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公开(公告)号：KR1019990052173A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071622
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 집적형 인덕터를 제조함에 있어서 기판 변환 기술을 이용하여 인덕터 금속 배선과 기판사이의 기생 커패시턴스를 감소시킴으로써 인덕터의 성능을 개선함에 있다.
본 발명은 기판과 인덕터간의 기생용량을 감소시키기 위하여 인덕터가 형성되는 영역의 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하고, 트렌치내에 다공질 실리콘을 형성한 후, 다공질 실리콘층의 상측에 제 1 유전체층, 1차 금속배선, 제 2 유전체층과, 나선형 형상을 가지는 2차 금속배선을 형성하여 인덕터 소자를 제조한다. 또한 트렌치내 다공질 실리콘이 형성되는 하부에 전도성 도핑층을 형성하여 역전압 바이어스 인가시 기판의 손실을 최대한 억제하는 구조의 인덕터 소자를 제조한다.
본 발명은 임피던스 정합회로에 사용하는 인덕터의 성능을 개선시킬 수 있게되어 RF IC 설계를 보다 안정적이고 용이하게 한다. 또한 고주파의 미약한 신호들이 기판과의 간섭에 의해 방해를 받게되는 정도를 개선 시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990051082A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070321
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/06
Abstract: 본 발명은 초고주파 공진 집적회로에 관한 것으로서, 특히 인덕터 내경에 커패시터를 배치한 초고주파 공진회로 설계방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명은 집적형 인덕터와 집적형 커패시터를 이용하여 초고주파 공진회로를 구성하는 단계; N층 금속선과 N-1층 금속선 및 금속층간 절연막으로 집적형 인덕터를 구성하는 단계; 인덕터의 입력단을 N층 금속선으로 구성하고 인덕터의 종단을 콘택홀을 통해 N-1금속층과 연결한뒤 N-1층 금속선으로 출력단을 구성하는 단계; 불순물이 도핑된 M층 다결정실리콘과 M-1층 다결정실리콘 및 다결정실리콘층간의 절연막으로 구성된 커패시터를 구성하는 단계; 상기의 커패시터를 인덕터의 내경에 배치하는 단계; N-1층 금속선을 이용하여 M층 및 M-1층 다결정실리콘을 각각 연결하여 커패시터를 구성하는 단계; 커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 인덕터 내경에서 인덕터 바깥쪽인 입력단까지 연결하고 인덕터 입력단의 N층 금속막과 콘택홀을 통해 연결하는 단계; 인덕터 내경에 배치되어 있는 인덕터 종단의 N층 금속막과 커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 콘택홀을 통해 연결하고 N-1층 금속막을 인덕터 외부로 연결, 배치하는 단계; 상기의 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이 되게 구성하는 단계; 혹은 상기의 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이 되게 함으로써 인덕터 내경에 커패시터를 배치하여 커패시터 배치를 위한 별도의 칩 면적을 없애줌으로써 칩면적을 줄이고 이와 동시에 별도배치에 따른 기생성분을 감소시키는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로를 구현하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960008553B1
公开(公告)日：1996-06-28
申请号：KR1019930006347
申请日：1993-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: The spin-on glass coating system includes a motor for rotating a plate which holds a wafer, a housing which contains the plate, a SOG material insertion unit for applying a SOG material on the wafer by inserting the material on the rotating wafer, and a thermal energy supplying unit for providing thermal energy on the edge of the wafer, thereby improving the manufacturing process.
Abstract translation: 旋涂玻璃涂布系统包括用于旋转保持晶片的板的电机，容纳该板的壳体，用于通过将材料插入旋转晶片将SOG材料施加在晶片上的SOG材料插入单元，以及 热能供应单元，用于在晶片的边缘上提供热能，从而改进制造过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960012370A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025178
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 초고집적(VLSI)소자에 사용되는 절연막을 고압에서 산소기체 대신에 오존/산소 혼합기체와 자외선(UV : Ultra violet)을 사용하여 형성하는 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 종래의 절연막 형성 방법보다 급속한 성장속도를 얻거나 또는 양질의 절연막을 저온에서 형성할 수 있는 반도체 장치의 절연막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고압이 오존 분위기에서 산화막을 성장하는 것인데, 오존의 강한 산화력을 이용하여 플라즈마 방전과 같은 고에너지를 이용하지 않고도 저온에서 짧은 시간에 정공 트랩의 감소된 양질의 산화막을 성장할 수 있으며, 자외선(UV)조사에 으하여 더욱 낮은 온도에서 산화막 성장이 가능하게 되는 것이 특징이다. 오존의 발생은 오존발생기(ozonizer)에 산소를 유입(flow)시켜 오존(O
3 )과 산소(O
2 )의 비를 10% 정도로 하여 반응로에 주입시킨다.-
17.发明公开스퓨리어스 및 수신 밴드 잡음을 감소시키는 포락선 모듈레이터 및 이를 구비한 포락선 추적 전력 증폭장치 审中-实审用于减少噪声噪声和接收带噪声的信号跟踪调制器和带有跟踪调制器的功率放大器
公开(公告)号：KR1020160096288A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150017630
申请日：2015-02-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F1/0227 , H03F3/24 , H03F2200/102
Abstract: 무선통신단말기및/또는무선통신시스템에장착되는고효율, 고선형성의전력증폭장치의전원공급부에선형및 스위칭신호를인가하는포락선모듈레이터및 이를구비한포락선추적전력증폭장치가개시된다. 포락선추적전력증폭장치는포락선입력신호를증폭하여증폭된포락선신호를출력하는넓은대역폭을가지는포락선모듈레이터와, 상기증폭된포락선신호에따라 RF 신호를증폭하여증폭된 RF 신호를출력하는전력증폭기, 그리고상기포락선모듈레이터의출력단에병렬로연결된커패시터를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种将无线通信终端和/或无线通信系统中安装的线性和切换信号施加到功率放大器的电源部件，并且具有高效率和高线性度的包络调制器，以及包括其的包络跟踪功率放大器 。 包络跟踪功率放大器可以包括：包络调制器，其具有宽带宽以放大包络输入信号并输出放大的包络信号; 功率放大器，根据放大的包络信号放大RF信号，然后输出放大的RF信号; 以及并联连接到包络调制器的输出级的电容器。 本发明通过减少功率放大器的输出的杂散噪声和接收机频带噪声来实现具有高效率和高线性度的功率放大器来促进低噪声无线通信。
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公开(公告)号：KR100821197B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020050097449
申请日：2005-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/0277
Abstract: 본 발명은 최대 출력에서 선형성을 만족시키면서, 최대 사용빈도를 갖는 영역에서 효율을 증대시켜 배터리의 사용시간을 연장할 수 있도록 한 저소비 전력 시스템에서의 전력증폭기에 관한 것이다.
본 발명의 전력증폭기는, 외부로부터 입력된 신호를 임피던스 정합시키기 위한 입력 임피던스 정합부; 상기 입력 임피던스 정합부를 경유한 신호를 증폭하기 위한 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부; 상기 입력 신호의 전력 레벨에 따라 상기 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부를 제어하는 증폭기 제어부; 상기 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부로부터 증폭된 신호를 임피던스 정합시키기 위한 출력 임피던스 정합부; 및 상기 저출력 증폭부에 가변적인 동작 전압을 공급하기 위한 다이나믹 전압 공급부를 포함를 포함하되, 상기 고출력 증폭부는 선형성이 높은 특성을 가지며, 상기 저출력 증폭부는 최대 사용 빈도 영역에서 효율이 높으며 비선형 특성을 가진다.
상기 구성에 따라, 최대 출력에서 선형성을 만족시키면서, 최대 사용빈도를 갖는 영역에서 효율을 증대시켜 휴대기기 배터리의 사용시간을 연장할 수 있는 효과가 있다.
전력증폭기, 이동통신 단말기, 임피던스 정합부, 증폭기 제어부-
公开(公告)号：KR100345446B1
公开(公告)日：2002-07-26
申请号：KR1019990060412
申请日：1999-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본발명은결합된인덕터(coupled inductor)를이용하여고주파에서의정확한 D2S 및 S2D를보장하고, 상기결합된인덕터와병렬로커패시터를접속함으로써병렬공진에의해원하는주파수에서보다큰 임피던스를얻어 D2S 및 S2D 변환시의구동손실을제거할수 있는단일신호및 차동신호간의상호변환회로를제공하기위하여, 단일신호및 차동신호간 상호변환회로에있어서, 중앙의연결점에전원전압이연결된좌우의권수가같은제1 결합된인덕터; 상기제1 결합된인덕터의양단이, 각각의게이트와연결된차동쌍공통소스형구조의제1 및제2 N형트랜지스터를포함하여, 상기제1 결합된인덕터의일측에인가된신호전압에응답된역전압을상기제1 결합된인덕터의타측에생성하고, 상기제1 및제2 N형트랜지스터를통해쌍전류가생성되도록구성함을특징으로하며, 반도체회로등에이용됨.
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