公开(公告)号：KR1020050060901A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030092634

申请日：2003-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  채승기 ,  홍형식 ,  차상엽 ,  한재현 ,  임태섭 ,  강현규 ,  윤길중 ,  송두근

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0044

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100485385B1

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：KR1020020080608

申请日：2002-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  최규상 ,  홍형식 ,  신금현 ,  박충훈

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 개시된 것은 이온빔의 극성을 변환시키기 위한 극성 변환 장치와 이를 갖는 이온 주입 장치이다. 이온빔의 극성을 변환시키기 위하여 스트리퍼 커낼로 공급된 스트리핑 가스는 진공 펌프에 의해 가스 순환 배관을 통해 순환된다. 유량 측정기와 전류계는 스트리핑 가스의 유량과 진공 펌프의 구동 전류를 측정한다. 모니터링 유닛은 측정된 스트리핑 가스의 유량과 측정된 구동 전류에 따라 극성 변환 장치의 동작을 제어한다. 따라서, 진공 펌프의 열화 또는 스트리핑 가스의 유량 변화에 따른 금속성 오염물의 발생을 예방할 수 있다.

公开(公告)号：KR100444201B1

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020020021319

申请日：2002-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  홍형식 ,  윤재임 ,  박충훈 ,  황완구

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: A method and an apparatus for measuring an inclination angle of an ion beam when ions are implanted into a semiconductor wafer include an ion current measuring section having a Faraday cup assembly which is rotatably installed, an angle varying section for adjusting an alignment angle of the Faraday cup assembly, and an inclination angle measuring section for measuring the inclination angle of the ion beam based on a variation of the ion current caused by a variation of the alignment angle of the Faraday cup assembly. By measuring the inclination angle of the ion beam, the incident angle of the ion beam, which is incident into the wafer during the ion implantation process, can be precisely adjusted to a predetermined critical angle. Accordingly, the channeling effect and shadow effect can be effectively prevented. The amount of the ions included in the ion beam can be precisely measured, so the amount of ions implanted into the wafer can be precisely adjusted.

Abstract translation: 用于测量离子注入半导体晶片时离子束的倾斜角的方法和设备包括：离子电流测量部分，其具有可旋转地安装的法拉第杯组件;角度变化部分，用于调节法拉第的对准角度 以及倾斜角度测量部分，用于基于由法拉第杯组件的对准角度的变化引起的离子电流的变化来测量离子束的倾斜角度。 通过测量离子束的倾斜角度，可以精确地将在离子注入过程中入射到晶片中的离子束的入射角度调节到预定的临界角。 因此，可以有效防止沟道效应和阴影效应。 包含在离子束中的离子的量可以被精确地测量，因此可以精确地调整注入到晶片中的离子的量。

公开(公告)号：KR1020040059167A

公开(公告)日：2004-07-05

申请号：KR1020020085746

申请日：2002-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  홍형식 ,  박충훈 ,  허장무 ,  이상민 ,  강현규

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for aligning a wafer are provided to obtain a desired orient angle to locate a wafer at a desired position by rotating a wafer chuck, twice. CONSTITUTION: An apparatus for aligning a wafer includes a wafer chuck, a light emission part, a light receiving part, a compensator, and a controller. The wafer chuck(100) is used for loading and rotating a wafer. The light emission part(102) is used for irradiating the light on an edge of the wafer. The light receiving part(104) is used for receiving the light from the edge of the wafer and outputting an electric signal. The compensator(106) is used for compensating the electric signal of the light receiving part to sense a wafer flat zone. The controller(112) is used for sensing the wafer flat zone according to the compensated electric signal and calculating a rotating angle of a wafer chuck to rotate the wafer chuck to the desired position.

Abstract translation: 目的：提供一种用于对准晶片的装置和方法，以获得期望的定向角度，以通过旋转晶片卡盘将晶片定位在期望位置两次。 构成：用于对准晶片的装置包括晶片卡盘，发光部分，光接收部分，补偿器和控制器。 晶片卡盘（100）用于加载和旋转晶片。 发光部分（102）用于在晶片的边缘上照射光。 光接收部分（104）用于接收来自晶片边缘的光并输出电信号。 补偿器（106）用于补偿光接收部分的电信号以感测晶片平坦区域。 控制器（112）用于根据补偿的电信号感测晶片平坦区域，并计算晶片卡盘的旋转角度以将晶片卡盘旋转到所需位置。

公开(公告)号：KR1020030079227A

公开(公告)日：2003-10-10

申请号：KR1020020018096

申请日：2002-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정태 ,  홍형식 ,  김진성 ,  이영구 ,  김정주 ,  이은구 ,  조정훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A susceptor for supporting a semiconductor substrate and a processing apparatus having the same are provided to be capable of preventing process gas from flowing to the rear surface of the semiconductor substrate by using a gas inflow preventing wall. CONSTITUTION: A susceptor(200) for supporting a semiconductor substrate is installed in a chamber, wherein the chamber is used for processing the semiconductor substrate. The susceptor is provided with a circular plate(202) for supporting the semiconductor substrate and a gas inflow preventing wall(204) installed at the upper portion of the circular plate for supporting the edge portion of the semiconductor substrate and preventing process gas from flowing between the semiconductor substrate and the plate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于支撑半导体衬底的感受体及具有该感光体的处理设备，以能够通过使用气体流入防止壁来防止工艺气体流向半导体衬底的后表面。 构成：用于支撑半导体衬底的感受器（200）安装在室中，其中室用于处理半导体衬底。 基座设置有用于支撑半导体基板的圆板（202）和安装在圆板上部的气体流入防止壁（204），用于支撑半导体基板的边缘部分，并防止工艺气体在 半导体衬底和板。

公开(公告)号：KR1020000026478A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980044010

申请日：1998-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태희 ,  홍형식

IPC: F16L37/02

CPC classification number: F16L49/02 ,  H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A quartz tube combining structure is provided to prevent the leakage of fluid from the connected part of quartz tubes. CONSTITUTION: A quartz tube combining structure is completed by a first combining part(12) formed on one end of a first quartz tube(10) and a second combining part(22) formed on one end of a second quartz tube(20). The inner face(10a) of the first quartz tube of the first combining part is formed to be tapered by a certain length. And the second combining part of the second quartz tube connected to the first combining part of the first quartz tube has a combining groove(24) to dually contact the faces of the inner face and the outer face(10b) of the first combining part. Herein, the quartz tubes are used for transferring various processing gas and chemical solutions needed for semiconductor preparation process.

Abstract translation: 目的：提供石英管组合结构，以防止液体从石英管的连接部分泄漏。 构成：通过形成在第一石英管（10）的一端上的第一组合部（12）和形成在第二石英管（20）的一端上的第二组合部（22）完成石英管组合结构。 第一组合部分的第一石英管的内表面（10a）形成为一定长度的锥形。 并且与第一石英管的第一组合部分连接的第二石英管的第二组合部分具有与第一组合部分的内表面和外表面（10b）的表面双重接触的组合槽（24）。 这里，石英管用于转移半导体制备过程所需的各种处理气体和化学溶液。

公开(公告)号：KR1019970053335A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950067539

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  최규상 ,  전상수 ,  정병효

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼를 이송장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼가 장착된 캐리어 카셋을 안전하게 이동 또는 보관을 위하여 사용되는 캐리어 박스에 관한 것이다. 종래의 캐리어 박스는 캐리어의 유동으로 파티클을 유발하여 웨이퍼를 가장 안전하게 보관하거나 이송해야할 자체가 오염소스가 되고 외관이 쉽게 손상되어 장비의 수명이 단축되는 문제점들이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 박스내의 바닥과 측면에 보강한 리브와, 커버에 캐리어를 고정하는 고정핀과, 캐리어 박스 손잡이를 보강한 보강판과, 커버에 분리되도록 형성한 봉투고정핀으로 구성하여, 캐리어의 유동을 방지하고 파손되기 쉬운 부위를 교체가능하도록 형성하여 웨이퍼의 오염을 막고 장비의 수명을 연장할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR100512006B1

公开(公告)日：2005-09-02

申请号：KR1020010011540

申请日：2001-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  신동화 ,  민병호 ,  최재흥

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2026

Abstract: 포토레지스트가 도포된 웨이퍼에서 상기 웨이퍼의 주연 부위를 정확한 간격만큼 노광하기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한 장치가 개시되어 있다. 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 이동시키면서 상기 광을 조사하여, 상기 웨이퍼의 주연 부위에 형성된 포토레지스트막을 노광한다. 상기 노광을 수행할 때, 상기 웨이퍼의 주연 부위의 정확한 위치로 상기 광이 조사되는지 검사한다. 그리고 상기 검사에 의해 광이 정확한 위치로 조사되지 않는 것이 확인되면, 상기 조사되는 광의 위치를 조정한다. 따라서 상기 광이 상기 웨이퍼의 주연 부위에 정확히 조사되는지를 검사하면서 상기 광의 위치를 조정하여, 상기 웨이퍼 주연 부위를 정확한 간격만큼 노광할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050013686A

公开(公告)日：2005-02-05

申请号：KR1020030052178

申请日：2003-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  금경수 ,  김용갑 ,  박충훈 ,  배도인 ,  채승기 ,  조정훈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586

Abstract: PURPOSE: A CVD apparatus of semiconductor device fabrication equipment is provided to connect a heating plate of a heating block to a power supply by using an electric wire projected from the heating plate. CONSTITUTION: A center portion of a lower part of a chamber(100) is connected to an exhaust line(102). A heater block(104) includes a plurality of heating plates(116,118) having a shape of plate to support a substrate. A supporting shaft(108) having a shape of tube is used for supporting a lower part of the heater block through a bottom of the chamber. The supporting shaft is used for guiding an electric wire of the heating plate to project the electric wire of the heating plate to a lower side of the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造设备的CVD装置，通过使用从加热板突出的电线将加热块的加热板与电源连接。 构成：室（100）的下部的中心部分连接到排气管（102）。 加热器块（104）包括多个加热板（116,118），其具有用于支撑基板的板的形状。 具有管形状的支撑轴（108）用于通过腔室的底部支撑加热器块的下部。 支撑轴用于引导加热板的电线，将加热板的电线突出到室的下侧。

公开(公告)号：KR1020040052411A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1020020080608

申请日：2002-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  최규상 ,  홍형식 ,  신금현 ,  박충훈

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: PURPOSE: A charge exchanger and an ion implanter are provided to prevent generation of metallic contaminant by controlling stripping gas and driver power through the metering flow of stripping gas and driver current of vacuum pump. CONSTITUTION: A charge exchanger(100) comprises a stripper canal(102) for passage of ion beam; a gas supply unit(110) connected to the stripper canal, and which supplies stripping gas to the stripper canal; a gas circulation unit(130) for interconnecting the stripper canal and the gas supply unit and circulating stripping gas; a flow metering unit(104) for metering flow of the stripping gas being supplied to the stripper canal; a current meter(106) for metering the driver current being applied to the gas circulation unit so as to drive the gas circulation unit; and a monitoring unit(150) for generating control signals for controlling processes for exchanging charges of ion beams in accordance with the metered flow of stripping gas and driver current.

Abstract translation: 目的：提供电荷交换器和离子注入机，以通过控制剥离气体和驱动器电力通过汽提气体的计量流量和真空泵的驱动电流来防止金属污染物的产生。 构成：电荷交换器（100）包括用于离子束通过的汽提器（102）; 连接到汽提槽的气体供应单元（110），并向汽提塔提供汽提气体; 气体循环单元（130），用于将汽提塔和气体供应单元和循环汽提气体相互连接; 流量计量单元（104），用于计量提供给汽提塔的汽提气体的流量; 用于计量驱动器电流的电流表（106），其被施加到所述气体循环单元，以驱动所述气体循环单元; 以及监测单元（150），用于产生用于控制根据剥离气体的计量流和驱动器电流来交换离子束的电荷的过程的控制信号。