公开(公告)号：GB2490606A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：GB201208994

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102012212184B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102012212184

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Erzeugen einer dotierten p-leitenden Gruppe-III/V-Substratschicht (12);Abscheiden einer amorphen hydrierten n+-leitenden Siliciumschicht (72) auf der Substratschicht, undTempern der Substratschicht und der amorphen hydrierten n+-leitenden Siliciumschicht und dadurch Bilden einer Emitterschicht, die in der Substratschicht einen n+leitenden Bereich (74) umfasst, und einer an die Emitterschicht angrenzenden epitaxialen n+-leitenden Schicht (76).

公开(公告)号：DE112012000962T5

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：DE112012000962

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： KHAKIFIROOZ ALI ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Epitaxieverfahren umfasst das Bereitstellen (402) einer frei liegenden kristallinen Zone eines Substratmaterials. Silicium wird in einem Niedertemperaturverfahren epitaxial auf dem Substratmaterial abgeschieden (404), wobei eine Abscheidungstemperatur weniger als 500°C beträgt. Ein Quellengas wird mit einem Verdünnungsgas mit einem Gasverhältnis des Verdünnungsgases zum Quellengas von weniger als 1.000 verdünnt (408).

公开(公告)号：GB2492439B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：GB201206930

申请日：2012-04-20

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/762

Abstract: A method cleaving a semiconductor material that includes providing a germanium substrate having a germanium and tin alloy layer is present therein. A stressor layer is deposited on a surface of the germanium substrate. A stress from the stressor layer is applied to the germanium substrate, in which the stress cleaves the germanium substrate to provide a cleaved surface. The cleaved surface of the germanium substrate is then selective to the germanium and tin alloy layer of the germanium substrate. In another embodiment, the germanium and tin alloy layer may function as a fracture plane during a spalling method.

公开(公告)号：GB2495828A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：GB201218439

申请日：2012-10-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

Abstract: A multi-junction III-V photovoltaic device includes a top cell 10 comprised of at least one III-V compound semiconductor material and a bottom cell 16 in contact with a surface of the top cell. The bottom cell includes a germanium-containing layer 18 in contact with the top cell, an intrinsic hydrogenated silicon-containing layer 20 in contact with a surface of the germanium-containing layer, and a doped hydrogenated silicon-containing layer 22 in contact with a surface of the intrinsic hydrogenated silicon-containing layer. The silicon-containing layers, which may be multilayers and can include one or both of germanium and carbon in different proportions, can be amorphous, nano/micro-crystalline, poly-crystalline or single-crystalline. They provide a back surface field (BSF) structure to the germanium bottom cell to enhance the open circuit voltage of the device. A metallic grid including a plurality of metal fingers 14 and patterned antireflective coatings 12 is located on an upper surface of the top cell 10 and a transparent conductive contact 24 is located on the bottom surface of the bottom cell 16.

公开(公告)号：GB2495166A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：GB201209218

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  CORTES NORMA SOSA ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

公开(公告)号：DE112011100102T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100102

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/074

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet Ausbilden einer Dotierstoffschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats; Diffundieren der Dotierstoffschicht in das Halbleitersubstrat, um eine dotierte Schicht des Halbleitersubstrats auszubilden; Ausbilden einer Metallschicht über der dotierten Schicht, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet wird, dass ein Bruch in dem Halbleitersubstrat verursacht wird; Entfernen einer Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat an dem Bruch; und Ausbilden der Photovoltaikzelle mit einem Übergang mithilfe der Halbleiterschicht. Eine Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet eine dotierte Schicht, die einen Dotierstoff umfasst, der in ein Halbleitersubstrat diffundiert ist; eine strukturierte, leitende Schicht, die auf der dotierten Schicht ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die das Halbleitersubstrat umfasst, das sich auf der dotierten Schicht auf einer Oberfläche der dotierten Schicht gegenüber der strukturierten, leitenden Schicht befindet; und eine ohmsche Kontaktschicht, die auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102013211231B4

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102013211231

申请日：2013-06-17

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  SHAHIDI GHAVAM ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Tandem-Fotovoltaikeinheit, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen (102) von massivem Germanium oder einer auf einem Siliciumsubstrat gebildeten Germaniumschicht; Nassätzen der Germaniumschicht unter Verwendung eines sauren Ätzmittels, das Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Ethanol in einem Verhältnis von 1:1:1 enthält; Bilden pyramidenartiger Formen (106; 108) in der Germaniumschicht derart, dass (111)-Kristallflächen (104) freigelegt werden, um eine texturierte Oberfläche zu bilden; Dotieren einer oberen Oberfläche (110) der Germaniumschicht, um einen ersten p-n-Übergang auf oder oberhalb der texturierten Oberfläche zu bilden; Abscheiden einer ersten Halbleiterschicht (112), die der texturierten Oberfläche folgt, auf der oberen Oberfläche, wobei die erste Halbleiterschicht eine GaAs-Schicht oder Legierungen daraus enthält; Dotieren eines Teils der ersten Halbleiterschicht, um einen zweiten p-n-Übergang (132) zu bilden; Abscheiden einer zweiten Halbleiterschicht (116), die dem Profil der texturierten Oberfläche folgt, auf der ersten Halbleiterschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht eine GaP-Schicht oder Legierungen daraus enthält; und Dotieren eines Teils der zweiten Halbleiterschicht, um einen dritten p-n-Übergang (134) zu bilden.

公开(公告)号：GB2498854A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：GB201300575

申请日：2013-01-14

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/80

Abstract: A wide band gap semiconductor buffer layer is incorporated between the channel and an insulating support layer. The conduction band offset of the buffer layer with the channel layer is sufficiently large to confine electron carriers within the channel. The buffer layer also reduces the presence of interface traps, which cause degradation of charge carriers in the channel, caused by the presence of the insulating material. The conduction band offset between the channel layer and the wide bandgap material is between 0.05 eV and 0.8 eV. The channel layer can be comprised of InGaAs or InGaSb with varying compositions of indium and gallium. The wide bandgap material can be comprised of InAlAs AlGaAs or InGaP with varying compositions of indium, aluminium or gallium. The wide bandgap material may comprise an embedded silicon delta-doped layer which provides electrons to the channel layer.

公开(公告)号：DE102012218265A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102012218265

申请日：2012-10-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird eine Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit bereitgestellt, die wenigstens eine obere Zelle, die aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial besteht und eine untere Zelle in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle aufweist. Die untere Zelle weist eine Germanium-enthaltende Schicht in Kontakt mit der wenigstens einen oberen Zelle, wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht auf. Die intrinsischen und dotierten Silicium-enthaltenden Schichten können amorph, nano/mikrokristallin, polykristallin oder einkristallin sein.