公开(公告)号：KR1020090125157A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097020555

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  하세가와도시오 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402

Abstract: A method of cleaning a powdery source supply system, by which any outflow of particles from an interior of vessel or an interior of introduction tube at film forming treatment can be prevented. Substrate treating system (10) includes powdery source supply system (12) and film forming treatment unit (11). The powdery source supply system (12) includes ampoule (14) for accommodating powdery source (13) (tungsten carbonyl); carrier gas supply unit (16) for supplying a carrier gas into the ampoule (14); powdery source introduction tube (17) for connection of the ampoule (14) and the film forming treatment unit (11); purge tube (19) branched from the powdery source introduction tube (17); and opening or closing valve (22) for opening or closing of the powdery source introduction tube (17). When the opening or closing valve (22) is opened and the interior of the purge tube (19) is evacuated prior to film forming treatment, the carrier gas supply unit (16) feeds a carrier gas so that the viscous force acting on particles by the carrier gas is greater than the viscous force acting on particles by the carrier gas at film forming treatment.

Abstract translation: 可以防止粉末源供应系统的清洗方法，通过该方法可以防止在成膜处理时从容器的内部或导入管的内部流出颗粒。 基板处理系统（10）包括粉末源供给系统（12）和成膜处理单元（11）。 粉末源供应系统（12）包括用于容纳粉末源（13）（羰基钨）的安瓿（14）; 用于将载气供应到安瓿（14）中的载气供应单元（16）; 用于连接安瓿（14）和成膜处理单元（11）的粉末源引入管（17）; 从粉末源引入管（17）分支的清洗管（19）; 以及用于打开或关闭粉末源引入管（17）的打开或关闭阀（22）。 当打开或关闭阀（22）打开并且在成膜处理之前将净化管（19）的内部抽真空时，载气供给单元（16）供给载气，使得作用在颗粒上的粘性力 载气在成膜处理时大于由载气作用在颗粒上的粘性力。

公开(公告)号：KR1020010086318A

公开(公告)日：2001-09-10

申请号：KR1020010001744

申请日：2001-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/54 ,  H01L21/76841 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: To provide a film deposition method capable of improving reproducibility in film thickness and within wafer uniformity with respect to the first wafer immediately after the initiation of film deposition after long idling. CONSTITUTION: In the film deposition method for performing film deposition treatment where prescribed film is deposited on the surface of a wafer W by using high-melting-point metallic compound gas and reducing gas in a treatment chamber 4 capable of evacuation, preflowing operation where either of the high-melting-point metallic compound gas and the reducing gas is allowed to flow previously through the treatment chamber for prescribed time is carried out immediately before the initiation of the film deposition treatment. By this method, the film thickness reproducibility and within wafer uniformity with respect to the first wafer immediately after the initiation of film deposition after long idling can be improved.

Abstract translation: 目的：提供一种能够在长时间怠速后立即开始膜沉积之后提高相对于第一晶片的膜厚度和晶片均匀性的再现性的成膜方法。 构成：在通过在能够排空的处理室4中使用高熔点金属化合物气体和还原气体而在晶片W的表面上沉积规定膜的成膜方法中，任意一种 的高熔点金属化合物气体和还原气体先于通过处理室流动达规定时间。 通过这种方法，可以提高在长时间怠速后立即开始膜沉积之后相对于第一晶片的膜厚再现性和晶片均匀度。

公开(公告)号：KR102114555B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020180110942

申请日：2018-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  기쿠치다카미치 ,  노로나오타카 ,  하세가와도시오 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

公开(公告)号：KR101631783B1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판상에금속실리사이드층을형성하기위한방법이제공된다. 일실시예에따라, 이방법은프로세스챔버에기판을제공하는단계, 금속전구체(metal precursor)를포함하는증착가스로부터생성된플라즈마에제 1 기판온도로상기기판을노출시키는단계를포함하며, 여기서상기플라즈마노출은자기-제한적프로세스(self-limiting process)에서기판상에컨포멀한금속-함유층(conformal metal-containing layer)을형성한다. 이방법은또한플라즈마없이환원성가스에제 2 기판온도로금속-함유층을노출시키는단계를포함하고, 여기서상기노출시키는단계들은금속실리사이드층을형성하기위해적어도한번교번적으로수행되고, 상기증착가스는환원성가스를포함하지않는다. 이방법은또한높은종횡비들을갖는딥 트랜치들내의컨포멀한금속실리사이드형성을제공한다.

公开(公告)号：KR1020110069015A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020117006359

申请日：2009-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  로이싱크게릿제이

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

Abstract: 본원에는, 반도체 디바이스용의 알루미늄 도핑된 금속(탄탈 또는 티타늄) 탄질화물 게이트 전극을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은, 그 위에 유전체층이 마련된 기판을 제공하는 단계와, 플라즈마의 부재하에 상기 유전체층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 게이트 전극은, 금속 탄질화물막을 증착하는 단계와, 이 금속 탄질화물막 상에 알루미늄 전구체의 원자층을 흡착시키는 단계에 의해 형성된다. 상기 증착 단계와 흡착 단계는, 상기 알루미늄 도핑된 금속 탄질화물 게이트 전극이 소기의 두께를 가질 때까지, 소기의 횟수로 반복될 수 있다.

公开(公告)号：KR100505197B1

公开(公告)日：2005-07-29

申请号：KR1020010001744

申请日：2001-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/54 ,  H01L21/76841 ,  Y10S438/905

Abstract: 본 발명에 따른 막형성 방법은 진공흡인 가능한 처리용기내에 피처리체를 놓는 세트 단계; 상기 세트 단계에 후속하여, 고융점 금속화합물 가스와 환원 가스를 사용하여 처리용기내로 도입하여 피처리체의 표면에 소정의 막을 퇴적시키는 막형성 처리를 행하는 막형성 단계; 및 상기 세트 단계 전에, 상기 고융점 금속화합물 가스와 상기 환원 가스 중의 어느 한 가스만을 상기 처리용기내에 소정시간 동안 유입시키는 프리플로우 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140097443A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020147017303

申请日：2012-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L29/517

Abstract: 반도체 디바이스를 형성하는 방법은, 프로세스 챔버 내에서 기판 상에 금속 함유 게이트 전극 막을 제공하는 단계, 프로세스 챔버 안으로 수소(H
2 ) 및 선택적으로 비활성 가스로 구성된 프로세스 가스를 흘러넣는 단계, 마이크로파 플라즈마 소스에 의해 프로세스 가스로부터 플라즈마 여기된 종을 형성하는 단계, 및 금속 함유 게이트 전극 막보다 더 낮은 일 함수를 갖는 개질된 금속 함유 게이트 전극 막을 형성하도록, 금속 함유 게이트 전극 막을 플라즈마 여기된 종에 노출시키는 단계를 포함한다. 다른 실시예들은 NMOS 및 PMOS 트랜지스터에 대한 개질된 금속 함유 게이트 전극을 포함하는 게이트 스택을 갖는 반도체 디바이스를 형성하는 것에 대해 기재한다.

公开(公告)号：KR1020140080445A

公开(公告)日：2014-06-30

申请号：KR1020130159805

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K3/107 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/146 ,  H05K3/388 ,  H05K3/465 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1338 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: [Task] The present invention provides a Cu wiring forming method capable of forming a barrier film thinner and more uniform than a concave part and having low resistance of a Cu wiring while ensuring high barrier properties. [Solution] A Cu wiring forming method forming a Cu wiring (208) filling a trench (203) for a wafer (W) having an interlayer insulating film (202) in which the trench (203) with a predetermined pattern is formed on the surface comprises forming a barrier film (204) composed of a TaAlN film on the surface of the trench (203) by thermal ALD or thermal CVD; filling the trench (203) with a Cu film (206) by forming the Cu film; and forming a Cu wiring (208) within the trench (203) by polishing the entire surface by CMP.

Abstract translation: [任务]本发明提供一种Cu布线形成方法，其能够形成比凹部更薄且更均匀的阻挡膜，并且在确保高阻隔性的同时具有低的Cu布线电阻。 [解决方案]形成填充用于具有层间绝缘膜（202）的晶片（W）的沟槽（203）的Cu布线（208）的Cu布线形成方法，其中在所述沟槽（203）上形成具有预定图案的沟槽（203） 表面包括通过热ALD或热CVD在沟槽（203）的表面上形成由TaAlN膜构成的阻挡膜（204）; 通过形成Cu膜而用Cu膜（206）填充沟槽（203）; 以及通过CMP抛光整个表面在沟槽（203）内形成Cu布线（208）。

公开(公告)号：KR101176708B1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020097020555

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  하세가와도시오 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402

Abstract: 성막 처리시에 용기내나 도입관내로부터 파티클이 유출하는 것을 방지할 수 있는 분체상 소스 공급계의 세정 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(10)은 분체형상 소스 공급계(12)와 성막 처리 장치(11)를 구비한다. 분체형상 소스 공급계(12)는 분체형상 소스(13)(텅스텐 카르보닐)를 수용하는 앰플(14)과, 해당 앰플(14)내에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급 장치(16)와, 앰플(14) 및 성막 처리 장치(11)를 접속하는 분체형상 소스 도입관(17)과, 해당 분체형상 소스 도입관(17)으로부터 분기하는 퍼지관(19)과, 분체상 소스 도입관(17)을 개폐하는 개폐 밸브(22)를 갖는다. 성막 처리에 앞서, 개폐밸브(22)가 닫히고 또한 퍼지관(19)내를 배기할 때에, 캐리어 가스 공급 장치(16)가, 캐리어 가스에 의해서 파티클에 작용하는 점성력이 성막 처리시에 있어서의 캐리어 가스에 의해서 파티클에 작용하는 점성력보다도 커지도록 캐리어 가스를 공급한다.

公开(公告)号：KR1020080003920A

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：KR1020077027198

申请日：2006-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/10852

Abstract: a first stage in which a metal compound gas and a nitrogenous reducing gas are fed to a substrate to be treated which has been heated to a film formation temperature to directly deposit a metal nitride film on the substrate by CVD; and a second stage in which a metal compound gas and a nitrogenous reducing gas are fed in the same manner to deposit a metal nitride film by CVD on the initial metal nitride film deposited in the first stage so as to result in a given film thickness, wherein the first and second stages each comprises one or more repetitions of a cycle comprising the first step of feeding the metal compound gas and nitrogenous reducing gas and the second step of feeding the nitrogenous reducing gas while stopping the feeding of the metal compound gas.

Abstract translation: 将金属化合物气体和含氮还原气体供给到被加热到成膜温度的被处理基板的第一阶段，以通过CVD将基板上的金属氮化物膜直接沉积; 以及第二阶段，其中金属化合物气体和含氮还原气体以相同的方式通过CVD沉积在第一阶段沉积的初始金属氮化物膜上以沉积金属氮化物膜以得到给定的膜厚度， 其中所述第一和第二阶段各自包括一个或多个重复循环，所述周期包括供给所述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤，以及在停止所述金属化合物气体的供给的同时进料所述含氮还原气体的第二步骤。