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公开(公告)号：CN113424292B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080010820.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 公开了一种包括用于逐层成像3D样品的多束粒子显微镜和具有多层架构的计算机系统的系统。当不同处理系统之间的数据交换和/或源自不同检测通道的数据发生时，多层架构允许通过逐渐降低并行处理速度的量来优化图像处理。此外，公开了一种用于逐层成像3D样品的方法，以及具有用于实行所公开的方法的程序代码的计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN111477530B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911363126.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 本发明披露了一种利用多束粒子显微镜对3D样本成像的快速方法。该方法包括以下步骤：提供该3D样本的层；确定包括在所述层中的特征的特征大小；基于所述层中的所确定的特征大小来确定像素大小；基于所确定的像素大小来确定所述层中的各个束之间的束间距大小；以及基于所确定的像素大小并且基于所确定的束间距大小，利用该多束粒子显微镜的设置对该3D样本的所述层成像。
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公开(公告)号：CN115244645A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018794.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 提供了多射束带电粒子显微镜的多射束光栅单元——诸如多射束生成单元、多射束偏转单元——的某些改进。改进包括多射束光栅单元的设计、制造和调整，包括特定形状和尺寸的孔。改进能够以更高的精度生成多射束生成和多射束偏转或消像散。这些改进与多射束带电粒子显微镜的常规应用相关，例如其中需要高可靠性和高再现性以及低机器对机器的偏差的半导体检验和审查中。
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公开(公告)号：CN113424292A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080010820.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 公开了一种包括用于逐层成像3D样品的多束粒子显微镜和具有多层架构的计算机系统的系统。当不同处理系统之间的数据交换和/或源自不同检测通道的数据发生时，多层架构允许通过逐渐降低并行处理速度的量来优化图像处理。此外，公开了一种用于逐层成像3D样品的方法，以及具有用于实行所公开的方法的程序代码的计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN112740356B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980061835.9
申请日：2019-07-22
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/28 , G06T3/4038
Abstract: 本发明涉及一种在借助多射束粒子显微镜将物体成像期间调节检测器的方法。根据本发明的第一实施例，基于单独图像来进行调节，并且根据第二实施例，基于重叠区域来进行调节。对于检测器调节本身，使用对比度值和/或亮度值，并且可以采用迭代方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113939892B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080042737.3
申请日：2020-05-20
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 本发明说明揭露具有多束粒子源的粒子束系统，其配置成产生多个带电单独粒子束，并且具有用于在方位角方向上偏转单独粒子束的磁多偏转器阵列。磁多偏转器阵列在此包括具有多个开口的磁导多孔径板，其排列在粒子束的光束路径中，使得单独粒子束实质地穿过多孔径板的开口。该磁多偏转器阵列额外包括具有单独开口的磁导孔径板，其排列在粒子束的光路中，使得单独粒子束实质地穿过第一孔径板。此外，多孔径板和第一孔径板彼此连接，使得两个板之间形成一空腔。用于产生磁场的第一线圈排列在第一孔径板和多孔径板之间的空腔中，使得多个单独粒子束实质地穿过线圈。
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公开(公告)号：CN115917699A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180041139.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/073 , H01J37/28 , H01J37/04
Abstract: 本发明揭露一种具多源系统的粒子束系统。该多源系统包含电子发射器阵列，其作为一粒子多源。在此多源系统中，各种发射器的非均质发射特性借助于粒子光学部件(其可藉助MEMS技术生产)，为了后续粒子光学成像而校正或预校正。个别粒子束的射束电流可在该多源系统中调整。
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公开(公告)号：CN114730685A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080081375.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/26
Abstract: 本发明包含一方法、一微粒多束显微镜和一半导体结构，以通过微粒多束显微镜的多个微粒束对半导体样品进行充电，并进行高分辨率的电压对比成像，无需切换微粒多束显微镜或移动半导体样品。在这种情况下，由各自具有低的微粒电流的所选微粒束的总和所形成的相加总电流在半导体结构中产生电荷并因此产生电压差。
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公开(公告)号：CN114503237A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080054165.0
申请日：2020-05-23
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种粒子束系统，特别是一种多束粒子显微镜，其中可在不改变结构的情况下灵活并在较大数值范围内设定单独粒子束的电流强度。在此，根据本发明的粒子束系统包括聚光透镜系统、具有特定前反电极和前多孔径板的前多透镜阵列以及多透镜阵列。该系统包括控制器，其设置成向聚光透镜系统和前反电极提供可调节的激发，使得带电粒子能够以远心方式入射在前多孔径板上。
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公开(公告)号：CN113169017A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980064424.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法，该方法包括：生成多个粒子束，使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件；将这些粒子束聚焦在预定平面中；确定用于这些多极元件的偏转元件的激励；使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件；以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励，并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件；其中，该修改包括向所确定的激励添加校正激励，其中，这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。
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