公开(公告)号：KR20100095392A

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR20100015018

申请日：2010-02-19

Applicant: HOYA CORP

Inventor： FUKUMOTO TOMONORI ,  MIYOSHI MASAYUKI

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G03F1/144 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi gray scale photo mask and a method for manufacturing a semiconductor transistor are provided to suppress a dark defect by preventing the de-lamination of a resist pattern. CONSTITUTION: A semi-transmitting layer(102) and a shielding layer(103) are successively formed on a transmitting substrate(101). A mask blank with a first resist layer is formed on the uppermost layer. A pattern is drawn and developed on the first resist layer. A transmitting unit(111) is formed with the first resist pattern and the shielding layer pattern. A second resist layer is formed to cover the substrate by removing the first resist pattern. A pattern is drawn and developed on the second resist layer and a second resist pattern is formed. A semi-transmitting unit(112) and a shielding unit(113) are formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造多灰度光掩模的方法和制造半导体晶体管的方法，以通过防止抗蚀剂图案的去层压来抑制黑暗缺陷。 构成：半透射层（102）和屏蔽层（103）依次形成在透射基板（101）上。 在最上层形成具有第一抗蚀剂层的掩模坯料。 在第一抗蚀剂层上绘制和显影图案。 发送单元（111）形成有第一抗蚀剂图案和屏蔽层图案。 通过去除第一抗蚀剂图案，形成第二抗蚀剂层以覆盖基板。 在第二抗蚀剂层上绘制和显影图案，并形成第二抗蚀剂图案。 形成半透射单元（112）和屏蔽单元（113）。

公开(公告)号：KR20200132813A

公开(公告)日：2020-11-25

申请号：KR20200154522

申请日：2020-11-18

Applicant: HOYA CORP

Inventor： IMASHIKI NOBUHISA ,  YOSHIKAWA YUTAKA ,  SUGAWARA HIROYUKI

IPC: G03F1/26 ,  G02F1/136 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34 ,  G03F7/20 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명은, 표시장치제조용마스크의노광환경에유리하게적합하고, 미세한패턴을안정적으로전사할수 있는우수한포토마스크및 그제조방법을얻을수 있다. 투명기판상에형성된전사용패턴을구비하는포토마스크로서, 상기전사용패턴은, 직경 W1(㎛)의주 패턴과, 상기주 패턴의근방에배치된, 폭 d(㎛)의보조패턴과, 상기주 패턴및 상기보조패턴이형성되는이외의영역에배치된저투광부를갖고, 상기주 패턴및 상기보조패턴을투과하는대표파장의위상차가대략 180도이며, 직경 W1, 폭 d, 상기보조패턴의투과율 T1(%), 상기저투광부의투과율 T3(%) 및상기주 패턴의중심과상기보조패턴의폭 방향의중심과의거리 P(㎛)가소정의관계를갖는포토마스크이다.

公开(公告)号：KR20180056635A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR20187003741

申请日：2016-09-15

Applicant: HOYA CORP

Inventor： KUDO KAZUNORI

IPC: A61F2/16 ,  A61F9/007

CPC classification number: A61F2/16

Abstract: 광학부 (8) 와거기에서연장되는 1 쌍의지지부 (9a, 9b) 를갖는안내렌즈 (7) 를안내에삽입하는안내렌즈삽입기구 (1) 로서, 안내렌즈 (7) 가설치되는렌즈설치부 (6) 가형성된삽입기구본체 (2) 와, 1 쌍의지지부 (9a, 9b) 중렌즈설치부 (6) 의전방에배치되는전방지지부 (9a) 의선단부를유지하는유지부 (14) 와, 이유지부 (14) 에유지된전방지지부 (9a) 에대해광학부 (8) 를상대적으로하방으로변위시키기위해, 압출부재 (5) 에의해안내렌즈 (7) 를압출할때, 유지부 (14) 의아래를통과하도록광학부 (8) 를가이드하는가이드기구 (11c, 14a) 를구비한다.

公开(公告)号：KR20180054682A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20187010265

申请日：2016-09-08

Applicant: HOYA CORP

Inventor： MATSUMOTO ATSUSHI ,  SHISHIDO HIROAKI ,  UCHIDA TAKASHI

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/58

Abstract: 본발명에의한마스크블랭크(10)는, 차광막(4)이, 단층구조또는복수층의적층구조를갖고, 상기차광막(4)의적어도하나의층은, 전이금속및 규소를함유하고또한질소및 산소를함유하지않는재료, 또는전이금속, 규소및 질소를함유하며, 또한이하의식 (1)의조건을만족하는재료중 어느것에의해형성되고, 위상시프트막(2)이, 표층과표층이외의층을포함하며, 상기표층이외의층은, 전이금속, 규소, 질소및 산소를함유하고, 산소의함유량이 3원자% 이상이며, 또한이하의식 (A)의조건을만족하는재료로형성되어있다.

公开(公告)号：KR20180041266A

公开(公告)日：2018-04-23

申请号：KR20187010644

申请日：2011-04-08

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  SHISHIDO HIROAKI ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/26 ,  C23C14/06 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F7/2041 ,  Y10S977/755

Abstract: 파장 200㎚이하의노광광에대한천이금속, 규소및 질소를주성분으로하는재료로이루어지는광 반투광막(위상시프트막)의내광성을향상시키고, 마스크수명을개선할수 있는위상시프트마스크블랭크및 그제조방법, 및위상시프트마스크를제공한다. ArF 엑시머레이저노광광이적용되는위상시프트마스크를제작하기위해서사용되는위상시프트마스크블랭크이며, 투광성기판상에광 반투과막을구비하고, 상기광 반투과막은, 천이금속, 규소및 질소를주성분으로하는불완전질화물막으로이루어지고, 상기광 반투과막의천이금속과규소와의사이에있어서의천이금속의함유비율이 9% 미만인것을특징으로하는위상시프트마스크블랭크이다.

公开(公告)号：KR20100089786A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR20100009895

申请日：2010-02-03

Applicant: HOYA CORP

Inventor： HIWATARI TADAO

IPC: H01L21/027 ,  B23Q3/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/70908 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70933 ,  G03F9/7096

Abstract: PURPOSE: A stage cleaner, a lithography apparatus, and a substrate processing apparatus are provided to maintain the gap between a plate and a stage by blowing gas between the plate and the stage. CONSTITUTION: A plate shape member has a through hole. The through hole is formed at the center of the plate(12). A rising apparatus lifts the plate. The plate is moved to a foreign material to remove the foreign material from the stage(10) on the end of the plate. An air is blown between the plate and the stage to maintain the cap between the plate and the stage constant.

Abstract translation: 目的：提供舞台清洁器，光刻设备和衬底处理设备，以通过在板和台之间吹送气体来保持板和台之间的间隙。 构成：板状构件具有通孔。 通孔形成在板（12）的中心。 升起的装置升起板。 将板移动到异物以从板的端部上的台（10）移除异物。 在板和台之间吹入空气，以将盖保持在板和台之间恒定。

公开(公告)号：KR20200133377A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：KR20207030238

申请日：2019-03-15

Applicant: HOYA CORP

Inventor： MAEDA HITOSHI ,  NOZAWA OSAMU ,  HORIGOME YASUTAKA

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84

Abstract: 마스크블랭크(100)는, 투광성기판(1) 위에위상시프트막(2)을구비하고, 해당위상시프트막(2)이, 하층(21), 중간층(22) 및상층(23)의순으로적층된구조를포함한다. 하층(21)이질화규소계재료로형성되고, 중간층(22)이산화질화규소계재료로형성되며, 상층(23)이산화규소계재료로형성된다. 하층(21)이중간층(22) 및상층(23)보다도질소의함유량이많고,상층(23)이중간층(22) 및하층(21)보다도산소의함유량이많다. 위상시프트막(2)의전체막 두께에대한중간층(22)의막 두께의비율이 0.15 이상이며, 위상시프트막(2)의전체막 두께에대한상층(21)의막 두께의비율이 0.10 이하이다.

公开(公告)号：KR20200125586A

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：KR20207021047

申请日：2018-10-31

Applicant: HOYA CORP ,  HOYA ELECTRONICS SINGAPORE PTE LTD

Inventor： SHISHIDO HIROAKI ,  HASHIMOTO MASAHIRO ,  UCHIDA TAKASHI ,  UCHIDA MARIKO

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/38 ,  H01L21/027

Abstract: EB 결함수정을행한경우에투광성기판의표면거칠함의발생을억제할수 있고, 위상시프트막의패턴에자발성에칭이발생하는것을억제할수 있는마스크블랭크를제공한다. 투광성기판에접하는위상시프트막은최하층을포함하는 2층이상의적층구조를포함하고, 최하층이외의층은반금속원소및 비금속원소로부터선택되는 1 이상의원소와규소를포함하는재료로형성되고, 최하층은규소와질소를포함하는재료, 또는해당재료와반금속원소및 비금속원소로부터선택되는 1 이상의원소를포함하는재료로형성되고, 최하층에있어서, Si3N4 결합의존재수를, Si3N4 결합, SiaNb 결합(단, b/[a+b]

公开(公告)号：KR20180070530A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：KR20180066810

申请日：2018-06-11

Applicant: HOYA CORP ,  HOYA ELECTRONICS MALAYSIA SENDIRIAN BERHAD

Inventor： TSUBOI SEIJI ,  SAKAYA NORIYUKI

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F7/001 ,  H01L21/0337

Abstract: 위상시프트막을, 웨트에칭에의해, 위상시프트효과를충분히발휘할수 있는단면형상으로패터닝가능한위상시프트마스크블랭크및 그제조방법과위상시프트효과를충분히발휘할수 있는위상시프트막패턴을갖는위상시프트마스크의제조방법을제공한다. 위상시프트마스크블랭크(1)는, 투명기판(2) 상에금속과, 규소와, 산소및/또는질소를함유하는위상시프트막(3)이형성된구성을갖는다. 위상시프트막(3)은, 동일재료로이루어지는메인층(3a)과최표면층(3b)을갖는다. 최표면층(3b)측의메인층상부의파장 365㎚에있어서의굴절률은, 투명기판(2)측의메인층하부의파장 365㎚에있어서의굴절률보다도작다.

公开(公告)号：KR20180030471A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR20177035245

申请日：2016-08-02

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  SHISHIDO HIROAKI ,  KAJIWARA TAKENORI

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: C23C14/06 ,  G03F1/32

Abstract: ArF 노광광에대하여소정의투과율로투과하는기능과그 투과하는 ArF 노광광에대하여소정의위상차를발생시키는기능을겸비하고, ArF 내광성이높은위상시프트막을구비하는마스크블랭크를제공한다. 위상시프트막은, ArF 노광광을 2% 이상의투과율로투과시키는기능과, 그투과하는 ArF 노광광에대하여 150도이상 180도이하의위상차를발생시키는기능을가지고, 기판측으로부터하층과상층이적층되고, 하층은, 규소, 또는규소에산소이외의비금속원소및 반금속원소에서선택되는 1 이상의원소를함유해서형성되고, 표층이외의상층은, 규소및 질소, 또는이들에산소를제외한비금속원소및 반금속원소에서선택되는 1 이상의원소를함유하는재료로형성되고, 하층은, 굴절률(n)이 1.8 미만이고또한소쇠계수(k)가 2.0 이상이고, 상층은, 굴절률(n)이 2.3 이상이고또한소쇠계수(k)가 1.0 이하이며, 상층은하층보다도두껍다.

Abstract translation: 本发明提供一种掩模基板，其具备以规定的透射率透过ArF曝光光，并对所透射的ArF曝光光产生规定的相位差，同时具有高的ArF耐光性的相移膜。 相移膜以2％或更高的透射率透射ArF曝光光线，并为所透射的ArF曝光光线产生150度和180度之间的相位差。 下层和上层从基材开始层压。 下层由硅或硅和含有一种或多种选自非金属元素（不包括氧和准金属元素）的元素的材料形成。 除了表面层以外的上层由硅和氮或硅，氮和包含选自非氧化物和类金属元素的非金属元素中的一种或多种元素的材料形成。 下层具有小于1.8的折射率n和不小于2.0的消光系数k。 上层具有不小于2.3的折射率n和不大于1.0的消光系数k。 上层比下层厚。