公开(公告)号：KR100579148B1

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020030046847

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D11/138 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명은, 저증기압 원료를 사용한 CVD법에 의한 성막에 있어서도, 캐리어 가스중의 소스 가스의 농도를 고정밀도로 또한 신속하게 조정할 수 있는, CVD 성막 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은, 성막실에 성막용 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급 장치를 구비한 성막 장치로서, 상기 원료 공급 장치는, 소스 가스를 반송하는 캐리어 가스중의 상기 소스 가스의 농도를 측정하는 농도 측정 수단과, 상기 소스 가스의 측정 농도에 기초하여, 상기 캐리어 가스에 부가하는 불활성 가스의 유량을 증감하는 불활성 가스 유량 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 불활성 가스의 유량을 증감함으로써, 간단하고 또한 신속하게 소스 가스의 농도를 제어할 수 있다.

公开(公告)号：KR100479283B1

公开(公告)日：2005-03-28

申请号：KR1020027009180

申请日：2001-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  다치바나미츠히로 ,  오쿠보가즈야 ,  스즈키겐지 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 원료 가스를 기부 배리어 막(3)에 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나가 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 원료 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 원료 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 원료 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.

公开(公告)号：KR1020040005702A

公开(公告)日：2004-01-16

申请号：KR1020030046847

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D11/138 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: PURPOSE: A film-formation apparatus, a source supplying apparatus therefor, and a gas concentration measuring method are provided to monitor and control the source gas concentration by using an infrared spectrometer. CONSTITUTION: A film-formation apparatus includes a film-formation chamber and a source gas supplying apparatus for supplying a source gas to the film-formation chamber together with a carrier gas. The source gas supplying apparatus includes a concentration detector for detecting a concentration of the source gas and a gas flow controller for controlling a flow rate of an inert gas added to the carrier gas based on a result of measurement of the concentration of the source gas obtained by the concentration detector.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，其源供给装置和气体浓度测量方法，以通过使用红外光谱仪监测和控制源气体浓度。 构成：成膜装置包括成膜室和用于将气体与载气一起供给到成膜室的源气体供给装置。 源气体供给装置包括用于检测源气体的浓度的浓度检​​测器和用于控制添加到载气中的惰性气体的流量的气体流量控制器，其基于获得的源气体的浓度的测量结果 通过浓度检测器。

公开(公告)号：KR1020030061851A

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：KR1020037007935

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 박막이 웨이퍼의 처리면에 증착되고 웨이퍼가 처리실의 외부로 분출된 후에, 클램프의 접촉 돌출부가 서섭터와 접촉하여 클램프를 가열한다. 그 후에, 박막이 증착되지 않은 웨이퍼가 반입될 때 클램프를 상승시키는 것에 의해서 웨이퍼가 서셉터상에 배치된다. 그 후에, 클램프는 웨이퍼와 접촉하게 되고 웨이퍼는 소정 온도로 안정화된다. 그 후에, 웨이퍼의 처리면에 박막이 증착된다.

Abstract translation: 在薄片沉积在晶片的处理表面上并且晶片从处理室移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，在没有沉积薄膜的晶片被输入时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。之后，使夹具与晶片接触，并且晶片稳定至预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。

公开(公告)号：KR100371724B1

公开(公告)日：2003-03-17

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

Abstract: The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.

Abstract translation: 本发明提供用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的腔室，用于在其上安装半导体晶片W的基座，用于将气化的Al原材料引入到腔室中的Al原材料供应系统和用于放置半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 通过重复一系列步骤来形成Al / Cu多层膜，该一系列步骤包括：将Al原料气体引入腔室中，通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Al膜，随后在腔室中产生等离子体 引入Cu原料气体并通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Cu膜。 对如此获得的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），从而形成所需的Al / Cu多层膜。

公开(公告)号：KR1020000029332A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A producing method of a semiconductor is provided to remove a sub generated object generated from WF6 and NH3 gas by washing on the spot and keeping a filming chamber unit at a proper temperature that the sub generated object is not remained. CONSTITUTION: A method for producing a semiconductor includes a process for contacting a first material gas including a tungsten atom to a processed body and not contacting a second material gas including a nitride atom to the processed body and a filming process for producing the semiconductor device by forming a nitride tungsten film in the processed body using the first and second raw material gas. Herein, the process pressure of the processed body in the process is 0.1 to 20 Torr, and the temperature of the processed body is 300 to 500°C. Thereby, the nitride tungsten film is prevented from being peeled off from a lower layer on a heat process after filming.

Abstract translation: 目的：提供半导体的制造方法，通过现场清洗和将成膜室单元保持在不产生副生成物体的适当温度下，除去由WF6和NH3气体产生的副生成物。 构成：一种制造半导体的方法包括使包含钨原子的第一材料气体与加工体接触并且不与包含氮化物原子的第二材料气体接触到加工体的方法，以及通过以下步骤制造半导体器件的成膜方法： 使用第一和第二原料气体在加工体中形成氮化钨膜。 这里，处理体的处理压力为0.1〜20托，加工体的温度为300〜500℃。 由此，能够防止氮化钨膜在成膜后的热处理中从下层剥离。

公开(公告)号：KR101361984B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020127000467

申请日：2010-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4405 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리 용기 내에 기판이 존재하지 않는 상태에서 처리 용기 내를 Cl 및 F의 적어도 한쪽을 포함하는 가스에 노출시키는 전처리 공정(공정 1)과, 처리 용기 내에 기판을 반입하는 공정(공정 2)과, 상기 기판이 반입된 처리 용기 내에, 기체 상태의 Ge원료와 기체 상태의 Sb원료와 기체 상태의 Te원료를 도입하여 CVD에 의해 기판상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 로 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 공정(공정 3)을 갖는다.

公开(公告)号：KR101197817B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020107021022

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O계 막의 성막 방법은 처리용기내에 Ru막이 형성된 기판을 배치하고, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 상기 처리용기내에 도입해서 Ru막 상에 두께 10㎚ 이하의 제 1 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막의 위에, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 처리용기내에 도입하고 그 위에 제 2 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 2 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101178663B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020077005723

申请日：2005-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코 ,  루진크게릿제이 ,  맥필리펜튼알 ,  제미슨폴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: 본 발명은 산소-함유 분위기로의 후속 노출 동안 하지 금속층의 특성 및 모폴로지를 보존하는 패시배이팅된 금속층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 방법은 프로세스 챔버(1)에 기판(50, 302, 403, 510)을 설치하는 단계, 화학적 기상 증착 프로세스로 상기 기판(50, 302, 403, 510) 상에 레늄 금속층(304, 408, 508)을 적층하기 위하여, 상기 기판(50, 302, 403, 510)을 레늄-카르보닐 전구체를 포함하는 프로세스 가스에 노출시키는 단계; 및 상기 레늄 금속 표면 상의 레늄-함유 노듈들(306)의 산소 유발된 성장을 금지하기 위하여, 상기 레늄 금속층(304, 408, 580) 상에 패시배이션층(414, 590)을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120091397A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020127016796

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다. 또한, 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.