公开(公告)号：KR101444527B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020120084458

申请日：2012-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28

Abstract: SiCOH막으로 이루어지는 층간 절연막에 형성된 매립용의 오목부에 동재를 매설해서 도전로를 형성함에 있어서, 도전로의 저항을 낮게 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, SiCOH막에 플라즈마에 의해 오목부를 형성하면 표면이 소수성이 되며, 이 SiCOH막에 수소 가스의 리모트 플라즈마를 공급하고, H 래디컬 및 H 이온에 의해 오목부의 표면을 친수성으로 개질한다. 또, 플라즈마 대신에 과산화수소수를 공급해도 좋고, 이 경우, 표면에 OH기가 형성된다. 이어서, 예를 들면, Ru
3 (CO)
12 가스와 CO 가스를 이용하여 CVD에 의해 Ru막(4)을 성막하고, 그 후, 동재(5)를 매립하며, CMP 처리를 하여 상층측의 배선 구조를 형성한다. 또, 개질에 있어서, 글라임, DMEDA 등을 이용해도 좋다.

Abstract translation: 作为根据埋在形成在SiCOH膜形成的导电路径的形成的层间绝缘膜的嵌入的凹部的东斋，提供了一种制造半导体器件，以降低所述导电路径的电阻的方法。 在半导体装置的制造方法中，通过在SiCOH膜表面上的等离子形成的凹部是疏水的，至SiCOH膜和供给氢气的远程等离子体，H自由基和亲水性以通过H +离子的凹部表面 它被修改。 此外，过氧化氢也可以代替等离子体的供电，在这种情况下，在表面上形成的OH基团。 然后，例如，Ru

公开(公告)号：KR1020140020203A

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention provides a method for forming Cu wiring capable of obtaining the Cu wiring having electromigration tolerance without generating void and without complex processes or the increase of leakage current between wiring. The present invention comprises the process of forming a barrier film at the front surface of a wafer W having a trench; the process of forming a Ru film on the barrier film; the process of embedding the Cu film at the trench by forming the Cu film with PVD on the Ru film; the process of forming an additional layer on the Cu layer; the process of forming the Cu wiring on the trench by polishing the front surface with CMP; the process of forming a metal cap composed with a manganese oxide film at the front surface of the wafer W; and the process of forming a dielectric cap on the metal cap.

Abstract translation: 本发明提供一种形成Cu布线的方法，其能够获得具有电迁移公差的Cu布线，而不会产生空隙并且没有复杂的工艺或布线之间的漏电流的增加。 本发明包括在具有沟槽的晶片W的前表面形成阻挡膜的工艺; 在阻挡膜上形成Ru膜的过程; 通过在Ru膜上形成具有PVD的Cu膜将Cu膜嵌入沟槽的过程; 在Cu层上形成附加层的工艺; 通过用CMP抛光前表面在沟槽上形成Cu布线的过程; 在晶片W的前表面形成由氧化锰膜构成的金属盖的工序; 以及在金属盖上形成电介质盖的工艺。

公开(公告)号：KR101359070B1

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：KR1020117020855

申请日：2010-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시 ,  야스무로치아키

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도보다 높은 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101291982B1

公开(公告)日：2013-08-09

申请号：KR1020117002995

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오

IPC: B01D53/62 ,  B01D53/64 ,  C23C16/44 ,  H01L21/28

CPC classification number: F27D17/004 ,  B01D53/005 ,  B01D53/04 ,  B01D53/75 ,  B01D53/864 ,  B01D53/8668 ,  B01D53/869 ,  B01D2251/102 ,  B01D2255/20 ,  B01D2255/2045 ,  B01D2255/2047 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 금속 회수장치(66)는 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료가스를 이용해서 피처리체의 표면에 박막을 형성하는 처리용기(10)로부터 배출되는 배기가스 중에서, 금속성분을 회수하여 배기가스를 제해한다. 금속 회수장치는 상기 배기가스를 가열해서 배기가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스를 열분해시켜 원료가스 중에 포함되어 있는 금속성분을 부착시키는 포집부재를 갖는 포집유닛(80)과, 포집유닛을 통과한 배기가스 중에 포함되는 유해한 가스 성분을 산화시켜 제거하는 촉매(100)를 갖는 제해유닛(82)을 구비한다.

公开(公告)号：KR101291821B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020117021177

申请日：2010-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카라 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  요코야마오사무

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101281863B1

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020060124784

申请日：2006-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/02

Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기판을 전달 공간으로부터 진공 격리된 공정 공간 내에 배치하고, 전달 공간으로부터의 진공 격리를 유지하면서 공정 공간 내의 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판을 처리하고, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 구비하는 제1 어셈블리, 제1 어셈블리에 결합되어, 기판을 상기 증착 시스템의 내외로 운반하도록 되어 있는 전달 공간을 구비하는 제2 어셈블리, 제2 어셈블리에 접속되며, 상기 기판을 지지하고 상기 공정 공간 내의 제1 위치로부터 상기 공정 공간 내의 제2 위치로 병진 이동시키도록 구성된 기판 스테이지를 포함한다. 이러한 시스템은 공정 공간 내에서 기판의 병진 이동 중에 공정 공간과 전달 공간 사이의 가스 유동을 억제하도록 구성된 시일을 갖는 실링 어셈블리를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130016094A

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：KR1020120084458

申请日：2012-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce resistance of a conductive line by forming the conductive line by filling a recess part formed in an insulating layer with copper. CONSTITUTION: An insulating layer(1) is formed on a substrate. The insulating layer includes carbon, hydrogen, and oxygen. A buried recess part(2) is formed in the bottom part of the insulating layer. A lower conductive line is exposed to the recess part. Plasma is supplied to the surface of the recess part for hydrophilicity. [Reference numerals] (AA) Pretreatment + reduction treatment + hydrophilic modification

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，用于通过用形成在绝缘层中的凹陷部分填充铜来形成导电线来降低导电线的电阻。 构成：在基板上形成绝缘层（1）。 绝缘层包括碳，氢和氧。 在绝缘层的底部形成掩埋的凹部（2）。 下导电线暴露于凹部。 将等离子体供给到凹部的表面以进行亲水化。 （附图标记）（AA）预处理+还原处理+亲水性改性

公开(公告)号：KR1020110124304A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020117021177

申请日：2010-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카라 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  요코야마오사무

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110014185A

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：KR1020107027538

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노타츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 처리 용기 내에서 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 용기 내에 설치되어 상기 피처리체를 배치하는 배치대 구조에 있어서, 그 상면인 배치면에 상기 피처리체를 배치하기 위한 배치대와, 상기 배치대 내에 설치된, 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부를 향해 공급하기 위한 분해 억제 가스 공급 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 배치대 구조이다.

公开(公告)号：KR1020100071979A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020107005339

申请日：2008-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시 ,  야마모토가오루

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: Provided is a substrate placing mechanism whereupon a substrate to be processed is placed. The substrate placing mechanism is provided with a heater plate (21), which has a surface (21a) whereupon a substrate to be processed is placed and has a heating body (21b) embedded therein for heating the substrate to a film forming temperature where a film is deposited. The substrate placing mechanism is also provided with a temperature adjustment jacket (22), which is formed to cover at least a surface of the heater plate (21) other than the surface of the substrate placing surface (21a) and adjusts the temperature to be a non film forming temperature below the film forming temperature.

Abstract translation: 提供了一种基板放置机构，由此放置待处理的基板。 基板放置机构设置有加热板（21），该加热板具有表面（21a），其中放置有待加工的基板，并且具有嵌入其中的加热体（21b），用于将基板加热到成膜温度，其中 电影被存放。 衬底放置机构还设置有温度调节护套（22），其形成为覆盖加热器板（21）的除了衬底放置表面（21a）的表面之外的至少一个表面，并将温度调节为 非成膜温度低于成膜温度。