公开(公告)号：KR100980519B1

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020077029248

申请日：2006-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타오사무

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명은 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 공간과, 기판이 위치되어 플라즈마 처리되는 처리 공간을 구비하는 처리 용기와, 처리 용기 내의 플라즈마 생성 공간과 처리 공간을 분리하기 위해 처리 용기 내에 배치된 가스 공급 플레이트와, 처리 가스를 처리 공간 내로 공급하기 위해 가스 공급 플레이트에 마련된 처리 가스 공급 구멍과, 플라즈마 생성 공간과 처리 공간을 연통시키기 위해 가스 공급 플레이트에 마련된 복수의 개구와, 가스 공급 플레이트의 중심 영역으로부터 가스 공급 플레이트의 주변 영역까지 연장되며, 가스 공급 플레이트를 형성하는 재료의 열전달율보다 높은 열전달율을 갖는 열전달 부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR100782623B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020057006152

申请日：2003-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타오사무

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458

Abstract: 본 발명은 유전체판 지지부와 금속제 용기의 손상을 최소한으로 억제하는 동시에, 플라즈마 처리 효율의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 있어서는, 유전체판과 처리 용기와의 대향 영역에 수지층을 배치하고 있다. 이로써, 유전체판과 금속제의 처리 용기와의 열팽창율의 차로 인해 발생하는 파티클, 손상을 억제할 수 있다. 또한, 유전체판의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 억제되어, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020060085943A

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020067008709

申请日：2004-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。 在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。 处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A） 以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。 冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。

公开(公告)号：KR1020050047136A

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：KR1020057006152

申请日：2003-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타오사무

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458

Abstract: Damage to a dielectric plate supporting unit and a metal vessel is kept to a minimum and the efficiency of plasma processing is improved. A resin layer is provided in a region where a dielectric plate and a processing vessel face each other. With this structure, particles and damage attributed to the difference of thermal expansion coefficients between the dielectric plate and the process vessel can be suppressed. In addition, local discharges at electric field boundaries such as edge portions of the dielectric plate are suppressed, thereby improving the efficiency of plasma processing such as formation of an oxide film.

Abstract translation: 将电介质板支撑单元和金属容器的损坏保持最小，并且提高等离子体处理的效率。 在电介质板和处理容器彼此面对的区域中设置有树脂层。 利用这种结构，可以抑制归因于电介质板和处理容器之间的热膨胀系数差异的颗粒和损伤。 此外，电介质板的边缘部分等电场边界的局部放电被抑制，从而提高诸如形成氧化膜的等离子体处理的效率。

公开(公告)号：KR1020140004761A

公开(公告)日：2014-01-13

申请号：KR1020137024690

申请日：2012-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노유지 ,  하야시테루유키 ,  구와다히로타카 ,  모리타오사무

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  H01L51/5076 ,  H01L2251/5346 ,  H01L51/56 ,  H01L21/203 ,  H01L51/0002

Abstract: 원하는 공증착을 행할 수 있는 성막 장치, 성막 방법, 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자를 제공한다. 성막 장치의 성막 헤드는 유기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 유기 성막 재료 공급부(4)와, 무기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 무기 성막 재료 공급부(5)를 구비한다. 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)는 수평 방향 및 수직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 분출구(41a, 51a)로부터 분출되는 유기 재료, 무기 재료의 혼합 비율이 두께 방향으로 상이한 상태로 성막되도록, 배치가 제어된다.

公开(公告)号：KR101304408B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020120043187

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 유전체 부재, 마이크로파를 도입하는 수단, 인젝터 및 전계 차폐부를 구비하고 있다. 처리 용기는 그 내부에 처리 공간을 구획하여 형성한다. 스테이지는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 유전체 부재는 스테이지에 대면하도록 설치되어 있다. 마이크로파를 도입하는 수단은, 유전체 부재를 개재하여 처리 공간 내에 마이크로파를 도입한다. 인젝터는 유전체제이며, 하나 이상의 관통홀을 가진다. 인젝터는, 예를 들면 벌크 유전체 재료로 구성된다. 이 인젝터는 하나 이상의 관통홀을 가지고, 유전체 부재의 내부에 배치된다. 인젝터는, 유전체 부재에 형성된 관통홀과 함께 처리 공간으로 처리 가스를 공급하기 위한 경로를 구획하여 형성한다. 전계 차폐부는 인젝터의 주위를 덮는다.

公开(公告)号：KR1020130006351A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120073543

申请日：2012-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시카와쥰 ,  모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: PURPOSE: An antenna, a dielectric window, a plasma treatment device and a plasma treatment method are provided to modify a protection layer by detecting the energy line like energy beam from the protection layer. CONSTITUTION: An antenna comprises a dielectric window(16), and a slot plate(20) installed at one direction of the dielectric window. Another side of the dielectric window comprises a planation surface surrounded a first depressed portion of illusion. Another side of the dielectric window comprises several second depressed portion formed inside a planation surface to surround center location of the planation surface. Each center location of a second depressed portion is overlapped inside several slots at the slot plate in the vertical direction of the main surface of the slot plate. [Reference numerals] (10) Exhaust device; (100) Gas supply source; (AA) Other element; (BB) Controller; (CC) Power supply

Abstract translation: 目的：提供天线，电介质窗，等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过检测来自保护层的能量束的能量线来修改保护层。 构成：天线包括电介质窗（16）和安装在电介质窗的一个方向上的槽板（20）。 电介质窗口的另一侧包括围绕着错觉的第一凹陷部分的平面表面。 电介质窗口的另一侧包括形成在平面表面内部以围绕平面表面的中心位置的多个第二凹陷部分。 第二凹陷部的每个中心位置在槽板的主表面的垂直方向上在槽板的多个槽内重叠。 （附图标记）（10）排气装置; （100）气源; （AA）其他要素; （BB）控制器; （CC）电源

公开(公告)号：KR100876692B1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：KR1020067015082

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: In a substrate processing apparatus for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device, a mist passage ( 5 ) is formed to pass through a part of a processing vessel ( 2 ) as an object to be cooled. There are disposed a mist generator ( 64 ) that generates a mist, and a gas supply source ( 62 ) that supplies a carrier gas for carrying the generated mist. A temperature of the part to be cooled is detected by a temperature sensor ( 49 ). When the detected temperature exceeds a predetermined temperature, a water mist, for example, is allowed to flow into the mist passage so as to cool the processing vessel by a heat of evaporation of the mist. Thus, the temperature of the processing vessel can be promptly lowered, and thus a plasma process can be performed under an atmosphere of a stable temperature.

Abstract translation: 在用于处理用于制造半导体器件的基板的基板处理设备中，雾通道（5）形成为穿过作为待冷却对象的处理容器（2）的一部分。 配置有产生雾的雾发生器（64）以及供应用于运送产生的雾的载气的气体供应源（62）。 待冷却部件的温度由温度传感器（49）检测。 当检测到的温度超过预定温度时，允许例如水雾流入雾通道，从而通过雾的蒸发热来冷却处理容器。 由此，能够迅速降低处理容器的温度，能够在稳定的温度的气氛下进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR100762052B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020067008709

申请日：2004-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 가스 공급부의 냉각 효율을 향상시켜, 당해 처리 가스 공급부의 온도 상승을 억제하는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 유지대(13) 상의 피처리 기판(12)과 마이크로파 안테나(25) 사이에 처리 가스 공급부(30)가 마련되어 있다. 상기 처리 가스 공급부(30)는, 처리 용기(11) 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1 개구부(32)와, 처리 가스 통로(34)에 연통한 복수의 제 2 개구부(34A)와, 미스트(mist)를 포함한 냉각 매체가 흐르는 냉각 매체 통로(33)를 구비하고 있다. 냉각 매체 통로에는 냉각 매체 순환 장치가 접속되어도 좋다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制处理气体供给部的温度上升。

公开(公告)号：KR1020070086378A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077013776

申请日：2003-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타오사무

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458

Abstract: Damage to a dielectric plate supporting unit and a metal vessel is kept to a minimum and the efficiency of plasma processing is improved. A resin layer is provided in a region where a dielectric plate and a processing vessel face each other. With this structure, particles and damage attributed to the difference of thermal expansion coefficients between the dielectric plate and the process vessel can be suppressed. In addition, local discharges at electric field boundaries such as edge portions of the dielectric plate are suppressed, thereby improving the efficiency of plasma processing such as formation of an oxide film.

Abstract translation: 将电介质板支撑单元和金属容器的损坏保持最小，并且提高等离子体处理的效率。 在电介质板和处理容器彼此面对的区域中设置有树脂层。 利用这种结构，可以抑制归因于电介质板和处理容器之间的热膨胀系数差异的颗粒和损伤。 此外，电介质板的边缘部分等电场边界的局部放电被抑制，从而提高诸如形成氧化膜的等离子体处理的效率。