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公开(公告)号：KR101495764B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020140033339
申请日：2014-03-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 반도체 양자점을 단일층으로 형성하여 전자수송층 및 광흡수를 증가시키는 태양전지 및 제조방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판상에 순차 적층된 제1 전극, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자수송층은 양자점을 갖는 반도체를 특징으로 하여 광전변환효율을 증가시켜 우수한 역구조 유기 태양전지를 제공할 수 있다
Abstract translation: 提供能够通过形成量子点单层来增加光吸收的有机太阳能电池和电子转移层及其制造方法。 倒置的有机太阳能电池包括依次形成在基板上的第一电极，电极转移层，光活性层，空穴传输层和第二电极。 电子转移层由具有量子点的半导体制成，从而提高光电转换效率并提供反向有机太阳能电池。
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公开(公告)号：KR101756641B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020160071305
申请日：2016-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/5253 , C01B32/182 , H01L21/02274 , H01L21/56 , H01L29/1606
Abstract: 플라즈마처리된그래핀층을포함하며, 해당플라즈마처리된그래핀층의상면은수소(H), 질소(N), 산소(O), 플루오린(F), 붕소(B), 인(P) 및황(S)으로이루어진그룹에서선택된하나이상을포함하는원소가도핑된것을특징으로하는유기전자소자용보호막이제공된다.
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公开(公告)号：KR101732078B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020140155622
申请日：2014-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전도성기판; 및상기전도성기판의표면에형성된그래핀층을구비하는전주도금용기판과, 이러한전주도금용기판을이용한전주도금방법이제시된다.
Abstract translation: 导电基板; 和电镀与电极还具有形成在导电基底的表面上的是被钉扎层的基板，该磁极还提供了使用电镀基底电铸方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160055604A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140155622
申请日：2014-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C25D1/04
Abstract: 전도성기판; 및상기전도성기판의표면에형성된그래핀층을구비하는전주도금용기판과, 이러한전주도금용기판을이용한전주도금방법이제시된다.
Abstract translation: 提供一种用于电铸的基板，包括：导电基板; 以及形成在导电基板的表面上的石墨烯层。 此外，提供了使用基板进行电铸的电铸方法。 因此，能够简化复杂的用于分层常规电铸的预处理工艺。
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17.发明授权
公开(公告)号：KR101480817B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130113046
申请日：2013-09-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , B01J23/755
CPC classification number: C23C16/342 , C23C14/34 , C23C18/1204 , C23C18/1233 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1275 , C23C18/1283 , C23C18/14
Abstract: 본 발명은 보라진 다량체를 용매에 녹여 질화 붕소 전구체 용액을 제조하고, 이를 금속촉매층의 상층 또는 하층에 코팅한 후 어닐링 하여 고품질의 고결정성 육방 질화 붕소막을 손쉽게 합성할 수 있게 하는, 보라진 다량체를 전구체로 활용하여 금속촉매 효과로 성장된 고품질의 질화 붕소막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 종래의 CVD 방법에서 문제되던 기체 전구체 제어 및 증기압 제어 등의 문제점을 해결하여 적은 비용으로 간단하게 고품질의 육방 질화 붕소막을 합성할 수 있게 되었으며 또한, 다양한 구조 및 재료에 육방 질화 붕소막을 코팅 할 수 있고, 원하는 면적에 선택적 코팅이 가능하며, 대면적화가 용이하여 복합 재료 및 다양한 재료의 코팅 응용에 용이하다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用环硼氮烷聚合物作为前体通过金属催化剂效应生长的高质量氮化硼膜，其能够通过以下方式制造氮化硼前体溶液来容易地合成高质量的高结晶六方氮化硼膜： 溶剂，并且在涂覆金属催化剂层的上层或下层之后进行退火，以及其制造方法。 本发明能够通过解决诸如现有CVD方法的问题的诸如气体前体控制，蒸汽压力控制等问题，能够以低成本方便地合成高质量六方氮化硼膜，能够涂覆各种结构和 具有六方氮化硼膜的材料能够选择性地涂覆所需区域，并且通过容易地大规模地方便地应用于复合材料和各种材料的涂层。
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公开(公告)号：KR102245866B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020190048707
申请日：2019-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B32/198 , B01J19/12 , H01G11/32 , H01M4/587
Abstract: 종래산화그래핀의합성방법은공정중 유해물질이발생하고폭발위험이있으며느린산화반응속도등 많은문제점이있었다. 그러나본 명세서의기술은이러한종래합성방법의문제점을해결하며고속으로산화그래핀을합성할수 있는방법을제안한다. 본개시의방법은강산과같은유해물질을배출하지않아산화그래핀생산단계에서유해물질의배출이없어환경오염을근본적으로배제한기술이며, 기존의산화그래핀의합성시간을획기적으로감축하여단위시간당대량의산화그래핀합성을가능하게하였다. 따라서, 본명세서에개시된산화그래핀제조방법은산화그래핀을기반으로하는슈퍼커패시터, 리튬배터리, 연료전지등의에너지저장장치와바이오의약품, 고분자복합소재, 센서와같은분야로의적용이기대된다.
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