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公开(公告)号：KR1020160134537A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160058079
申请日：2016-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은에칭방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은플라즈마처리장치의처리용기내에서, 플루오로카본가스, 및하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는제1 공정과, 처리용기내에서, 하이드로플루오로카본가스, 및질소가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는제2 공정을포함한다. 이방법에서는제1 공정및 제2 공정을각각이포함하는복수회의시퀀스가실행된다. 이방법에서는제1 공정의실행기간및 제2 공정의실행기간에걸쳐서, 연속적으로플라즈마가생성된다. 제2 공정에서는제1 공정의실행기간의직전의기간및 제1 공정의실행기간의직후의기간에서, 제2 처리가스의유량에대한수소가스의유량의비율이, 낮은비율로설정된다.
Abstract translation: 一个实施例的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器中产生含有碳氟化合物气体和氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的第一步骤，以及产生第二处理气体的等离子体的第二步骤 在处理容器中含有氢氟烃气体和氮气。 在该方法中，执行包括第一步骤和第二步骤的序列。 在第一步骤的执行周期和第二步骤的执行周期中连续生成等离子体。 在第二步骤中，将氢气的流量与第二处理气体的流量的比例设定为在第一步骤的执行期间之前的时间段和执行期间之后的时间段内 第一步。
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公开(公告)号：KR100681807B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020057012886
申请日：2004-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C01B13/11 , C01B13/10 , H01L21/302 , B01D47/05
CPC classification number: H01L21/68721 , B01D53/002 , B01D2257/106 , C01B13/10 , H01L21/6715 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 방전식 오존 발생기에 의해 생성된 O
3 가스에 수증기가 혼합된다. 혼합 유체는 냉각 수단에 의해 냉각되며, 이것에 의해 O
3 가스에 함유되어 있던 금속 및 질소 산화물 등의 불순물이 응축수 속에 융해된다. 계속해서, 기액 분리기에 의해 O
3 가스가 응축수로부터 분리된다. O
3 가스에 수증기가 재차 혼합된다. 혼합 유체는 금속 흡착재로서, 다수의 실리콘 칩을 수용한 용기로 이루어지는 금속 칩을 통과함으로써, 잔존 금속이 제거된다.-
公开(公告)号：KR1020060024331A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020057012886
申请日：2004-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C01B13/11 , C01B13/10 , H01L21/302 , B01D47/05
CPC classification number: H01L21/68721 , B01D53/002 , B01D2257/106 , C01B13/10 , H01L21/6715 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: Water vapor is mixed into an O3 gas generated by a discharge ozone generator. The mixed fluid is cooled by a cooling means, whereby impurities such as metals and nitrogen oxides contained in the O3 gas are dissolved into condensed water. Following that, the O3 gas is separated from the condensed water using a gas-liquid separator. Then, water vapor is mixed into the O 3 gas again. The resulting mixed fluid is passed through a metal trap composed of a container holding many silicon chips as a metal adsorbing material, whereby remaining metals are removed.
Abstract translation: 将水蒸汽混入由排放臭氧发生器产生的O 3气体中。 混合流体通过冷却装置冷却，由此O 3气体中所含的金属和氮氧化物等杂质溶解在冷凝水中。 之后，使用气液分离器将O 3气体与冷凝水分离。 然后再将水蒸气混入O 3气体中。 将所得混合流体通过由容纳许多硅芯片的容器组成的金属捕集器作为金属吸附材料，由此除去剩余的金属。
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公开(公告)号：KR1020160115748A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160033944
申请日：2016-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , C23C18/04 , C23C18/1619 , C23C18/1633
Abstract: 기판표면에박막의밀착층을형성한다. 기판에대하여밀착층을형성하는밀착층형성방법은, 기판(2)을회전시키면서기판(2) 상에커플링제를공급하는공정을구비한다. 기판(2)은 300 rpm 이하의저속으로회전하고, 이상태로 IPA에의해희석된커플링제가기판(2) 상에공급된다.
Abstract translation: 可以在基板的表面上形成由薄膜形成的粘附层。 在基板上形成粘合层的粘合层形成方法包括在将基板2旋转的同时将耦合剂提供到基板2上。基板2以等于或小于300rpm的低速旋转，并且用 IPA被提供到基板2上。
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公开(公告)号：KR101639628B1
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020137010818
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001
Abstract: 본발명은, 기판(2)의표면으로도금처리액을공급하여도금처리를행하는도금처리장치(1)이다. 도금처리장치(1)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지수단(25)과, 기판(2)의표면으로조성이상이한복수종류의도금처리액을공급하는복수의도금처리액공급수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터비산한도금처리액을종류마다배출하는도금처리액배출수단(31)과, 기판회전보지수단(25), 복수의도금처리액공급수단(29, 30) 및도금처리액배출수단(31)을제어하는제어수단(32)을가진다. 기판(2)을회전보지한상태인채로상이한도금처리액을기판(2)의표면으로차례로공급하여기판(2)의표면에순차적으로복수의도금처리를실시한다.
Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101637170B1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020137009122
申请日：2011-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/31 , C23C18/16 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/6723 , C23C18/1619 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C23C18/50 , H01L21/288
Abstract: 도금액의품질열화를방지할수 있는액처리장치, 액처리방법을제공하는것이다. 이액처리장치는, 복수의기판에연속하여도금처리를실시하는액처리장치로서, 도금액을수용하는온도조절용용기와, 온도조절용용기에수용된도금액의온도를제어하는온도제어부와, 기판을 1 매씩소정위치에보지하는보지부와, 온도조절용용기에수용되고온도제어된도금액을, 보지부에의해보지된기판의처리면에토출하는공급홀을가지는노즐과, 온도조절용용기에수용되고온도제어된도금액을, 노즐의공급홀을향해송출하는송출기구와, 송출기구가도금액을송출하는타이밍을제어하는공급제어부를구비하고, 온도제어부는, 송출기구가도금액을송출하는타이밍에기초하여, 온도조절용용기에수용된도금액의온도를제어하는액처리장치이다.
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公开(公告)号：KR1020140033135A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020137033422
申请日：2012-06-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05C11/1039 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32
Abstract: 도금액 중의 암모니아 성분의 농도를 일정하게 유지하여 도금액을 순환하여 사용할 수 있는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한 공급 탱크(31)에는, 암모니아 가스 저류부(170)가 접속되고, 공급 탱크(31)에 저류된 도금액(35) 중의 암모니아 성분의 농도를 목적의 농도 범위로 유지한다.
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公开(公告)号：KR1020130140126A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137019573
申请日：2012-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/31
CPC classification number: B05C5/001 , B05D1/02 , C23C18/1614 , C23C18/1619 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C25D17/001 , G03F7/162 , H01L21/288 , H01L21/67017
Abstract: 도금액을 효율적으로 가열하는 도금 처리 방법을 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한, 도금액 공급 기구(30)의 공급 탱크(31) 또는 도금액 공급관(33) 중 적어도 어느 일방에, 도금액(35)을 제 1 온도로 가열하는 제 1 가열 기구(50)가 장착되어 있다. 또한, 제 1 가열 기구(50)보다 토출 노즐(32)측에서, 도금액 공급관(33)에, 도금액(35)을 제 1 온도보다 고온인 제 2 온도로 가열하는 제 2 가열 기구(60)가 장착되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020130139912A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137009122
申请日：2011-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/31 , C23C18/16 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/6723 , C23C18/1619 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C23C18/50 , H01L21/288 , C23C16/54 , C23C18/16 , C23C18/31
Abstract: 도금액의 품질 열화를 방지할 수 있는 액처리 장치, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 제공하는 것이다. 이 액처리 장치는, 복수의 기판에 연속하여 도금 처리를 실시하는 액처리 장치로서, 도금액을 수용하는 온도 조절용 용기와, 온도 조절용 용기에 수용된 도금액의 온도를 제어하는 온도 제어부와, 기판을 1 매씩 소정 위치에 보지하는 보지부와, 온도 조절용 용기에 수용되고 온도 제어된 도금액을, 보지부에 의해 보지된 기판의 처리면에 토출하는 공급홀을 가지는 노즐과, 온도 조절용 용기에 수용되고 온도 제어된 도금액을, 노즐의 공급홀을 향해 송출하는 송출 기구와, 송출 기구가 도금액을 송출하는 타이밍을 제어하는 공급 제어부를 구비하고, 온도 제어부는, 송출 기구가 도금액을 송출하는 타이밍에 기초하여, 온도 조절용 용기에 수용된 도금액의 온도를 제어하는 액처리 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020100009467A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020090022644
申请日：2009-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C25D17/00
CPC classification number: C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76849
Abstract: PURPOSE: A supply apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method are provided to form a uniform thickness of cap metal on a wafer by preventing affects of byproducts produced in plating. CONSTITUTION: A supply apparatus comprises nozzles(144a,144b,144c,154), a temperature controller, an insulation part, and a delivery mechanism. The nozzles have supply holes for discharging plating liquid to the target surface of a wafer. The temperature controller accepts plating liquid for processing a certain amount of wafers, and controls the temperature of the plating liquid. The insulation part keeps the temperature of the plating liquid. The delivery device transfers the temperature-controlled plating liquid to the supply holes of the nozzles after the insulation part.
Abstract translation: 目的：提供一种供给装置，半导体制造装置和半导体制造方法，通过防止电镀中产生的副产物的影响，在晶片上形成均匀的盖金属厚度。 构成：供给装置包括喷嘴（144a，144b，144c，154），温度控制器，绝缘部件和输送机构。 喷嘴具有用于将电镀液体排出到晶片的目标表面的供应孔。 温度控制器接受用于处理一定量晶片的电镀液，并控制电镀液的温度。 绝缘部件保持电镀液的温度。 输送装置将温度控制的电镀液体传递到绝缘部件之后的喷嘴的供给孔。
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