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公开(公告)号:KR1020090020499A
公开(公告)日:2009-02-26
申请号:KR1020080081728
申请日:2008-08-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
CPC classification number: F15B15/24 , H01L21/67126 , H01L21/68792
Abstract: A mechanism for varying a cylinder stop position and a substrate processing apparatus including same are provided to remarkably reduce the generation of dust by decreasing the vibration caused by the elevation. A stopper(109) is fitted on a shaft(108). A pair of limiters(110a,110b) stop the movement of piston(107) by contacting with the stopper. A limiter transfer mechanism varies the limiter location. The cylinder is driven by the fluid pressure. The limiter transfer mechanism is prepared at a pair of limiter and independently control the position. The limiter transfer mechanism is controlled by the motor. The limiter transfer mechanism comprises a sensor(117) detecting the location of limiter. The limiter transfer mechanism comprises the sensor for detecting the location of stopper.
Abstract translation: 提供了用于改变气缸停止位置的机构和包括其的基板处理设备,以通过减小由高度引起的振动来显着地减少灰尘的产生。 止动件(109)安装在轴(108)上。 一对限制器(110a,110b)通过与止动器接触来停止活塞(107)的运动。 限制器传输机制改变了限制器的位置。 气缸由流体压力驱动。 限制器传送机构在一对限制器上准备并独立地控制位置。 限位器传送机构由电机控制。 限制器传送机构包括检测限位器的位置的传感器(117)。 限位器传送机构包括用于检测挡块位置的传感器。
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公开(公告)号:KR100856592B1
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:KR1020070017965
申请日:2007-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마를 발생하기 위한 전극을 구성하는 냉각 블록에 있어서, 전극에 요구되는 기능을 만족하면서, 부식을 억제하여, 사용 수명이 긴 냉각 블록을 제공하는 것이다. 각각 알루미늄으로 이루어지고, 적어도 그들 한쪽에 냉각액의 유로 형성용 오목부가 가공되어 있는 제 1 모재 및 제 2 모재를, 양자 사이에 아연을 개재시킨 상태에서 산소를 포함하는 가열 분위기하에서 접합함으로써, 아연이 알루미늄중에 확산된 확산 접합층과 아연 산화막으로 이루어진 방식층이 동시에 형성되는 것에 의해 냉각 블록을 형성한다. 또한, 아연 산화막중의 아연의 양은 1㎡당 30g 이상인 것이 바람직하고, 더욱이 제 1 모재 및 제 2 모재 사이에는, 예를 들어 니켈 등의 땜납재를 개재시키도록 하여도 좋다.
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公开(公告)号:KR1020070077048A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:KR1020060118166
申请日:2006-11-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3255
Abstract: An electrode for generating plasma and a plasma process apparatus are provided to prevent generation of excessive local stress due to a thermal expansive coefficient difference by using a metal-group composite material. A plasma generation electrode includes a metal-group composite material(8) and a conductive plate(82). The metal-group composite material has a junction surface facing a surface to be processed of a substrate by impregnating silicon into silicon carbide(9) of a porous ceramic. The conductive plate is made of a plasma-resistant material melt-joined on a junction surface of the metal-group composite material by a metal.
Abstract translation: 提供一种用于产生等离子体的电极和等离子体处理装置,以通过使用金属组合复合材料来防止由于热膨胀系数差而产生过大的局部应力。 等离子体产生电极包括金属基复合材料(8)和导电板(82)。 金属基复合材料通过将硅浸入多孔陶瓷的碳化硅(9)中而具有面向待加工基材表面的接合面。 该导电板由等离子体材料制成,该材料通过金属在金属复合材料的接合表面上熔融接合。
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公开(公告)号:KR1020040098551A
公开(公告)日:2004-11-20
申请号:KR1020040033366
申请日:2004-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: PURPOSE: An upper electrode is provided to reduce running cost and improve temperature controllability as compared with a conventional technique by controlling an increase of the cost of spare parts. CONSTITUTION: An upper electrode(3) is disposed to confront a mount unit(2) on which a substrate to be process is mounted. The upper electrode generates plasma of process gas between the mount unit and the upper electrode. A coolant path for circulating coolant is formed in a cooling block(31) while at least one transmission hole for transmitting the process gas is formed in the cooling block. An electrode plate(32) is mounted/separated on/from the lower surface of the cooling block by using a ductile thermal conductive member. At least one discharge hole(37) is formed on the electrode plate to discharge the process gas toward the substrate to be mounted. An electrode base member(30) is installed over the cooling block. A void(33) for process gas diffusion is formed between the cooling block and the electrode base member to diffuse the process gas.
Abstract translation: 目的:通过控制备件成本的增加,提供了与常规技术相比降低运行成本并提高温度可控性的上电极。 构成:上电极(3)设置成面对要安装待加工基板的安装单元(2)。 上部电极在安装单元和上部电极之间产生处理气体的等离子体。 在冷却块(31)中形成用于循环冷却剂的冷却剂路径,同时在冷却块中形成用于传送处理气体的至少一个传输孔。 通过使用延性导热构件,在冷却块的下表面上/从冷却块的下表面安装/分离电极板(32)。 在电极板上形成至少一个排出孔(37),以将处理气体朝向要安装的基板排出。 电极基座部件(30)安装在冷却块的上方。 在冷却块和电极基体之间形成用于处理气体扩散的空隙(33),以扩散处理气体。
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公开(公告)号:KR1020030059325A
公开(公告)日:2003-07-07
申请号:KR1020037007654
申请日:2001-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , A62D2203/10 , B01D53/32 , B01D53/68 , B01D2257/2025 , B01D2257/2042 , B01J4/001 , B01J19/088 , B01J2219/00162 , B01J2219/00164 , B01J2219/0801 , B01J2219/0835 , B01J2219/085 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은, 기밀한 처리실내에 있어서 가스 공급 장치로부터 공급되는 할로겐계 가스를 방전 해리시킨 플라즈마를 사용하여 소정의 처리를 실행한 후, 처리실내에 잔류한 상기 할로겐계 가스를 제거하는 가스 제거 시스템으로서, 상기 처리실내의 압력을 제어하는 압력 제어 장치와, 상기압력 제어 장치에 의해 상기 처리실내를 감압한 후에 상기 처리실내에 대기를 공급하는 급기 장치와, 상기 급기 장치를 제어하는 제어 장치와, 상기 처리실내의 상기 할로겐계 가스와 상기 대기의 반응에 의해 생성된 가스를 배기하는 배기 장치를 포함하는 가스 제거 시스템을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种气体去除系统,该气体去除系统在通过使从气体供给装置供给的卤素气体离解而获得的等离子体保持气密状态的处理室内执行特定类型的处理之后,去除处理室内残留的卤素气体包括压力控制 控制处理室内的压力的装置;在利用压力控制装置使处理室内的压力下降后向处理室内供给大气的供气装置;控制供气装置的控制装置;以及排气装置 装置,该装置将在处理室内发生的卤素气体和大气的反应产生的气体排出。
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公开(公告)号:KR1020020013905A
公开(公告)日:2002-02-21
申请号:KR1020017015454
申请日:2000-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/16
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에 배치된 제1전극을 갖추고 있다. 제1전극은 프로세스 가스를 처리용기내로 공급하기 위한 복수의 가스분산구멍과, 계측광용의 개구부를 갖추고 있다. 제1전극의 가스분산구멍 및 개구부에 대해 한쪽에 소정의 간격을 두고 제2전극이 대향배치되어 있다. 전원장치가, 제1전극과 제2전극 사이에 전력을 인가하여 제1전극과 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시킨다. 창부재의 광로가, 계측광용의 개구부의 다른쪽에 연접(連接)하고 있다. 상기 가스분산구멍이 소정의 배열로 형성되고, 상기 개구부는 상기 가스분산구멍의 배열을 방해하는 일없이 상기 가스분산구멍과는 별개로 형성되어 있다. 본발명에 의하면, 감시용 창으로서의 개구부 및 광로의 존재에 관계없이 처리용기내로 프로세스 가스를 균일하게 공급할 수 있고, 균일한 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
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公开(公告)号:KR101763946B1
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:KR1020110025701
申请日:2011-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/48
Abstract: 작업공수, 특히구멍가공공수를저감할수 있는기판처리장치용의다공판의제조방법을제공한다. 미리다수의제 1 관통구멍(42)이형성된카본기대(41)의표면에화학증착(CVD)법에의해예컨대두께 5㎜의 SiC 막(43)을형성시키고, 그후, 제 1 관통구멍(42)에대응하는제 2 관통구멍(44)이다수마련된표층의다공 SiC 막(43)을절출하고, 가열해서 SiC 막(43)에부착된카본을연소, 제거하고, 필요에따라표면을연삭하며, 또한표면처리를실시한다.
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公开(公告)号:KR1020170015882A
公开(公告)日:2017-02-10
申请号:KR1020167031072
申请日:2015-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/683 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/3065 , H01L21/67098
Abstract: 일실시형태의재치대는, 지지부재, 및기대를구비한다. 지지부재는, 히터를가지는재치영역, 및재치영역을둘러싸는외주영역을가진다. 기대는, 그위에재치영역을지지하는제1 영역, 및제1 영역을둘러싸는제2 영역을가진다. 제2 영역에는관통구멍이마련되어있다. 히터에전기적으로접속되는배선은, 제2 영역의관통구멍에통과되어있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,一个放置台设置有支撑构件和底座。 支撑构件具有具有加热器的放置区域和围绕放置区域的外周区域。 底座具有用于支撑其上的放置区域的第一区域和围绕第一区域的第二区域。 第二区域设有通孔。 电连接到加热器的接线被插入到第二区域中的通孔中。
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公开(公告)号:KR101684997B1
公开(公告)日:2016-12-09
申请号:KR1020110006962
申请日:2011-01-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: B05B1/18 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23F1/08
Abstract: 천판에베이스판을적층하여이루어지고, 가스를처리분위기에샤워형상으로공급하기위한구조체에있어서, 양판의압착력을조립오차에의존하지않고적정한크기로설정할수 있고, 또한양자를고정하는고정부재와천판의마찰을방지하는것이다. 천판(32)의하면측에서나사부재(4)를삽입하여베이스판(31)에나사결합시키고, 나사부재(4)의헤드부와천판(32)의사이에링 형상의탄성체(51)를개재시키고, 탄성체(51)의복원력에의해천판(32)을베이스판(31)에압착시킨다. 이때, 상기헤드부와천판(32)의사이에는간극이형성된다. 또한, 상기헤드부의외연측에링 형상의탄성체(52)를개재시킨상태로당해헤드부에커버를씌운다. 다른예로서는, 베이스판(31)을천판(32)의외연보다돌출시키고, 천판(32)의외연부로부터외측에걸쳐위치하는링 형상의클램프부재와베이스판(31)의돌출부분을나사부재로고정하고, 또한클램프부재와천판(32)의사이에탄성체를개재시킨다.
Abstract translation: 螺钉4从顶板32的底面插入并拧到基板31上,顶板32和基板31通过弹性件51的弹性恢复力彼此压接, 螺钉4的头部和顶板32.在头部和顶板32之间形成有间隙。此外,头部的周围通过环形弹性构件52被盖覆盖。在另一个实施例中, 基板31的周边从顶板32的周边突出,并且基板31的突出部分和位于顶板32的外侧的环形夹具通过螺钉接合。 这里,弹性构件插入在夹具和顶板32之间。
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公开(公告)号:KR101470017B1
公开(公告)日:2014-12-05
申请号:KR1020080114290
申请日:2008-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05B3/20
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 전력을공급하는전원단자부(108)가실리카유리판형체(102)의하면중앙부에설치된면상히터(1)로서, 상기전원단자부는, 카본와이어발열체에전력을공급하는접속선을수용하는소직경의실리카유리관(105a, 106a)과, 소직경의실리카유리관(105a, 106a)을수용하는대직경의실리카유리관(2)을구비하고, 상기대직경의실리카유리관(2)의하단부에는플랜지부(2a)가형성되며, 상기대직경의실리카유리관의상단부와상기플랜지부(2a) 사이에는직경을달라지게하는굴곡부(2b)가형성되고, 또한금속판또는불투명실리카유리판으로이루어지는제1 열차폐판(19, 20, 21)이상기굴곡부하측의대직경의실리카유리관내에수용되어있다.
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