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公开(公告)号：WO2017123075A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/KR2017/000529
申请日：2017-01-16
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/44 , G01N21/65 , H01B3/22
Abstract: 본 발명은 저중합체 유전층을 이용한 표면증강라만분석용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 기판 상에 형성된 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격을 가지는 금속 함유 박막 상에 스페이서(spacer) 역할을 하는 층으로서 저중합체 유전층을 형성하여 상기 금속 함유 박막의 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격에 대응되는 표면 형태로 수 나노미터 수준의 두께를 갖는 저중합체 유전층을 형성시킨 다음 상기 저중합체 유전층 상에 수 내지 수십 나노미터 수준의 두께로 금속 함유 나노입자를 증착시킴으로써 면밖 핫스팟 및 면내 핫스팟이 동시에 형성될 수 있는 표면증강라만분석용 기판을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用低聚合物介电层制造用于表面增强拉曼分析的基材的方法。 表面上。根据本发明，以形成低聚合物介电层作为间隔物（间隔物）作用于含金属的薄膜相已形成对应于该含金属的膜的微观层面的表面粗糙度的间距在基片上的微级的表面粗糙度的间隔层 具有低其形成聚合物介电层，然后在低聚合物介电层通过在几十纳米级厚度myeonbak热点和平面热点的沉积具有以下形式的纳米级厚度它可以在同一时间形成的含金属纳米颗粒为上 有可能为表面增强拉曼分析提供衬底。
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公开(公告)号：WO2017065530A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/KR2016/011504
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract translation:
本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。
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13.发明申请나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법 审中-公开使用纳米仪抛光的一个方向对准纳米尺寸材料的方法，使用该方法的电气装置和用于制造上述电气装置的方法
公开(公告)号：WO2014077624A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/010410
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: 본 발명은 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이 를 이용한 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 기판의 표면 층에 나노미터 수준의 폭과 깊이를 갖는 스크래치들을 일방향으로 형성하고 상기 스크래치들에 나노 물질 을 정렬하여 우수한 전기적, 기계적 또는 광학적 특성을 갖는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이를 이용한 전기 소자의 제조방법에 대 한 것이다. 본 발명은, 폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 0.1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및, 상기 스크래치들이 형성된 기 판에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法以及使用上述方法制造器件的方法。 本发明涉及一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其中在一个方向上在基底的表面层上形成具有纳米级宽度和深度的划痕，并且纳米尺寸材料 在划痕中排列，以获得优异的电气，机械或光学特性。 本发明还涉及使用上述方法制造电子装置的方法。 本发明提供一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其包括：使用抛光装置在基板中在一个方向上形成宽度为0.1至20nm的划痕的步骤（步骤1） ; 以及在衬底中引入和对准纳米尺寸材料与其中形成的划痕的步骤（步骤2）。
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公开(公告)号：KR1020210055400A
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020190141796
申请日：2019-11-07
IPC: C01B32/198 , C01B32/194 , B01J19/08
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 환원된산화그래핀제조방법을제공한다. 상기환원된산화그래핀제조방법은산화그래핀분말이분산된혼합용액을탄소계전도성와이어가구비된챔버내에충진시키는단계; 및상기혼합용액에전력을인가하여상기탄소계전도성와이어를구성하는탄소물질을전기적으로폭발시켜상기혼합용액내 상기산화그래핀분말이환원되는단계;를포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101898215B1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：KR1020160183227
申请日：2016-12-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N27/327 , C23C16/26 , C23C16/44
Abstract: 본발명은기재상에형성된그래핀전극; 상기그래핀전극상에수직성장되고, 친수성액 중에담군후 빼낼때 모세관력(capillary force)이형성되도록액이유입및 유출될수 있는개방형말단포함부위가친수처리된탄소나노튜브들의집단(cluster)을구비한탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극으로서, 상기탄소나노튜브들의집단은친수성액 중에담군후 빼내면서모세관력을통해상기인접하는탄소나노튜브들의개방형말단들이모여, 3차원나노구조가부여된하부집단(들)을구비한것이특징인탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극; 이의제조방법및 용도에관한것이다. 본발명의탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극은, 넓은친수성표면적과 3차원구조가부여되어있는, 우수한전자전달특성을가지는탄소나노튜브들의집단을통해세포가잘 달라붙을수 있는미세구조를가지며, 이는세포와전극간의거리를좁히는기능을하여세포의미세한전기신호를고감도로측정할수 있을뿐만아니라, 투명탄소전극으로제조가능하므로세포관찰이가능하다.
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18.发明公开
公开(公告)号：KR1020170073337A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150182129
申请日：2015-12-18
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은기판의방수접합에의해얻어지는세포배양용기, 이의제조방법및 상기세포배양용기의사용방법에관한것으로, 웰플레이트에기능성을부여하기위하여기능성을가지는다양한재료의바닥(플레이트)을이루는기판(제1기판)과웰을형성하기위한천공을구비한기판(제2기판)을등각접촉(conformal contact)이가능하도록접합시켜다양한기능성을구비한세포배양용기를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明的基板形成具有功能性的各种材料的细胞培养容器，它们的制备方法和底部（板）以赋予功能为，对使用的细胞培养板的方法中的孔板是由基板的防水粘结得到 （第二基材）可以保形地接触以形成具有各种功能的细胞培养容器。
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19.发明公开신규 가시광선 흡수 그레핀 박막 광촉매, 이를 이용한 산화환원효소 보조인자의 재생방법 및 이를 이용한 효소반응으로 이산화탄소로부터 포름산을 제조하는 방법 有权用于从二氧化碳甲酸作为新可见光吸收方法，其光催化列宾薄膜，这种氧化 - 还原酶辅助因子的再现方法和通过使用相同的酶反应。
公开(公告)号：KR1020170072531A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150180787
申请日：2015-12-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04 , C07D221/18 , B01J35/00 , C12N9/02
CPC classification number: Y02P20/582
Abstract: 본발명은신규가시광선흡수그레핀박막광촉매, 이를이용한산화환원효소보조인자의재생방법및 이를이용한효소반응으로이산화탄소로부터포름산을제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른그레핀복합체를포함하는광촉매는기존의전기적전환용전극대신태양광중의가시광선을흡수하는것이가능함으로써, 태양광에너지를사용하여추가적인에너지비용의낭비없이산화환원효소의보조인자를재생할수 있어경제적이고환경친화적일뿐만아니라, 박막형태로도제조가능하므로, 대량생산및 자동화가가능하며, 더욱이온난화가스인이산화탄소를고정하여다양한화합물을선택적으로제조하는인공광합성을응용한신규제조산업에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产由二氧化碳甲酸作为新可见光吸收该光催化列宾薄膜，这种方法再现氧化还原酶助理的，并使用使用相同的酶反应。 含有根据本发明的列宾复合光催化剂，通过它可以通过使用所述太阳能吸收太阳能光地方的电极的可见光用于现有电开关，发挥氧化还原酶的字符辅因子没有额外的能量成本的损失 它不仅可以成本有效和环境友好的，薄膜这样的形式也可以制备，并且大规模生产和自动化是可能的，并且在hansingyu通过将人工光合作用选择性生产各种化合物行业的固定二氧化碳的制造变暖气体而且有用 可以使用。
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公开(公告)号：KR101652427B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020140016779
申请日：2014-02-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은원자층증착방식(atomic layer deposition, ALD)에의해형성된산화아연(ZnO) 박막을구비한세포배양기재; 상기세포배양기재를이용한액틴발현을향상시키는세포배양방법; 상기세포배양기재상에서세포를배양하는단계를포함하는, 세포의액틴재배열을조절하는방법및 세포형태변화를유도하는방법; 및상기산화아연박막을구비한세포배양기재를포함한이식체또는피부부착용패치에관한것이다. 본발명의세포배양기재에구비된산화아연(ZnO) 박막은원자층증착방식(ALD)에의해제조된것으로서, 나노미터단위로미세하게조절할수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의표면상에서세포를배양함으로써인위적으로세포증식속도를조절할수 있으므로, 증식이필요한세포의증식증가와증식이불필요한세포의증식억제를통한치료적활용이가능하다.
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