-
公开(公告)号:DE102013202906A1
公开(公告)日:2014-08-28
申请号:DE102013202906
申请日:2013-02-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ILLEK STEFAN , LUGAUER HANS-JÜRGEN , MOOSBURGER JÜRGEN , SCHWARZ THOMAS , VARGHESE TANSEN
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer Vorderseite und einer Rückseite, zum Aufbringen einer Opferschicht auf der Rückseite, zum Ausbilden eines Formkörpers, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird, und zum Entfernen der Opferschicht.
-
公开(公告)号:DE102013202902A1
公开(公告)日:2014-08-28
申请号:DE102013202902
申请日:2013-02-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , LUGAUER HANS-JÜRGEN , MOOSBURGER JÜRGEN , ILLEK STEFAN , VARGHESE TANSEN , SABATHIL MATTHIAS
IPC: H01L33/48 , H01L31/0203 , H01S5/022
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Trägeroberfläche, wobei ein erster lateraler Abschnitt der Trägeroberfläche gegenüber einem zweiten lateralen Abschnitt der Trägeroberfläche erhaben ist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche auf der Trägeroberfläche, wobei die erste Oberfläche der Trägeroberfläche zugewandt wird, und zum Ausbilden eines Formkörpers mit einer der Trägeroberfläche zugewandten Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, wobei der Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird.
-
公开(公告)号:DE102013101530A1
公开(公告)日:2014-08-21
申请号:DE102013101530
申请日:2013-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , GÖÖTZ BRITTA , DIRSCHERL GEORG , MÖNCH WOLFGANG , LINKOV ALEXANDER
IPC: F21V11/00 , H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20). Relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) unbeweglich ist der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) eine Blende (3) ständig nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Die Strahlungshauptseite (20) weist eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Es ist die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schaltbar und umgekehrt. Die Blende (3) weist genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission auf. Es erstreckt sich die Blende (3) durchgehend und zusammenhängend über die Strahlungshauptseite (20).
-
14.
公开(公告)号:DE112015004077B4
公开(公告)日:2025-02-27
申请号:DE112015004077
申请日:2015-08-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: PINDL MARKUS , MOOSBURGER JÜRGEN
IPC: H10H20/852 , H01L21/50 , H01L21/98 , H10H20/85 , H10H20/853 , H10H20/856 , H10H20/857
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20)mit den folgenden Schritten:- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) und eines Reflektors (400) an einer Oberseite (111) einer Trägerfolie (110);- Anordnen eines Vergussmaterials (500) in einem Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) und dem Reflektor (400);- Ausbilden eines Formkörpers (600), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200), der Reflektor (400) und das Vergussmaterial (500) in den Formkörper (600) eingebettet werden,wobei der Formkörper (600) so ausgebildet wird, dass eine von der Trägerfolie (110) abgewandte Oberfläche (202) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) durch den Formkörper (600) bedeckt wird,wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst:- Entfernen eines Teils (610) des Formkörpers (600), um die von der Trägerfolie (110) abgewandte Oberfläche (202) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise freizulegen.
-
公开(公告)号:DE102017117859A1
公开(公告)日:2019-02-07
申请号:DE102017117859
申请日:2017-08-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , HALBRITTER HUBERT , BRICK PETER , PERÄLÄ MIKKO
Abstract: In einer Ausführungsform werden mit den Verfahren mit einer autostereoskopischen Anzeigevorrichtung (1) Bilder und/oder Filme angezeigt. Die Anzeigevorrichtung (1) weist mindestens 100 × 70 Bildpunkte (2) zur dreidimensionalen Darstellung der Bilder und/oder Filme auf. Jeder der Bildpunkte (2) bedient mindestens N Abstrahlrichtungen (R) und weist dazu mindestens N Subpixel (3) auf. N ist eine natürliche Zahl größer oder gleich 12. Für jede Abstrahlrichtung (R) wird ein Teilbild ausgesandt, dass aus dem zu dieser Abstrahlrichtung (R) gehörigen Subpixeln (3) aller Bildpunkte (2) zusammengesetzt wird. Ansteuerdaten für zumindest einige der Subpixel (3) werden mittels eines Datenkompressionsalgorithmus, insbesondere einer Delta-Kodierung, an die Anzeigevorrichtung (1) übertragen.
-
公开(公告)号:DE112017001791A5
公开(公告)日:2018-12-13
申请号:DE112017001791
申请日:2017-03-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , SABATHIL MATTHIAS , SINGER FRANK
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/50 , H05B44/00
-
公开(公告)号:DE102016113168A1
公开(公告)日:2018-01-18
申请号:DE102016113168
申请日:2016-07-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , MARTIN ALEXANDER , MOOSBURGER JÜRGEN , ENGL KARL
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand mit einer Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen und einem Träger mit Leitbereichen. Die lichtemittierenden Bauelemente weisen jeweils eine Oberseite mit einem Oberseitenkontakt und eine Unterseite mit einem Unterseitenkontakt auf. Ferner sind die lichtemittierenden Bauelemente ausgebildet, elektromagnetische Strahlung über die Oberseite zu emittieren. Die Unterseitenkontakte der lichtemittierenden Bauelemente sind mit den Leitbereichen elektrisch leitfähig verbunden. Die Oberseitenkontakte sind mit einer leitfähigen Schicht elektrisch kontaktiert sind. Die lichtemittierenden Bauelemente weisen jeweils mindestens vier lichtemittierende Halbleiterchips auf, wobei die lichtemittierenden Halbleiterchips innerhalb eines lichtemittierenden Bauelements parallel miteinander verschaltet sind, und wobei die lichtemittierenden Halbleiterchips innerhalb eines lichtemittierenden Bauelements jeweils mit den Oberseitenkontakten und den Unterseitenkontakten dieses lichtemittierenden Bauelements elektrisch leitfähig verbunden sind.
-
公开(公告)号:DE112015005004A5
公开(公告)日:2017-08-03
申请号:DE112015005004
申请日:2015-11-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN , SABATHIL MATTHIAS , SPERL MATTHIAS , HOXHOLD BJÖRN
-
19.
公开(公告)号:DE102015106367A1
公开(公告)日:2016-10-27
申请号:DE102015106367
申请日:2015-04-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN , MALM NORWIN VON , DIRSCHERL GEORG
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiodenanordnung (1) aufweisend zumindest einen ersten Lumineszenzdiodenchip (2) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (3), der über die Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, zumindest ein Hybridpolymer (4), dass im Strahlengang des ersten Lumineszenzdiodenchips (2) angeordnet ist, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei das Hybridpolymer (4) thermisch und/oder durch Strahlung vernetzt ist, wobei die erste Strahlungsaustrittsfläche (3) und das Hybridpolymer (4) in direktem mechanischem Kontakt stehen.
-
公开(公告)号:DE112014005331A5
公开(公告)日:2016-08-04
申请号:DE112014005331
申请日:2014-10-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: PINDL MARKUS , MOOSBURGER JÜRGEN , JEREBIC SIMON , SINGER FRANK
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/60
-
-
-
-
-
-
-
-
-