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公开(公告)号：KR101291601B1
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020110078955
申请日：2011-08-09
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고체산을 이용한 물 분해에 의한 수소의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 내열 및 내압 재질로 이루어진 반응기 내부의 온도를 500 ~ 1500K로 유지시킨 상태에서 물이 흡착된 고체산을 연속적으로 반응기 내부로 투입하고, 고체산에 흡착된 물을 분해하여 수소를 생산하는 과정과 물 분해에 사용된 고체산을 반응기 외부로 배출시켜 다시 물을 흡착시킨 후 반응기에 재투입하는 과정을 포함한다. 본 발명에 의하면 원하는 양만큼의 물을 고체산에 흡착시키고, 연속적으로 투입함으로써 물 분해에 의한 수소의 생산량을 증가시킬 수 있으며, 따라서, 물의 열분해방식에 의한 수소생산의 경제성을 크게 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130055165A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020110120757
申请日：2011-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11B5/645 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/84 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A perpendicular magnetized thin film structure and a manufacturing method thereof are provided to convert a magnetic layer into a L10 crystal structure and secure a vertical magnetic anisotropy. CONSTITUTION: A base layer is provided(S10). A magnetic layer is provided on the base layer(S20). A metal layer is provided on the magnetic layer(S30). The base layer, the magnetic layer, and the metal layer are treated with heat(S40).
Abstract translation: 目的：提供垂直磁化薄膜结构及其制造方法，以将磁性层转换为L10晶体结构并确保垂直磁各向异性。 构成：提供基层（S10）。 在基底层上设置有磁性层（S20）。 在磁性层上设置有金属层（S30）。 加热处理基层，磁性层和金属层（S40）。
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公开(公告)号：KR101042338B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090095703
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/22 , H01F41/307 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, iii) 비자성층 위에 위치하고 고정된 자화 방향을 가지는 제2 자성층, iv) 제2 자성층 위에 위치하는 산화 방지층, v) 산화 방지층 위에 위치하고, 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 제2 자성층의 자화 방향을 고정시키는 제3 자성층, 및 vi) 제3 자성층 위에 위치하고, 제3 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층을 포함한다.
자기터널접합 디바이스, 확산, 강자성, 교환 결합-
公开(公告)号：KR100533648B1
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020030016173
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/1936 , C25D3/54 , C25D5/50 , G11C11/14 , H01F1/401 , H01F41/18 , H01F41/26 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 상온에서 큰 자기저항을 갖는 반금속 Bi 박막과 이를 이용한 스핀트로닉스 소자의 제조에 관한 것이다. 본 발명의 Bi 박막은 전기도금법과 스퍼터링법에 의하여 제조할 수 있으며, 상온에서 매우 큰 자기저항의 특성을 보이므로 다양한 스핀전자소자로 응용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020087640A
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020010026486
申请日：2001-05-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F41/307 , H01L43/12 , Y10T29/49044
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a thermal anneal method thereof are provided to improve the TMR(Tunneling Magnetoresistance) rate and optimize the characteristics of the device in a shorter time more effectively by reducing the bent of an oxide layer(Tunnel Barrier Layer). CONSTITUTION: A magnetic tunnel junction device includes an anti-ferromagnetic layer formed of anti-ferromagnetic material, a fixed layer formed on the anti-ferromagnetic layer with a ferromagnetic material, a tunnel barrier layer(16) formed on the fixing layer with an electrically insulating material, and a free layer formed on the tunnel barrier layer with a ferromagnetic material, wherein the magnetic tunnel junction device is subject to rapid thermal anneal by heating at a temperature of 200-400°C for 10sec or less and cooled for 6min or less.
Abstract translation: 目的：提供磁隧道结器件及其热退火方法，以通过减少氧化层（隧道屏障层）的弯曲来更有效地提高TMR（隧道磁阻）速率并在更短的时间内优化器件的特性， 。 构造：磁性隧道结装置包括由反铁磁材料形成的反铁磁层，在具有铁磁材料的反铁磁层上形成的固定层，在电气上形成在固定层上的隧道势垒层（16） 绝缘材料和形成在隧道势垒层上的铁磁材料的自由层，其中磁性隧道结装置通过在200-400℃的温度下加热10秒以上并冷却6分钟进行快速热退火，或 减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960008706A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940021749
申请日：1994-08-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/62
Abstract: 본 발명은 Co
x C
y P
z M
w (식 중, M은 백금 또는 니켈임)의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 재료는 코발드계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막으로서, 보자력과 각형비가 높으며, 이러한 우수한 자기적 특성으로 인하여 고밀도 자기 기록에 유리하다.-
公开(公告)号：KR101308105B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020110120757
申请日：2011-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11B5/645 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/84 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 수직자화 박막 구조체는, i) 베이스층, ii) 베이스층 위에 위치하고, L1
0 결정 구조를 가지는 자성층, 및 iii) 자성층 위에 위치하는 금속 산화물층을 포함한다.-
公开(公告)号：KR101041372B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭-
公开(公告)号：KR1020110019886A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077492
申请日：2009-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/14 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/307 , H01L43/10 , Y10T428/115 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a method for manufacturing the same are provided to improve thermal stability while increasing a reproduction signal. CONSTITUTION: A first magnetic layer(10) includes a compound. An insulating layer(20) is arranged on the first magnetic layer. A second magnetic layer(30) is arranged on the insulating layer. The second magnetic layer includes a compound First and the second magnetic layers have a vertical magnetic anisotropy.
Abstract translation: 目的：提供一种磁性隧道结装置及其制造方法，以提高再生信号的热稳定性。 构成：第一磁性层（10）包括化合物。 绝缘层（20）布置在第一磁性层上。 第二磁性层（30）布置在绝缘层上。 第二磁性层包括化合物第一和第二磁性层具有垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：KR100506138B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020030007862
申请日：2003-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
Abstract: 본 발명은 스핀 논리회로를 위한 스핀 바이폴라 트랜지스터(spin bipolar transistor)의 등가회로의 설계방법에 관한 것으로서, 스핀 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 스핀 논리회로를 구성하고자 할 때 이미 알려진 전자소자로 구성된 등가회로를 이용하여 스핀 논리회로의 설계를 용이하게 할 수 있도록 한 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로의 설계방법에 관한 것이다.
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