公开(公告)号：DE102016122973A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122973

申请日：2016-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  EICHINGER BARBARA ,  HEINRICI MARKUS ,  KRIVEC STEFAN ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/302 ,  H01L23/482 ,  H01L29/73

Abstract: Ein Verfahren (100) zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung kann aufweisen: Bilden von mindestens einer elektronischen Komponente in einem Substrat (102); Bilden einer Kontaktstelle in elektrischem Kontakt mit der mindestens einen elektronischen Komponente (104); wobei das Bilden der Kontaktstelle aufweist (106): Bilden einer ersten Schicht über dem Substrat; Planarisieren der ersten Schicht, um eine planarisierte Fläche der ersten Schicht zu bilden; und Bilden einer zweiten Schicht über der planarisierten Fläche, wobei die zweite Schicht eine niedrigere Porosität als die erste Schicht aufweist.

公开(公告)号：DE102014116082A8

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE102014115980A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115980

申请日：2014-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER SABINE ,  KRIVEC STEFAN ,  AICHINGER THOMAS ,  OSTEMANN THOMAS

IPC: G01N27/26 ,  G01N23/227 ,  G01N27/22 ,  G01N27/44

Abstract: Ein Gerät (10) zum Analysieren einer Ionenkinetik in einer dielektrischen Teststruktur (20) umfasst ein Ionenreservoir (30), das an die dielektrische Teststruktur (20) anstößt, um bewegliche Ionen (40) zu der dielektrischen Teststruktur (20) zu liefern, eine Kondensatorstruktur (50), die gestaltet ist, um ein elektrisches Feld in der dielektrischen Teststruktur (20) längs einer vertikalen Richtung (z) zu erzeugen, und eine Elektrodenstruktur (60), die gestaltet ist, um eine elektrophoretische Kraft (F) auf bewegliche Ionen (40) in der dielektrischen Teststruktur (20) längs einer lateralen Richtung (x) zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102014116078A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE102014116078

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HILSENBECK JOCHEN ,  KONRATH JENS PETER ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer Vorderseite und einer Rückseite, der eine sich an der Vorderseite befindenden aktive Zone, eine Vorderoberflächenmetallisierungsschicht mit einer Vorderseite und einer der aktiven Zone zugewandten Rückseite, wobei die Vorderoberflächenmetallisierungsschicht auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers bereitgestellt ist und mit der aktiven Zone elektrisch verbunden ist, und eine erste Barriereschicht, die amorphes Metallnitrid umfasst und zwischen der aktiven Zone und der Metallisierungsschicht angeordnet ist, aufweist. Zudem wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Vorrichtung bereitgestellt.