公开(公告)号：DE102019126505A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102019126505

申请日：2019-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSHANGHIAS ALI ,  BINDER ALFRED ,  EICHINGER BARBARA ,  KARNER STEFAN ,  MISCHITZ MARTIN ,  PELZER RAINER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Mehrchipvorrichtung wird geschaffen. Die Mehrchipvorrichtung umfasst einen ersten Chip, einen zweiten Chip, der auf dem ersten Chip montiert ist, und ein gehärtetes gedrucktes oder gesprühtes elektrisch leitfähiges Material, das eine gesinterte elektrisch leitfähige Grenzfläche zwischen dem ersten Chip und dem zweiten Chip bildet.

公开(公告)号：DE102019009176A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102019009176

申请日：2019-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSHANGHIAS ALI ,  BINDER ALFRED ,  EICHINGER BARBARA ,  KARNER STEFAN ,  MISCHITZ MARTIN ,  PELZER RAINER

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Metallzwischenverbindung wird bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer ersten Metallschicht auf einem ersten Substrat, wobei die erste Metallschicht Kupfer und/oder Silber enthält oder daraus besteht, ein Bilden einer zweiten Metallschicht auf einem zweiten Substrat, wobei die zweite Metallschicht Kupfer und/oder Silber enthält oder daraus besteht, und ein Bilden einer gesinterten elektrisch leitfähigen Grenzfläche zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat durch Pressen des ersten Substrats auf das zweite Substrat unter Beaufschlagung von Wärme und Ultraschallenergie.

公开(公告)号：DE102015119059A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102015119059

申请日：2015-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  MISCHITZ MARTIN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitervorrichtung (100) Folgendes einschließen: ein Kontaktpad (104); einen über dem Kontaktpad (104) angeordneten Metallclip (108); und eine zwischen dem Metallclip (108) und dem Kontaktpad (104) angeordnete poröse Metallschicht (106), wobei die poröse Metallschicht (106) den Metallclip (108) und das Kontaktpad (104) miteinander verbindet.

公开(公告)号：DE102015100665A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015100665

申请日：2015-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  MISCHITZ MARTIN ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Produzieren einer Metallschicht auf einem Wafer beschrieben. In einem Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer Beschichtung, das Drucken einer Metallpartikelpaste auf den Halbleiterwafer, wodurch eine Metallschicht gebildet wird, sowie das Aufheizen der Metallschicht in einem reduzierenden Gas zum Sintern der Metallpartikelpaste oder zum Annealing einer gesinterten Metallpartikelpaste in einem Ofen.

公开(公告)号：DE102018128748A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die eine Pastenschicht umfasst, umfassend das Anbringen eines Substrats an einem Träger, wobei das Substrat eine Vielzahl von Halbleiterdies umfasst, das Aufbringen einer Schicht aus einer Paste auf das Substrat, das Strukturieren der Schicht über den Schneidbereichen des Substrats und das Schneiden des Substrats entlang der Schneidbereiche.

公开(公告)号：DE102015112804A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112804

申请日：2015-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  MISCHITZ MARTIN ,  PINCZOLITS MICHAEL ,  ROESNER MICHAEL ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67 ,  H01L21/784 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements schließt das Bilden von Bauelementregionen in einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite ein. Die Bauelementregionen werden angrenzend an die erste Seite gebildet. Das Verfahren schließt ferner das Bilden einer Keimschicht über der ersten Seite des Halbleitersubstrats und das Bilden einer strukturierten Resistschicht über der Keimschicht ein. Ein Kontaktpad ist über der Keimschicht innerhalb der strukturierten Resistschicht gebildet. Das Verfahren schließt ferner das Entfernen der strukturierten Resistschicht nach dem Bilden des Kontaktpads, um einen Teil der Keimschicht, die unter der strukturierten Resistschicht liegt, freizulegen, und das Bilden einer Schutzschicht über dem freigelegten Teil der Keimschicht ein.

公开(公告)号：DE102011003998A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：DE102011003998

申请日：2011-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  MISCHITZ MARTIN ,  MOTZ MARIO

IPC: G01R15/20 ,  G01R19/00 ,  H01L27/24 ,  H01L43/04

Abstract: Eine Integrierte Schaltung umfasst einen Halbleiterchip, der einen ersten Magnetfeldsensor umfasst. Die integrierte Schaltung umfasst eine Isoliermaterialschicht über dem ersten Magnetfeldsensor und eine gesinterte Metallschicht über der Isoliermaterialschicht. Der erste Magnetfeldsensor ist konfiguriert, um ein Magnetfeld zu erfassen, das durch einen Strom erzeugt wird, der durch die gesinterte Metallschicht fließt.