公开(公告)号：DE102015101124A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015101124

申请日：2015-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  HÄRTL ANDREAS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  LAVEN JOHANNES GEORG

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/26 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit entgegengesetzten ersten und zweiten Seiten (107, 108). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin eine Driftzone (114) in dem Halbleiterkörper (105) zwischen der zweiten Seite (108) und einem pn-Übergang. Ein Profil einer Nettodotierung der Driftzone (114) zwischen den ersten und zweiten Seiten (107, 108) ist unduliert bzw. wellenförmig und umfasst Dotierungsspitzenwerte zwischen 1 × 1013 cm–3 und 5 × 1014 cm–3. Eine Vorrichtungssperrspannung Vbr ist definiert durch eine Durchbruchspannung des pn-Übergangs zwischen der Driftzone (114) und einem Halbleiterbereich (112) eines entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der elektrisch mit der ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102005053487B4

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：DE102005053487

申请日：2005-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

公开(公告)号：DE102006025958B3

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：DE102006025958

申请日：2006-06-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  FELSL HANS-PETER ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

Abstract: The component has a semiconductor zone (6) of p-type conductivity provided in a semiconductor body (1) of n-type conductivity between electrodes (3, 5). The zone is arranged adjacent to the electrode (3), and the p-type conductivity is opposite to the n-type conductivity. Another semiconductor zone (7) of n-type conductivity has alternative zone areas (8, 9), where the area (8) has lower dopant concentration. A set of third semiconductor zones (10) is arranged at a distance from each other, where the area (9) is adjoined at the zones (10) in the direction of the electrode (3).

公开(公告)号：DE102005053487A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：DE102005053487

申请日：2005-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L29/739

Abstract: A power insulated gate bipolar transistor comprises a semiconductor body (100) having an emitter zone (11) and a drift zone, and a cell array having a first cell array section (101) with a first cell density and a second cell array section (102) with a second cell density that is lower than the first cell density. The emitter zone has lower emitter efficiency in a region corresponding to a second cell array section than in a region corresponding to a first cell array section. A power insulated gate bipolar transistor comprises a semiconductor body having an emitter zone of a first conduction type and a drift zone (12) of a second conduction type proximate to the emitter zone; and a cell array having transistor cells having a source zone (15), a body zone (14) disposed between the source and drift zones (the body zone and source zone short-circuited), and a gate electrode (16) insulated with respect to the source and body zones. The cell array has a first cell array section with a first cell density and a second cell array section with a second cell density that is lower than the first cell density. The emitter zone has lower emitter efficiency in a region corresponding to the second cell array section than in a region corresponding to the first cell array section.

公开(公告)号：DE102023209400A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023209400

申请日：2023-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BISWAS ARNAB ,  COTOROGEA MARIA ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SENG PHILIPP

IPC: H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D62/85

Abstract: Leistungshalbleiterdiode (1), umfassend: einen Halbleiterkörper (10) mit einem Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit einem Anodengebiet (102) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei das Anodengebiet (102) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist; einen zweiten Lastanschluss (12) an einer zweiten Seite (120) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit sowohl Kathodengebieten (107) des ersten Leitfähigkeitstyps als auch Short-Gebieten (108) des zweiten Leitfähigkeitstyps eines dotierten Gebiets (109), wobei das dotierte Gebiet (109) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist. Leistungshalbleiterdiode (1) konfiguriert ist, um einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Ein erster Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Kathodengebieten (107) durchquert. Ein zweiter Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Short-Gebieten (108) durchquert. Mindestens ein Widerstandselement (13) ist außerhalb des Halbleiterkörpers (10) innerhalb des zweiten Laststrompfads angeordnet, wobei das mindestens eine Widerstandselement (13) einen Widerstand mit einem positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.

公开(公告)号：DE102014005879B4

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE102014005879

申请日：2014-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  UMBACH FRANK ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Vertikale Halbleitervorrichtung (100-400, 600-800), die Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (40) der Folgendes umfasst: eine erste Oberfläche (101); eine zweite Oberfläche (102), die der ersten Oberfläche gegenüber liegt einen Rand (41), der sich in einer vertikalen Richtung, die orthogonal zu der ersten Oberfläche ist, erstreckt; einen aktiven Bereich (110); einen peripheren Bereich (120), der in einer horizontalen Richtung, die parallel zu der ersten Oberfläche ist, zwischen dem aktiven Bereich und dem Rand angeordnet ist; einen pn-Übergang (14), der benachbart zur ersten Oberfläche angeordnet ist und sich von dem aktiven Bereich in den peripheren Bereich erstreckt;- eine erste Metallisierung (10) auf der ersten Oberfläche (101) und eine erste dielektrische Schicht (5) zwischen dem Halbleiterkörper (40) und der ersten Metallisierung (10), wobei die erste Metallisierung (10) in ohmschem Kontakt mit einem Halbleitergebiet (2a) im Halbleiterkörper (40) ist, wobei die Halbleitervorrichtung im peripheren Bereich (120) ferner Folgendes umfasst:- ein erstes leitfähiges Gebiet (20, 21), das benachbart zur ersten Oberfläche (101) angeordnet ist und von einem ersten Teil der ersten Metallisierung (10) gebildet wird;- ein zweites leitfähiges Gebiet (22), das benachbart zur ersten Oberfläche angeordnet ist und in horizontaler Richtung zwischen dem ersten leitfähigen Gebiet (20, 21) und dem Rand (41) angeordnet ist und von einem zweiten Teil der ersten Metallisierung (10) gebildet wird;- wobei die erste dielektrische Schicht (5) zwischen dem Halbleiterkörper und dem ersten leitfähigen Gebiet (20, 21) und dem zweiten leitfähigen Gebiet (22) angeordnet ist, und wobei das erste leitfähige Gebiet (20, 21) und das zweite leitfähige Gebiet (22) jeweils eine vertikale Ausdehnung oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (5) aufweisen, die mit einer vertikalen Ausdehnung der ersten Metallisierung (10) oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (5) übereinstimmt; und- eine Passivierungsstruktur (6, 7) mit einer ersten und einer zweiten Passivierungsschicht (6, 7), die in einem vertikalen Querschnitt Folgendes umfasst: einen ersten Abschnitt, der zumindest teilweise das erste leitfähige Gebiet (20, 21) bedeckt und durch einen von der ersten und zweiten Passivierungsschicht (6, 7) gebildeten Stapel gebildet wird, wobei die erste Passivierungsschicht (6) direkt das erste leitfähige Gebiet (20, 21) bedeckt und die zweite Passivierungsschicht (7) auf der ersten Passivierungsschicht (6) angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt, der zumindest teilweise das zweite leitfähige Gebiet (22) bedeckt und durch die zweite Passivierungsschicht (7) aebildet wird. welche das zweite leitfähiae Gebiet direkt bedeckt, sodass der erste Abschnitt eine erste Dicke aufweist, die sich von einer zweiten Dicke des zweiten Abschnitts unterscheidet.

公开(公告)号：DE102013218494B4

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：DE102013218494

申请日：2013-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMITT MARKUS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/56

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der ein Innengebiet (110) und ein Randgebiet (120) aufweist;eine Passivierungsschicht (20), die wenigstens auf einer an das Randgebiet angrenzenden Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, die ein Halbleiteroxid aufweist und die einen Defektbereich mit Kristalldefekten aufweist, die als Getterzentren für Verunreinigungen dienen.

公开(公告)号：DE10104264A1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：DE10104264

申请日：2001-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861

Abstract: The field plate edge structure of the power diode has at least one field plate (4,6) separated from the semiconductor body (1) via an insulating layer (5) and enclosing a pn junction formed in the semiconductor body via a dished anode zone (2) of opposite conductivity type. The field plate is coupled via an additional zone (7) of the same conductivity type as the dished anode zone with the latter and an anode metallisation (3) contacting the dished anode zone.

公开(公告)号：DE102018116332B4

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102018116332

申请日：2018-07-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PEI-SHAN HSIEH ALICE ,  PFIRSCH FRANK ,  HUESKEN HOLGER ,  BRANDT PHILIP ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  UHNEVIONAK VIKTORYIA

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (110), das einen zentralen Bereich, der ein aktives Gebiet (103) der Halbleitervorrichtung (100) definiert, und einen Peripheriebereich zwischen dem zentralen Bereich und einem lateralen Rand (105) des Halbleitersubstrats (110) aufweist, wobei der Peripheriebereich ein Randabschlussgebiet (104) der Halbleitervorrichtung (100) definiert;mehrere nichtmetallische Elektroden (120), die sich in dem Randabschlussgebiet (104) auf einer Vorderseite (111) des Halbleitersubstrats (110) erstrecken, wobei die mehreren nichtmetallischen Elektroden (120) wenigstens drei nichtmetallische Elektroden (120) aufweisen, die voneinander beabstandet sind, wobei eine der nichtmetallischen Elektroden (120) eine innere nichtmetallische Elektrode (121) mit einem Innenrand ist und eine andere der nichtmetallischen Elektroden (120) eine äußere nichtmetallische Elektrode (124) mit einem Außenrand ist, wobei der kürzeste Abstand zwischen dem Innenrand der inneren nichtmetallischen Elektrode (121) und dem Außenrand der äußeren nichtmetallischen Elektrode (124) als ein Abstand p definiert ist;eine elektrisch isolierende untere Schicht (130), die zwischen dem Halbleitersubstrat (110) und den mehreren nichtmetallischen Elektroden (120) angeordnet ist;wobei jede der nichtmetallischen Elektroden (120, 121, 122, 123, 124) elektrisch mit einem jeweiligen Dotierungsgebiet (160, 161, 162, 163, 164) des Halbleitersubstrats (110) durch wenigstens zwei jeweilige metallische Stopfen (140, 141, 142, 143, 144) verbunden ist, die sich jeweils durch eine jeweilige erste Öffnung (131) erstrecken, die in der elektrisch isolierenden unteren Schicht (130) gebildet ist, wobei der kürzeste Abstand d zwischen zwei beliebigen der metallischen Stopfen (141, 142) unterschiedlicher nichtmetallischer Elektroden (120, 121, 122, 123, 124) größer als der Abstand p ist; undeine elektrisch isolierende Deckschicht (133) auf und in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der mehreren nichtmetallischen Elektroden (120, 121, 122).

公开(公告)号：DE102019111786A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102019111786

申请日：2019-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHEIPER THILO ,  SCHRAML KONRAD

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ein aktives Gebiet (1-2) mit wenigstens einer Leistungszelle (1-1), wobei das aktive Gebiet (1-2) ein Gesamtvolumen aufweist, wobei das Gesamtvolumen Folgendes aufweist: ein zentrales Volumen (1-21), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet; ein Peripherievolumen (1-22), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet und das zentrale Volumen (1-21) umgibt; und ein äußerstes Peripherievolumen (1-23), das wenigstens 5 % des Gesamtvolumens bildet und das Peripherievolumen (1-22) umgibt. Die Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ferner Folgendes: ein Randabschlussgebiet (1-3), das das äußerste Peripherievolumen (1-23) des aktiven Gebiets (1-2) umgibt, wobei das Peripherievolumen (1-22) eine konstante laterale Entfernung von dem Randabschlussgebiet (1-3) hat; einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (110) und einer Rückseite (120), wobei der Halbleiterkörper (10) sowohl einen Teil des aktiven Gebiets (1-2) als auch einen Teil des Randabschlussgebiets (1-3) bildet; einen ersten Lastanschluss (11) auf der Halbleiterkörpervorderseite (110) und einen zweiten Lastanschluss (12) auf der Halbleiterkörperrückseite (120); ein erstes dotiertes Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden ist; ein zweites dotiertes Halbleitergebiet (102), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem zweiten Lastanschluss (12) verbunden ist. Das erste dotierte Halbleitergebiet (101) und/oder das zweite dotierte Halbleitergebiet (102) weisen einen zentralen Teil (101-21; 102-21) auf, der sich in das zentrale Volumen (1-21) des aktiven Gebiets (1-2) erstreckt und eine zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist; einen Peripherieteil (101-22; 102-22), der sich in das Peripherievolumen (1-22) des aktiven Gebiets (1-2) hinein erstreckt und eine Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist, wobei die zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis um wenigstens 5 % oder um wenigstens 10 % niedriger als die Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis ist.