公开(公告)号：KR101772723B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020127034251

申请日：2011-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  세오야스히로 ,  가토가즈유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

Abstract: 공통가스원(41)로부터공급되는공통가스를플로우스플리터(44)에의해 2계통으로분기시키고, 2계통으로분기된공통가스를처리용기(2)의유전체창(16)의중앙에마련되는중앙도입구(58)(55), 및기판(W)의상방에둘레방향으로배열되는복수의주변도입구(62)에도입한다. 2계통으로분기시킨공통가스의어느한쪽에첨가가스를첨가한다. 처리용기(2)내에도입된공통가스및 첨가가스를기판(W)의하방의배기구(11a)로부터배기하고, 처리용기(2)내를소정의압력으로감압한다. 다수의슬롯(21)을갖는슬롯안테나(20)를이용하여처리용기(2)내에마이크로파를도입하고, 복수의주변도입구(62)가마련되는영역의전자온도를중앙도입구(58)(55)가마련되는영역의전자온도보다낮게한다.

公开(公告)号：KR101304408B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020120043187

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 유전체 부재, 마이크로파를 도입하는 수단, 인젝터 및 전계 차폐부를 구비하고 있다. 처리 용기는 그 내부에 처리 공간을 구획하여 형성한다. 스테이지는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 유전체 부재는 스테이지에 대면하도록 설치되어 있다. 마이크로파를 도입하는 수단은, 유전체 부재를 개재하여 처리 공간 내에 마이크로파를 도입한다. 인젝터는 유전체제이며, 하나 이상의 관통홀을 가진다. 인젝터는, 예를 들면 벌크 유전체 재료로 구성된다. 이 인젝터는 하나 이상의 관통홀을 가지고, 유전체 부재의 내부에 배치된다. 인젝터는, 유전체 부재에 형성된 관통홀과 함께 처리 공간으로 처리 가스를 공급하기 위한 경로를 구획하여 형성한다. 전계 차폐부는 인젝터의 주위를 덮는다.

公开(公告)号：KR1020130006351A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120073543

申请日：2012-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시카와쥰 ,  모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: PURPOSE: An antenna, a dielectric window, a plasma treatment device and a plasma treatment method are provided to modify a protection layer by detecting the energy line like energy beam from the protection layer. CONSTITUTION: An antenna comprises a dielectric window(16), and a slot plate(20) installed at one direction of the dielectric window. Another side of the dielectric window comprises a planation surface surrounded a first depressed portion of illusion. Another side of the dielectric window comprises several second depressed portion formed inside a planation surface to surround center location of the planation surface. Each center location of a second depressed portion is overlapped inside several slots at the slot plate in the vertical direction of the main surface of the slot plate. [Reference numerals] (10) Exhaust device; (100) Gas supply source; (AA) Other element; (BB) Controller; (CC) Power supply

Abstract translation: 目的：提供天线，电介质窗，等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过检测来自保护层的能量束的能量线来修改保护层。 构成：天线包括电介质窗（16）和安装在电介质窗的一个方向上的槽板（20）。 电介质窗口的另一侧包括围绕着错觉的第一凹陷部分的平面表面。 电介质窗口的另一侧包括形成在平面表面内部以围绕平面表面的中心位置的多个第二凹陷部分。 第二凹陷部的每个中心位置在槽板的主表面的垂直方向上在槽板的多个槽内重叠。 （附图标记）（10）排气装置; （100）气源; （AA）其他要素; （BB）控制器; （CC）电源

公开(公告)号：KR1020120134134A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020127025459

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  마츠모토나오키 ,  요시카와쥰

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J23/36 ,  H01J9/44 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 유전체창(41) 중, 플라즈마를 생성하는 측의 면의 직경 방향 외측 영역에는, 환상으로 연장되고, 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 테이퍼 형상으로 오목한 제 1 유전체창 오목부(47)가 형성되어 있다. 제 1 유전체창 오목부(47)의 직경 방향 내측 영역에는, 플라즈마를 생성하는 측의 면으로부터 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 오목한 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)가 형성되어 있다. 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)는, 유전체창(41)의 직경 방향의 중심(56)을 중심으로서 회전 대칭성을 가지도록, 각각 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120060889A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.