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公开(公告)号：KR1019990047342A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065703
申请日：1997-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 금속 배선간의 연결을 금속비아 기둥을 이용하되, 여기에 금속비아 기둥이 연속되는 공정 과정중에 쓰러지는 문제점을 보완함으로써, 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 다층 금속 배선방법이 개시되어 있다. 본 발명은, 금속배선 회로를 정의할때, 감광막 대신 금속 비아 기둥을 지지하는 절연막을 이용하여 금속식각을 수행하는 방법을 고안함으로써, 미세형상 형성을 용이하게 할 수 있도록 하였다. 금속 배선간의 전기적인 절연은 절연막 증착, SOG 갭-채움,절연막 증착을 통하여 이루어지며, CMP 공정기술을 이용하여 비아 기둥의 최상면이 드러나는 지점을 기준으로 평탄화를 수행한 후 2차 금속배선을 형성시킨다. 이후, 2차 금속배선 이전 까지의 단계를 반복 수행함으로써, 수율이 향상되고 공정이 용이한 다층 금속배선을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100199008B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960062350
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/44
Abstract: 본 발명은 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것으로, 특히, 증착에 사용되는 액체소스를 외부 가열장치에서 가열하여 소스 증기를 생성하는 동시에, 고온 운반 가스 공급장치를 이용하여 고온의 운반가스를 액체소스에 공급함으로써, 고온의 소스 증기를 중도에 응축됨이 없이 증착장치의 반응실로 공급할 수 있도록 구성된 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 외부 액체소스 공급장치는, 온도조절장치(6)에 의해 온도를 조절하면서 운반가스를 가열하여 외부 액체소스 모듈(8)에 공급하기 위한 고온 운반가스 공급장치(7)와, 온도조절장치(9)에 의해 온도가 조절되는 한편, 상기한 고온 운반가스 공급장치(7)에 의해 공급된 운반가스에 의해 소스증기를 증착장치의 반응실(10)로 공급하기 위한 외부 액체소스 모듈(8)과, 고온의 운반가스 및 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 단열시켜 공급하도록 하는 가스 공급 튜브(4)를 포함한다. 또한, 본 발명의 외부 액체소스 공급장치는, 운반 가스 공급용 튜브(3)를 통해 공급된 실온의 운반가스를 가열하는 동시에, 액체소스 용기를 가열하여 가스공급용 튜브(4)를 통해 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 공급하기 위한 대류가열형 액체소스 캐비넷(11)과, 운반가스가 캐비넷(11)내에 충분히 오래 머물면서 가열되도록 둥글게 감긴 형상을 지닌 수미터 이상의 긴 스테인레스스틸 또는 구리 튜브(1)와, 캐비넷(11)내에 설치된 열전대 등과 같은 온도센서(9a)에 의해 온도를 연속적으로 측정하면서 캐비넷(11)내의 온도를 유지시키기 위한 온도조절 장치(9)와, 액체소스가 저장되는 액체소스 용기(14)를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100155534B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950034143
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 대면적 플랫 패널 디스플레이의 제조방법에 관한 것으로, 유리판을 가공하기 전에 가공하고자 하는 면의 두께를 검사하여 두께오차가 적은 유리판으로 분류하는 단계와, 하부 유리판을 고정시키고 스페이스를 균일하게 산포하는 단계와, 그 위에 복수개의 유리판을 적층하는 단계와, 최상부와 최하부에 각각 판간물질을 개재시키면서 보조 유리판을 접착제를 통해 부착하는 단계와, 이 상태에서 그라인딩과 스무싱과 폴리싱작업을 하는 단계와, 부착된 상태를 해체하는 단계와, 측면가공된 두면에 두께가 거의 같은 보조기구를 사용하는 단계와, 유리판의 접합공정전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 박막 트랜지스터가 형성된 판과 칼라필터가 형성된 판을 형성하는 단계와, 광학적 기준면을 가지면서 진공 척이 내장된 초정밀 평면도 를 유지하고 열팽창 계수가 0인 상태의 판위에 정렬하는 단계와, 박막 트랜지스터판과 칼라필터판의 측면 접합전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 측면 접합시 지지용 유리판과 칼라필터판 사이에 광경화성 접착제를 형성시키는 단계와, 보호막을 제거하고 액정으로 처리하는 단계를 포함하는 것으로, 고화질의 대면적 플랫 패널 디스플레이의 가공성을 좋게 하면서 생산수율의 극대화를 이루고자 한 것이다
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公开(公告)号：KR1019980047743A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066257
申请日：1996-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 높은 항복전압을 갖는 고전압 전력소자에서 문제점으로 지적되는 낮은 집적도와 스탭 커버리지를 향상시킬 수 있는 전력집적회로를 제공하기 위해 고전압 전력집적 회로영역은 두꺼운 필드산화막이, 저전압 영역인 제어회로 집적영역은 얇은 필드산화막이 형성되는 이중 LOCOS 격리기술을 적용하여 제조되었다.
따라서 본 발명에 따른 전력집적회로는 스마트(smart)고전압 전력 집적회로에 이용하면 집적도 및 스탭 커버리지의 문제점을 동시에 해결할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980045950A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064202
申请日：1996-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명의 고전압 전력소자는 층간 절연막을 게이트측에서 드레인영역측으로 경사지게 형성하고, 이 층간 절연막상에 그의 일측이 게이트와 중첩(overlap)되며, 타측이 드레인영역(33)과 접속되는 V-자형 구조를 가지는 드레인 금속 전계판을 형성한 구성을 가지고 있다.
이러한 드레인 금속 전계판을 추가로 형성한 본 발명의 전력소자는 드레인 전압이 증가할 수록 금속 전계판에 가해지는 전압이 증가하고 이에 의한 수직 전계(vertical electric field)에 의해 수평전계가 감소하게 된다.
따라서, 드레인으로부터 거리에 반비례하여 수직전계를 가해줌으로서 핀치저항을 드레인 부근에 만들고, 드레인 전압이 낮은 경우 핀치저항이 발생하지 않으므로 저항 특성이 개선되어 드레인 전압이 증가할 수록 드레인으로부터 핀치저항이 증가하는 특성을 가지고 있어 고 전압에 사용이 가능하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980044993A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960063150
申请日：1996-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 안티퓨즈 소자가 FPGA (Field Programmable Gate Array)에 응용되기 위해서는 프로그래밍 되기 전에는 높은 저항값, 프로그래밍 된 후에는 낮은 저항값을 유지해야 하며, 또한 가능한 한 짧은 프로그래밍 시간 및 적절한 프로그래밍 전압을 가져야 한다. 본 발명에서는 상기의 제반 조건들을 만족시키기 위한 새로운 안티퓨즈의 제조방법을 제안하는데 그 방법으로는 금속 필라멘트가 형성될 활성층으로 종래의 비정질 실리콘 대신에 비정질 실리콘-게르마늄을 사용함으로써, 안티퓨즈 소자의 프로그래밍 에너지를 저하시킬 수 있다. 이것은 비정질 실리콘보다 비정질 실리콘-게르마늄의 열적 버짙 (thermal budget: recrystallization and melting)이 낮기 때문이다. 또한, 본 발명에서는 안티퓨즈 소자의 얇은 산화막을 비정질 실리콘-게르마늄 위에 형성함으로써, 안티퓨즈의 누설전류를 향상시킬 수 있으며 보론 나이트라이드(boron-nitride)층을 형성하여 절연막에 전도경로(conductive path)를 만들어서 불순물이 쉽게 비정질 실리콘-게르마늄에 확산되어 프로그래밍 후의 소자의 저항값을 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970052313A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052654
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 캡층과 금속 전극의 저항성 접촉 형성방법에 관한 것으로서, 상기 캡층을 상기 갈륨 비소와 격자 상수가 유사하여 격자 부정합이 발생되지 않고 불순물이 고농도로 도핑되는 저마늄으로 형성한다. 따라서, 본 발명은 고농도 도핑에 의한 결정성 및 물질의 특성의 저하를 방지할 수 있어 캡층의 접촉 저항을 감소시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
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