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公开(公告)号：KR1020060042729A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020040091491
申请日：2004-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L29/66833
Abstract: 멀티비트 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 멀티비트 비휘발성 메모리 소자의 단위셀은 수직으로 형성된 복수의 채널들과, 그 채널들 외측에 수직으로 형성된 스토리지 노드들과, 그 채널들 및 스토리지 노드들의 상부와 스토리지 노드들의 측면을 둘러싸고 있는 제어 게이트와, 그 채널들, 스토리지 노드들 및 제어 게이트들 각각의 사이에 개재된 절연막을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020050076895A
公开(公告)日：2005-07-29
申请号：KR1020040004681
申请日：2004-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/55
Abstract: 반도체 장치의 커패시터, 이를 포함하는 메모리 소자 및 커패시터 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 귀금속 합금 또는 그 산화물로된 단층의 하부전극, 상기 하부전극 상에 구비된 유전막 및 상기 유전막 상에 구비된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 및 그 제조 방법을 제공하고, 커패시터를 포함하는 메모리 소자도 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150015965A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130092073
申请日：2013-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 광 스위칭 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 광 스위칭 소자는, 트렌치를 포함하는 기판; 상기 트렌치 내부에 채워진 절연성 물질을 포함하는 하부 클래딩; 상기 하부 클래딩 상에 형성된 광 도파로; 상기 광 도파로 일부 영역 내에 상기 광 도파로의 두께와 동일한 두께로 매립된 상전이 패턴; 상기 상전이 패턴의 양 측면에 각각 형성되어 상기 상전이 패턴과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 슬랩들; 및 상기 기판 및 상기 하부 클래딩 상에 상기 광 도파로, 상기 상전이 패턴, 및 상기 제1 및 제2 슬랩들을 덮도록 형성된 상부 클래딩을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光开关装置及其制造方法。 光开关元件包括：衬底，包括沟槽; 下部包层，其包括填充在沟槽内部的绝缘材料; 形成在下包层上的光波导; 在所述光波导的厚度处嵌入在所述光波导的一部分上的相变图案; 第一和第二板，分别形成在相转变图案的两个侧表面上以电连接到相变图案; 以及形成在基板和下包层上以覆盖光波导，相变图案以及第一和第二板的上包层。
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公开(公告)号：KR101275800B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020060038844
申请日：2006-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본 발명은 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 1산화층; 상기 제 1 산화층 상에 형성되며 가변 저항 특성을 지닌 제 2산화층; 상기 제 2산화층 상에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101100422B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020050007622
申请日：2005-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 저항 디램(RDRAM) 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 저항 디램 소자는, 문턱 전압 이상에 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 보이는 스토리지 노드용 스위칭 저항체와, 스위칭 저항체로 연결되는 파워를 제어하는 제어 소자를 포함한다. 상기 스위칭 저항체는 인가되는 전압에 따라 흐르는 전류가 히스테레시스 루프를 형성하는 요소이고, TiAlO
x 로 형성된다. 본 발명에 따른 저항 디램 소자를 이용하면, 2 디지트 이상의 신뢰성 있는 스토리지 기능을 확보하면서도, 집적도를 높일 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110054088A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090110594
申请日：2009-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L23/62 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1666 , H01L23/5252
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device is provided to implement high integration by increasing the number of laminated horizontal electrodes. CONSTITUTION: A plurality of horizontal electrodes(10) are laminated as a plurality of layers. A plurality of vertical electrodes(20) is arranged to have an intersection with the plurality of horizontal electrodes. One data layer is interposed on the intersection and has a metal-insulation property. An anti-fuse layer(40) is serially connected to one data layer. The threshold voltage of one data layer is smaller than the breakdown voltage of the anti-fuse layer.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，通过增加层压水平电极的数量来实现高集成度。 构成：多个水平电极（10）被层叠成多个层。 多个垂直电极（20）布置成与多个水平电极交叉。 一个数据层插在交叉点上并具有金属绝缘性能。 反熔丝层（40）串联连接到一个数据层。 一个数据层的阈值电压小于反熔丝层的击穿电压。
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公开(公告)号：KR1020100006059A
公开(公告)日：2010-01-18
申请号：KR1020080066222
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , G11C17/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An electric fuse device and an operation method thereof are provided to improve programming pre/post resistance ratio and have simple structure and small size. CONSTITUTION: An electric fuse device comprises a fuse(100) and a drive component(200). The drive component is connected to the fuse and comprises a resistance change layer whose resistance is changed according to applied voltage. The resistance change layer has a metal-insulator transition property. The drive component comprises two electrodes and the resistance change layer between the two electrodes.
Abstract translation: 目的：提供一种电熔丝装置及其操作方法，以提高编程前/后电阻比，结构简单，体积小。 构成：电熔丝装置包括保险丝（100）和驱动部件（200）。 驱动部件连接到保险丝，并且包括其电阻根据施加的电压而改变的电阻变化层。 电阻变化层具有金属 - 绝缘体转移特性。 驱动部件包括两个电极和两个电极之间的电阻变化层。
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公开(公告)号：KR100803207B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020050126912
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 표면전자 방출소자 및 그를 구비한 디스플레이 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 표면전자 방출소자는 순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극와, 상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050105695A
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020040030928
申请日：2004-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 본 발명은 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 트랜지스터 구조체를 포함하는 메모리 소자의 캐패시터에 있어서, 상기 트랜지스터 구조체의 불순물 영역 상에 형성되며, 금속 전극 및 금속 산화물 전극을 포함하는 하부 전극; 상기 하부 전극을 둘러싸며 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 피로 특성이 좋으며, 고집적 반도체 메모리 소자의 구현이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160101517A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150024237
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조중래
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/2254 , H01L21/26513 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/10855 , H01L29/4236 , H01L21/28061 , H01L21/28052
Abstract: 본발명의기술적사상은콘택저항을최소화할수 있는메탈실리사이드층형성방법및 그방법을이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 그메탈실리사이드층형성방법은반도체기판의표면부분에도펀트(dopant)를구비한도핑층을형성하는단계; 상기도핑층상에메탈및 실리콘을증착하여메탈-실리콘복합층을형성하는단계; 및상기메탈-실리콘복합층을실리사이드화(silicidation) 하여메탈실리사이드층을형성하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 本发明的技术思想提供了一种制造金属硅化物层以最小化接触电阻的方法，以及一种使用该方法制造半导体器件的方法。 制造金属硅化物层的方法包括在半导体衬底的表面部分形成具有掺杂剂的掺杂层的步骤; 通过在掺杂层上沉积金属和硅来形成金属 - 硅复合层的步骤; 以及通过在金属 - 硅复合层上进行硅化而形成金属硅化物层的步骤。
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