of the package substrate.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente (2), ein Verbindungselement (3), das zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest eine erste Phase (31) aufweist, wobei die erste Phase (31) Silber (Me5) und mindestens vier weitere Metalle (Me1, Me2, Me3, Me4) aufweist, wobei die Metalle voneinander verschieden sind und geeignet sind, bei einer Verarbeitungstemperatur von kleiner 200 °C zu reagieren, so dass ein thermomechanisch stabiles Verbindungselement (3) erzeugt ist. Das Verbindungselement (3) kann auch eine zweite Phase (32) aufweisen, die mit der ersten Phase (31) als Schichtsystem ausgeformt ist, wobei die zweite Phase (32) Silber und mindestens zwei weitere Metalle aufweist, die auch in der ersten Phase (31) vorhanden sind, wobei der Anteil (c15) an Silber in der ersten Phase (31) größer als der Anteil (c25) an Silber in der jeweiligen zweiten Phase (32) ist. Me1 kann Nickel, Platin oder Palladium sein, Me2 kann Indium sein, Me3 kann Zinn sein und Me4 kann Gold sein. Die zweite Komponente (2) kann eine lichtemittierende Leuchtdiode (kurz LED) umfassen. Im Verfahren zur Herstellung des Bauelements (100) werden Schichten aus den Metallen (Me1-Me5) auf die erste und/oder zweite Komponente (1, 2) aufgebracht und auf maximal 200 °C zur Ausbildung des Verbindungselements (3) geheizt.
Abstract:
Vorrichtung (100) zum elektrischen Verbinden von Komponenten, die mindestens eine elektrisch isolierende Schichtstruktur (102), mindestens eine elektrisch leitfähige Schichtstruktur (104), die mit der mindestens einen elektrisch isolierenden Schichtstruktur (102) unter Bildung eines Schichtenstapels gestapelt und verfestigt ist, und eine Schichtstrukturen (102, 104) des Schichtenstapels zumindest teilweise durchziehende Verwerfungsstabilisierungsstruktur (106) zum Verwerfungsunterdrückenden Stabilisieren der Vorrichtung (100) aufweist.
Abstract:
A mounting device (100) for mounting electronic components, wherein the mounting device (100) comprises an electrically conductive structure (102) having a first value of thermal expansion in at least one pre-defined spatial direction, an electrically insulating structure (104) having a second value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction being different from, in particular smaller than,the first value and being arranged on the electrically conductive structure (102), and a thermal expansion adjustment structure (106), in particular in and/or on the electrically conductive structure (102), having a third value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction, wherein the third value is selected and the thermal expansion adjustment structure (106) is located so that thermally induced warpage of the mounting device (100) resulting from a difference between the first value and the second value is at least partially compensated by the thermal expansion adjustment structure (106).