公开(公告)号：KR1020060120687A

公开(公告)日：2006-11-27

申请号：KR1020067011242

申请日：2004-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시노즈카신이치 ,  와다시게키 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/677 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67745 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67253

Abstract: In a coating/development device having an inspection unit, it is possible to reduce the time required for start, reduce the cost, and improve the operation rate of the inspection unit. In the coating/development device control program, a treatment flow and an inspection flow are set so as to be executed independently of each other. In the treatment flow, a substrate is carried from a cassette station to a treatment station and treated by the treatment station and the exposure device, after which the substrate is returned to the cassette station. In the inspection flow, the substrate is carried from the cassette station to the inspection station and inspected, after which the substrate is returned to the cassette station. When starting the coating/development device, the inspection flow and the treatment flow are executed and simultaneously with this, it is possible to perform evaluation work of an inspection unit of the inspection station and adjustment work of a treatment unit of the treatment station. When the inspection station is empty, it is possible to convey the substrate from outside into the cassette station and inspect the substrate.

Abstract translation: 在具有检查单元的涂布/显影装置中，可以减少启动所需的时间，降低成本，并且提高检查单元的操作速度。 在涂布/显影装置控制程序中，处理流程和检查流程被设置为彼此独立地执行。 在处理流程中，将底物从盒式站运送到处理站，并由处理站和曝光装置进行处理，然后将基板返回到盒式站。 在检查流程中，将基板从盒式站运送到检查站并进行检查，然后将基板返回到盒式站。 当开始涂布/显影装置时，执行检查流程和处理流程，同时执行检查站的检查单元的评估工作和处理站的处理单元的调整工作。 当检查站为空时，可以将基板从外部传送到卡带站并检查基板。

公开(公告)号：KR1020060090212A

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020060068647

申请日：2006-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/67098

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

公开(公告)号：KR1020020010442A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020010004660

申请日：2001-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method are provided to prevent an adhesion of fine impurities or particles on a substrate and to improve a uniformity of line-width between substrates. CONSTITUTION: On top of respective areas divided by partition plates, that is, a cassette station(2), a processing station(3), and an interface section(4) in a coating and developing processing system, gas supply sections(70,71,72) for supplying an inert gas into the respective areas are provided. Exhaust pipes(75,76,77) for exhausting atmospheres in the respective areas are provided at the bottom of the respective areas. The atmospheres in the respective areas are maintained in a clean condition by supplying the inert gas not containing impurities such as oxygen and fine particles from the respective gas supply sections into the respective areas and exhausting the atmospheres in the respective areas from the exhaust pipes(75,76,77).

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和方法，以防止细小的杂质或颗粒附着在基板上并提高基板之间的线宽的均匀性。 构成：在涂覆和显影处理系统中，由分隔板（即，盒式磁带站（2）），处理站（3）和接口区段（4）分隔的各个区域之上， 71,72）用于将惰性气体供应到各个区域。 在各个区域的底部设置用于排出各区域的气氛的排气管（75,76,77）。 通过将不含杂质的惰性气体（例如氧气和细颗粒）从各个气体供应区域供应到各个区域并且从排气管（75）排出各个区域中的气氛，将各个区域中的气氛保持在清洁状态 ，76,77）。

公开(公告)号：KR101016468B1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：KR1020050053501

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타마사미 ,  나카시마세이지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은, 기판처리장치의 유지관리를 실시하는 작업원의 안전을 확보하면서, 장치의 가동효율을 향상하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 기판을 수용 가능한 기판용 유닛과 해당 기판용 유닛에 대해 기판을 반송하는 기판반송유닛을 케이싱내에 구비한 기판처리장치에 있어서, 기판용 유닛에 대향하는 위치에, 케이싱에 대해서 떼어내기 자유롭게 설치된 외벽패널과, 상기 외벽패널을 떼어내는 것에 의해 케이싱의 외부에 대해서 개방되는 기판용 유닛이 배치된 제 1 공간과, 그 이외의 기판반송유닛이 배치된 제 2 공간을 케이싱내에 있어서 차단 가능한 차단기구와, 차단기구를 작동시켜 제 1 공간과 제 2 공간을 차단시키기 위한 차단기구작동부재와, 외벽패널이 떼어졌을 때에 케이싱내의 전체의 동작을 정지하는 인터록기구를 구비하고 있다. 그리고 차단기구에 의해 제 1 공간과 제 2 공간이 차단되었을 때에, 인터록기구를 무효로 하는 인터록무효기구를 갖는다.

公开(公告)号：KR100701578B1

公开(公告)日：2007-04-02

申请号：KR1020010004660

申请日：2001-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

公开(公告)号：KR102049431B1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：KR1020190044219

申请日：2019-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR100728244B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: 본 발명은 실리레이션(silylation)처리장치및 방법에 관한 것으로서 챔버와 상기 챔버내에 설치되어 기판을 가열하는 가열기구와 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와 상기 챔버내에서 상기 기판을 지지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판지지 치구를 구비하고 있다. 가열기구로부터의 간격을 최대한 떨어뜨려 챔버내의 열의 영향을 받기 어려운 상태에서 기판을 수취하고 상기에 비교하여 가열기구와의 간격을 결정하여 챔버내의 온도가 면내 균일성을 유지할 때까지 대기하여 면내 균일성을 얻은 후에 한층 가열기구에 가깝게하여 실리레이션 반응을 생기게하는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100698352B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020060068647

申请日：2006-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

Abstract translation: 提供一种气体供应单元，用于将惰性气体供应到由涂布和显影系统中的边界板划分的每个区域中，即在盒台，处理台和接口单元的上方。 在每个区域下方设置用于排出每个区域中的气氛的排气管。 将不含氧等杂质的惰性气体和不含颗粒的惰性气体供应到每个气体供应单元中，并且将每个区域中的气氛排出到排气管以保持每个区域中的气氛清洁。

公开(公告)号：KR1020010051729A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method of sylilation are to provide a uniform sylilated layer, without depending on the hardware constitution. CONSTITUTION: An apparatus and a method include carrying of a wafer W into a processing chamber, setting it while keeping a prescribed distance from a hot plate(5) established in the processing chamber, filling the processing chamber with a sylilation agent by introducing steam which contains a sylilation agent into the processing chamber heating the hot plate(5), bringing the wafer W close to the hot plate(5), uniformly spreading the sylilation agent atmosphere in the processing chamber at a temperature, at which the wafer W does not generate sylilation reaction, raising the temperature of the wafer W by bringing it close to the hot plate(5), and generating sylilation reaction on the surface of the wafer W.

Abstract translation: 目的：一种装置和一种方法是提供均匀的乙酰化层，而不依赖硬件结构。 构成：一种装置和方法包括将晶片W带入处理室，在与处理室中建立的热板（5）保持规定距离的同时进行设定，通过引入蒸汽将蒸汽填充到处理室中， 在加热室（5）中加入加热室（8），使晶片W靠近加热板（5）的均匀地分散在处理室内，使晶片W不会在处理室内均匀地分散在处理室内 产生硫化反应，使其靠近热板（5）使晶片W的温度升高，并在晶片W的表面产生锯齿反应。