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    Hall-Effekt-Sensor mit Graphendetektionsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Hall-Effekt-Sensors
    14.
    发明专利
    Hall-Effekt-Sensor mit Graphendetektionsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Hall-Effekt-Sensors 未知

    公开(公告)号：DE102014115071B4

    公开(公告)日：2021-09-02

    申请号：DE102014115071

    申请日：2014-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DEHE ALFONS ,  ECKINGER MARKUS ,  KOLB STEFAN ,  RUHL GÜNTHER

    IPC: H01L43/06 ,  H01L27/22

    Abstract: Hall-Sensor-Struktur, aufweisend:eine Trägerschicht (502) mit einer ersten Seite;eine Keimschicht (508), die auf der ersten Seite gebildet ist; undeine Graphenschicht (516), die über mindestens einem Teil der Keimschicht (508) gebildet ist;eine Trägerstruktur (506), die über einem Teil der Graphenschicht gebildet ist;eine Einkapselungsstruktur (512, 514), die über zumindest einem Teil der Trägerstruktur (506) gebildet ist;wobei die Einkapselungsstruktur (512, 514), die Trägerstruktur (506) und die Graphenschicht (516) ein Volumen (520) einschließen, wobei das Volumen (520) imstande ist, einer Niederdruckumgebung standzuhalten,wobei zumindest ein Teil der Keimschicht (508) zwischen der Trägerschicht (502) undder Graphenschicht (516) eine Aussparung aufweist, so dass die Graphenschicht (516) lokal frei von der Keimschicht (508) ist.

    System und Verfahren für einen MEMS-Wandler
    16.
    发明专利
    System und Verfahren für einen MEMS-Wandler 未知

    公开(公告)号：DE102016208360A1

    公开(公告)日：2016-12-29

    申请号：DE102016208360

    申请日：2016-05-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ARNANTHIGO YONSUANG ,  DEHE ALFONS ,  KOLB STEFAN ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/403

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält ein Wandler eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS-Wandler) ein Substrat mit einem ersten Hohlraum, der durch das Substrat von einer Rückseite des Substrats hindurchtritt. Der MEMS-Wandler enthält außerdem eine perforierte erste Elektrodenplatte, die den ersten Hohlraum auf einer Oberseite des Substrats überlagert, eine zweite Elektrodenplatte, die den ersten Hohlraum auf der Oberseite des Substrats überlagert und von der perforierten ersten Elektrodenplatte durch ein Abstandsgebiet beabstandet ist, und ein gasempfindliches Material in dem Abstandsgebiet zwischen der perforierten ersten Elektrodenplatte und der zweiten Elektrodenplatte. Das gasempfindliche Material weist eine elektrische Eigenschaft auf, die von einer Konzentration eines Zielgases abhängig ist.

    Halbleitervorrichtung zum Emittieren von frequenzmässig eingestelltem Infrarotlicht
    18.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung zum Emittieren von frequenzmässig eingestelltem Infrarotlicht 未知

    公开(公告)号：DE102014114873A1

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：DE102014114873

    申请日：2014-10-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DEHE ALFONS ,  THEUSS HORST ,  KOLB STEFAN ,  MEINHOLD DIRK

    IPC: H01L33/58 ,  H01S5/183

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung zum Emittieren von frequenzmäßig eingestelltem Infrarotlicht umfasst eine laterale Emitterstruktur und eine laterale Filterstruktur. Die laterale Emitterstruktur ist ausgelegt, um Infrarotlicht mit einer Emitterfrequenzverteilung zu emittieren. Ferner ist die laterale Filterstruktur ausgelegt, um das Infrarotlicht, welches von der lateralen Emitterstruktur emittiert wird, zu filtern, so dass frequenzmäßig eingestelltes Infrarotlicht mit einer eingestellten Frequenzverteilung bereitgestellt wird. Der Frequenzbereich der eingestellten Frequenzverteilung ist schmaler als ein Frequenzbereich der Emitterfrequenzverteilung. Ferner ist ein lateraler Luftspalt zwischen der lateralen Emitterstruktur und der lateralen Filterstruktur angeordnet.

    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen
    19.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102012022829A1

    公开(公告)日：2013-05-29

    申请号：DE102012022829

    申请日：2012-11-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

    Abstract: In einem Aspekt weist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur die Ausbildung mehrerer erster Gräben und mindestens eines zweiten Grabens in dem Halbleitersubstrat auf. Ein Migrationsprozess wird derart angewendet, dass die ersten Gräben auf eine fortlaufende Halbleiterschicht übertragen werden, die im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Substrats in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche verläuft, durch einen fortlaufenden Hohlraum getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum mit mindestens einer ersten Öffnung in der Substratfläche verbunden ist, die durch den mindestens einen zweiten Graben ausgebildet ist. Eine erste dielektrische Schicht wird zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung ausgebildet, während der Hohlraum im Wesentlichen ungefüllt bleibt. Dann werden Abschnitte der fortlaufenden Halbleiterschicht zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung entfernt, die die Substratoberfläche mit dem Hohlraum verbindet. Dann werden mindestens obere Abschnitte der mindestens einen zweiten Öffnung mit einer zweiten dielektrischen Schicht gefüllt, sodass der Hohlraum versiegelt ist.

    Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben
    20.
    发明专利
    Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben 未知

    公开(公告)号：DE102005047414B4

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：DE102005047414

    申请日：2005-10-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN ,  PRUEGL KLEMENS ,  ZIMMER JUERGEN

    IPC: H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines magnetoresistiven Sensormoduls (100, 200, 300) mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (102), wobei eine Halbleiterschaltungsanordnung (104) angrenzend an eine Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102) in dasselbe integriert ist; Aufbringen einer Metall-Isolator-Anordnung (108) auf die Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102), wobei die Metall-Isolator-Anordnung an der Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102) angeordnet wird und eine strukturierte Metalllage (108a) und ein Isolationsmaterial (108b), das die strukturierte Metalllage (108a) zumindest teilweise umgibt, aufweist, wobei die strukturierte Metalllage (108a) elektrisch mit der Halbleiterschaltungsanordnung (104) verbunden ist; Planarisieren der Oberfläche des Isolationsmaterials (108b); Erzeugen eines Durchführungskontakts (112) durch das Isolationsmaterial (108b), so dass der Durchführungskontakt (112) mit der strukturierten Metalllage (108a) elektrisch verbunden ist; Planarisieren des Durchführungskontakts (112) vor dem Aufbringen der magnetoresistiven Sensorstruktur (110), so dass der Durchführungskontakt (112) bündig mit der Oberfläche des Isolationsmaterials (108b) abschließt; und Aufbringen einer magnetoresistiven Sensorstruktur (110) auf die...

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