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公开(公告)号：KR100926380B1
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020070030756
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 본 발명의 과제는 2주파 중첩 인가 방식의 용량 결합형에 있어서, 다른쪽의 대향 전극에 원하지 않는 막이 형성되는 것을 완전히 방지 내지 억제하면서, 플라즈마 밀도가 공간적인 분포 특성을 임의로 제어하는 것이다.
본 발명에 따르면, 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 제1 고주파가 인가되며, 고주파 전원(70)으로부터 이온인입용의 제2 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링형상의 절연체(35)를 거쳐서 부착되어 있다. 상부 전극(34)은 봉형상의 인덕터(54) 및 도선(56)을 거쳐서 접지 전위에(통상은 챔버(10)에) 접속되어 있다.Abstract translation: 在本发明的目的是电容耦合型的双频率叠加应用方法，和完全防止，抑制不希望的膜形成在在另一侧的对置电极，任意地控制等离子体密度的空间分布特性。
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公开(公告)号：KR1020070022781A
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020067026949
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR102053792B1
公开(公告)日：2019-12-09
申请号：KR1020147025026
申请日：2013-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 하나오카히데토시
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
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公开(公告)号：KR101957911B1
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：KR1020110134098
申请日：2011-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 하나오카히데토시
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/30
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公开(公告)号：KR1020140143146A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020147025026
申请日：2013-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 하나오카히데토시
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32559 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32651 , H01J37/32697 , H01L21/31116
Abstract: 처리 용기 내에 설치된 상부 전극과 하부 전극의 사이에 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라즈마화하고, 당해 플라즈마에 의해 피처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치는, 상부 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 직류 전원에 접속된 그라운드 전극과, 그라운드 전극의 외방에 설치된 환상의 차폐 부재를 가지고 있다. 그라운드 전극의 외주 가장자리부에는, 하방으로 오목하게 형성된 홈부가 형성되고, 차폐 부재는, 그 상단이 상기 그라운드 전극의 상단보다 상방에 위치하도록 형성되어 있다. 차폐 부재에서의 그라운드 전극보다 상방에 위치하는 부위에는, 그라운드 전극의 중심 방향을 향해 돌출되는 돌출부가 형성되어 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101247833B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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公开(公告)号：KR1020120107520A
公开(公告)日：2012-10-02
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009515A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009512A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031569
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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公开(公告)号：KR1020110102243A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020110021018
申请日：2011-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 하나오카히데토시
IPC: H01L21/321 , H01L21/02 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/32105 , H01L21/32115 , H01J37/32091 , H01L21/02065 , H01L21/02068 , H01L21/02274
Abstract: 표면의 폴리실리콘층의 막두께를 유지하여 기판의 표면을 평탄화할 수 있는 표면 평탄화 방법을 제공한다.
기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에서 폴리실리콘층(40)을 표면에 갖는 웨이퍼(W)의 표면을 평탄화할 때, 웨이퍼(W)를 챔버(11) 내의 서셉터(12)에 얹고, 챔버(11) 내의 압력을 100 mTorr 이상 800 mTorr 이하 중 어느 것으로 설정하고, 산소 가스 및 아르곤 가스의 혼합 가스에서의 아르곤 가스의 유량비를 50% 이상 95% 이하 중 어느 것으로 설정하여 챔버(11) 내부에 도입하고, 주파수가 13 MHz 이상 100 MHz 이하 중 어느 것으로 설정되어 있는 플라즈마 생성용 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가하여 도입된 혼합 가스를 여기하여 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마 중의 산소의 양이온(43)이나 아르곤의 양이온(44)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 스퍼터링한다.
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