公开(公告)号：KR1020110027693A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020107028339

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  야스무로치아키

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/14 ,  B01D53/72 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D53/002 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/416 ,  C23C16/16 ,  Y02C20/30

Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.

公开(公告)号：KR1020080106578A

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020087025052

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: A method and system is described for reducing particle contamination of a substrate (25) in a deposition system (1). The deposition system comprises one or more particle diffusers (47) disposed therein and configured to prevent or partially prevent the passage of film precursor particles, or break-up or partially break-up film precursor particles. The particle diffuser may be installed in the film precursor evaporation system (50), or the vapor delivery system (40), or the vapor distribution system (30), or two or more thereof. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 描述了用于减少沉积系统（1）中的基底（25）的颗粒污染的方法和系统。 沉积系统包括设置在其中的一个或多个粒子扩散器（47），并构造成防止或部分地阻止膜前体颗粒的通过，或破坏或部分破坏膜前体颗粒。 粒子扩散器可以安装在膜前体蒸发系统（50）或蒸汽输送系统（40）或蒸气分配系统（30）中，或者其两个或多个。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020070095914A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020077014437

申请日：2005-10-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수주키켄지 ,  기도티엠마누엘 ,  레우신크게리트제이 ,  하라마사미치 ,  쿠로이와다이수케

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481

Abstract: A replaceable precursor tray for use with a high conductance, multi-tray solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300') coupled with a high conductance vapor delivery system is described for increasing deposition rate by increasing exposed surface area of solid precursor. The multi-tray solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300') is configured to be coupled to the process chamber (10, 110) of a thin film deposition system (1, 100), and it includes a base tray (330) with one or more stackable upper trays (340). Each tray (330, 340) is configured to support and retain film precursor (350) in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray (330, 340) is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor (350) while the film precursor (350) is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor (350), and vertically upward through a flow channel (318) within the stackable trays (370, 370') and through an outlet (322) in the solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300').

Abstract translation: 用于与高电导，多托盘固体前体蒸发系统（50,150,300,300'）结合高电导蒸气输送系统使用的可替换的前体托盘被描述为通过增加固体前体的暴露表面积来提高沉积速率 。 多托盘固体前体蒸发系统（50,150,300,300'）被配置为耦合到薄膜沉积系统（1,100）的处理室（10,110），并且其包括底盘 （330）具有一个或多个可堆叠的上托盘（340）。 每个托盘（330,340）被配置为以例如固体粉末形式或固体片剂形式支撑并保持膜前体（350）。 另外，每个托盘（330,340）构造成在膜前体（350）被加热的同时提供载气在膜前体（350）上的高电导流。 例如，载气在膜前体（350）内向内流动，并且垂直向上流过可堆叠托盘（370,370'）内的流动通道（318）并且通过固体前体蒸发系统中的出口（322） 50,150,300,300'）。

公开(公告)号：KR101685753B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841

Abstract: 온도가상온보다도높아지는측벽과, 상기측벽에마련된제 1 기판반입·반출구를가지는감압가능한핫 월챔버와, 상기핫 월챔버에대하여기판을반입·반출하는반송아암기구와, 제 2 기판반입·반출구를가지는감압가능한트랜스퍼챔버와, 상기핫 월챔버와상기트랜스퍼챔버의사이에마련되는게이트밸브장치를구비한기판처리장치. 상기게이트밸브장치는연통구멍과, 제 1 하우징체기판반입·반출구와, 제 2 하우징체기판반입·반출구가마련된측벽을가지는하우징체와, 상기하우징체의내부를자유롭게승강할수 있는밸브체와, 제 1 시일부재와상기제 1 시일부재의외측에마련된제 2 시일부재를가지는 2중시일구조를구비하고, 상기연통구멍은, 상기제 1 시일부재와상기제 2 시일부재와의사이의극간을상기하우징체의내부공간과연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR101662421B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020147028904

申请日：2013-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D8/00 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  F15D1/0005 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 처리용기로부터의배기가스를흘려보내는배기통로의도중에개설되는하우징과, 상기하우징안에설치되고상기배기가스의흐름방향에대해서주 트랩면이평행하게되도록배치되며상기배기가스의흐름방향과직교하는방향으로서로소정의간격을두고설치된복수의트랩판을가지는트랩유닛을구비하며, 상기트랩유닛을, 상기배기가스의흐름방향을따라서복수개 마련하는것을특징으로하는트랩장치가제공된다.

公开(公告)号：KR1020150034143A

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：KR1020147037041

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다.

公开(公告)号：KR101372793B1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020087025052

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: 본원에는 증착 시스템(1)에 있어서 기판(25)의 파티클 오염을 저감하기 위한 방법 및 시스템이 기술되어 있다. 증착 시스템 내에는 하나 이상의 파티클 디퓨저(47)가 배치되는데, 이 파티클 디퓨저는 막 전구체 파티클의 통과를 방지 혹은 부분적으로 방지하거나, 막 전구체 파티클을 파괴 혹은 부분적으로 파괴하도록 구성되어 있다. 파티클 디퓨저는 막 전구체 증발 시스템(50), 증기 이송 시스템(40), 혹은 증기 분배 시스템(30), 또는 이들 중 2곳 이상에 설치될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140021566A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841 ,  C23C16/54

Abstract: 온도가 상온보다도 높아지는 측벽과, 상기 측벽에 마련된 제 1 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 핫 월 챔버와, 상기 핫 월 챔버에 대하여 기판을 반출입하는 반송 아암 기구와, 제 2 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 트랜스퍼 챔버와, 상기 핫 월 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버의 사이에 마련되는 게이트 밸브 장치를 구비한 기판 처리 장치. 상기 게이트 밸브 장치는 연통 구멍과, 제 1 하우징체 기판 반출입구와, 제 2 하우징체 기판 반출입구가 마련된 측벽을 가지는 하우징체와, 상기 하우징체의 내부를 자유롭게 승강할 수 있는 밸브체와, 제 1 시일 부재와 상기 제 1 시일 부재의 외측에 마련된 제 2 시일 부재를 가지는 2중 시일 구조를 구비하고, 상기 연통 구멍은, 상기 제 1 시일 부재와 상기 제 2 시일 부재와의 사이의 극간을 상기 하우징체의 내부 공간과 연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR101318506B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020127000841

申请日：2010-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  하라마사미치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 동을 사용하고 있는 배선과 절연막이 표면에 노출되어 있는 기판에 대해 망간 함유막을 성막하는 성막 방법을 개시한다. 이 성막 방법은 동을 사용하고 있는 배선상에, 망간 화합물을 이용한 CVD법을 이용하여 망간 함유막을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120135253A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020127024088

申请日：2011-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  다가사토시

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.