公开(公告)号：KR101742815B1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：KR1020100071605

申请日：2010-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  나혜섭 ,  정칠희 ,  조한구

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11

Abstract: 본발명개념은알코올계용매인제 1 용매를포함하는용매 100 중량부; 및 193 nm의파장을갖는입사광에대하여 50 %/μm 이상의흡광도(degree of absorption)를갖는코팅용폴리머 0.05 중량부내지 5 중량부를포함하는 EUV (extreme ultraviolet) 해상도개선을위한 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명개념에따른 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법을이용하면미세한패턴을정밀하게형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160117818A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020150045423

申请日：2015-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민주 ,  나혜섭 ,  윤효진 ,  김경선 ,  김수민 ,  김현우 ,  박수민 ,  한소라

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은하부막상에반사방지막을형성하는것; 상기반사방지막상에포토레지스트패턴들을형성하는것; 상기포토레지스트패턴들을각각덮는보호패턴들을형성하는것; 상기보호패턴들로덮인상기포토레지스트패턴들을식각마스크로이용하여상기반사방지막을식각함으로써반사방지패턴들을형성하는것; 상기반사방지패턴들의측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 및상기반사방지패턴들을제거하는것을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160063746A

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：KR1020140167424

申请日：2014-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진 ,  김현우 ,  한진규

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/016 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/327 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/4236 ,  G03F7/004

Abstract: 포토레지스트용고분자는할로겐도너그룹을포함하는제1 반복단위, 및설파이드결합에의한보호기를갖는제2 반복단위를포함한다. 제1 반복단위및 제2 반복단위의광화학유도반응에의해고해상도의노광공정또는포토공정을구현할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光致抗蚀剂用聚合物，光致抗蚀剂组合物，形成图案的方法以及半导体装置的制造方法。 用于光致抗蚀剂的聚合物包括：包括卤素供体基团的第一重复单元; 以及包括通过硫化物键连接的保护基的第二重复单元。 由于第一重复单元和第二重复单元的光化学诱导反应，可以实现高分辨率的曝光处理或照相处理。

公开(公告)号：KR1020160015840A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020140098636

申请日：2014-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  고우석 ,  김영환 ,  김정회 ,  성백만 ,  손형수 ,  신채호 ,  양유신 ,  위재연 ,  이상길 ,  전충삼

IPC: G01R19/00 ,  G01R27/00

CPC classification number: G01Q60/40 ,  G01Q70/06

Abstract: 본발명의기술적사상에의한전도성원자힘현미경장치및 전도성원자힘현미경장치의동작방법은탐침과상기탐침에연결되어있는캔틸레버를각각구비하는복수의프로브구조체; 기준시료및 측정시료각각에바이어스전압을인가하는전원부; 상기기준시료와상기프로브구조체사이에흐르는전류및 상기측정시료와상기프로브구조체사이에흐르는전류를각각검출하고, 상기기준시료및 상기측정시료각각의대표전류값을계산하는전류검출부; 및상기프로브구조체각각으로측정한기준시료의대표전류값의비율을계산하여, 상기프로브구조체각각으로측정한측정시료의대표전류값을스케일링하는스케일링팩터(Scaling Factor)를산출하는알고리즘을수행하는제어부를포함하는전도성원자힘현미경장치및그 동작방법을제공한다.

Abstract translation: 根据本发明的技术提供导电原子力显微镜装置和操作导电原子力显微镜装置的方法。 导电原子力显微镜装置包括：多个探针结构，分别包括探针和连接于探针的悬臂; 用于向参考样本和测量样本中的每一个施加偏置电压的电源部分; 电流检测部分，分别检测在参考样本和探针结构之间流动的电流和分别在测量样本和探针结构之间流动的电流，并计算每个参考样本和测量样本的代表性电流值; 以及控制部，其通过计算由每个探针结构测量的参考样本的代表性电流值的比率，执行用于计算由每个探针结构测量的测量样本的代表性电流值的缩放因子的算法。

公开(公告)号：KR1020140089854A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：KR1020130001790

申请日：2013-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  블라디미르우라자에브 ,  이전일 ,  김현우 ,  김인성

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus includes a support part which has a support surface which supports a substrate, an electric field application part for vertically applying an electric field to the substrate, and a heat exchange part for dispersing the heat of the substrate. In a method of manufacturing a semiconductor device, acid is generated by exposing a part of a photoresist layer formed on the substrate from the upper part of the photoresist layer to a preset depth. The acid is diffused into the photoresist layer by vertically applying the electric field to the substrate. A photoresist pattern is formed by developing the photoresist layer.

Abstract translation: 半导体器件制造装置包括具有支撑基板的支撑面的支撑部，用于向基板垂直施加电场的电场施加部，以及用于分散基板的热量的热交换部。 在制造半导体器件的方法中，通过将形成在衬底上的光致抗蚀剂层的一部分从光致抗蚀剂层的上部暴露到预定深度而产生酸。 通过将电场垂直施加到基底上，将酸扩散到光致抗蚀剂层中。 通过显影光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR101355167B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020070131049

申请日：2007-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이시용 ,  김경택 ,  김현우 ,  윤동기

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 미세 패턴 형성 방법에서는 기판 상에 서로 다른 반복단위(repeating unit)를 갖는 제1 고분자 블록, 제2 고분자 블록 및 제3 고분자 블록을 갖는 블록 공중합체층을 형성한다. 상기 블록 공중합체층을 상분리시켜, 제1 고분자 블록을 함유하는 복수 개의 제1 도메인(domain), 제2 고분자 블록을 함유하는 복수 개의 제2 도메인 및 제3 고분자 블록을 함유하는 복수 개의 제3 도메인을 형성한다. 상기 제1 내지 제3 도메인들 중 적어도 한 도메인을 선택적으로 제거하여 미세 마스크 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020140001677A

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020120070066

申请日：2012-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  정창주

IPC: H04N21/426

CPC classification number: H04N5/4403 ,  H04N5/64

Abstract: The present invention relates to a display device comprising: an image processing unit for processing an image signal; a display unit for displaying the processed image; a remote control reception unit for receiving a user command remotely; a user input unit for receiving a user selection; and a control unit for controlling the image processing unit, display unit, remote control reception unit, and user input unit, wherein the control unit and user input unit are placed on the same board, and the remote control reception unit is connected, through a connector, to the board on which the control unit is placed. As a result, the remote control unit and user input unit are structurally separated, and the user input unit is positioned on the board of the display device, thereby improving the productivity of the display device due to the reduction in the number of parts and material costs. [Reference numerals] (110) Image processing unit; (120) Display unit; (130) Remote control reception unit; (140) User input unit; (150) Control unit

Abstract translation: 本发明涉及一种显示装置，包括：图像处理单元，用于处理图像信号; 用于显示处理图像的显示单元; 遥控接收单元，用于远程接收用户命令; 用户输入单元，用于接收用户选择; 以及控制单元，用于控制图像处理单元，显示单元，遥控接收单元和用户输入单元，其中控制单元和用户输入单元放置在同一板上，遥控接收单元通过 连接器，连接到放置控制单元的电路板。 结果，远程控制单元和用户输入单元在结构上分离，并且用户输入单元位于显示设备的板上，从而由于部件和材料的数量的减少而提高了显示设备的生产率 成本。 （附图标记）（110）图像处理单元; （120）显示单元; （130）遥控接收单元; （140）用户输入单元; （150）控制单元

公开(公告)号：KR101347284B1

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020070098405

申请日：2007-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김학원 ,  김연주 ,  최성운 ,  김현우 ,  나혜섭 ,  김경택

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392

Abstract: 발색기를 포함하지 않는 저분자량의 광산발생제 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 광산발생제는 다음 식 중 어느 하나로 표시된다.


R
1 , R
2 및 R
3 는 C
1 ∼ C
10 의 알킬기이고, X는 S
+ 와 함께 환을 형성하는 C
3 ∼ C
20 의 지환식 탄화수소기이고, X중 적어도 1 개의 CH
2 가 S, O, N, 케톤기, 또는 R
5 -S
+ A
- 로 치환 가능하다. R
2 및 R
3 는 -R
2 -R
3 - 로 결합 가능하다.
EUV, 광산발생제, 양이온, 저분자, 산 발생 효율, 탈가스

公开(公告)号：KR101300036B1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：KR1020060116730

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우

IPC: G06F11/26 ,  G06F11/273 ,  G06F12/00

Abstract: 메모리 세팅 조건을 결정하는 메모리 테스트 장치가 개시된다. 본 메모리 테스트 장치는 메모리를 세팅하기 위한 조건 파라미터의 값을 조정하는 파라미터 조정부, 조정된 조건 파라미터의 값에 따라, 테스트 신호를 메모리에 라이트/리드(write / read)하는 메모리처리부, 및, 조건 파라미터의 값 조정 및 상기 라이트/ 리드 작업을 복수 횟수 반복 수행하도록 제어하고, 라이트/리드 수행 결과에 따라 조건 파라미터의 최종값을 결정하는 제어부를 포함한다. 이에 따라, 생산라인 및 A/S에서 메모리 세팅 조건을 결정할 때, CPU 및 메모리의 하드웨어적 편차를 고려하여 메모리의 파라미터 값을 가변적으로 조정함으로써 최적의 메모리 세팅 조건을 부여할 수 있게 된다. 따라서, 메모리의 불량률을 줄여 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
메모리 테스트 장치, 조건 파라미터.

公开(公告)号：KR101106648B1

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：KR1020070081398

申请日：2007-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍숙현 ,  김영관 ,  김덕진 ,  양병렬 ,  김현우

IPC: H02K1/27 ,  H02K15/03

Abstract: 영구자석의 자속 누설을 최소화할 수 있도록 하는 모터의 회전자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시한 모터의 회전자는 비자성재료로 된 원통형 지지부재와, 지지부재 외면에 각각 결합되며 회전중심을 기준으로 방사형으로 배치된 다수의 철심과, 각 철심 사이에 설치된 다수의 영구자석을 포함한다.