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公开(公告)号：DE102007060204A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：DE102007060204
申请日：2007-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip, comprising an active zone for generating radiation having a wavelength lambda and a structured region having irregularly arranged structure elements which contain a first material having a first refractive index n1 and which are surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n2. A method for producing a semiconductor chip of this type is furthermore specified.
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公开(公告)号：DE102007044439A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：DE102007044439
申请日：2007-09-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHILLGALIES MARC , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN , LELL ALFRED , AVRAMESCU ADRIAN , BRUEDERL GEORG , STRAUS UWE
Abstract: The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.
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公开(公告)号：DE102006046297A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：DE102006046297
申请日：2006-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN , LELL ALFRED
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公开(公告)号：WO2009039811A3
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2008001423
申请日：2008-08-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), which has an active zone (2) for generating radiation having the wavelength lambda and a structured region (3) having structure elements disposed at irregular intervals, said elements comprising a first material having a first refractive index n1 and surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n2. Furthermore, a method for producing such a semiconductor chip is provided.
Abstract translation: 本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片（1）具有用于产生波长为λ的辐射，并且结构化的区域的活性区域（2）（3）与不规则地排列，其包括具有第一折射率n1和所述第一种材料的结构元件 被具有第二折射率n2的第二材料的介质包围。 此外，指定了用于制造这种半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：DE102007060204B4
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：DE102007060204
申请日：2007-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH DR , RUMBOLZ CHRISTIAN
Abstract: Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit- einer aktiven Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung der Wellenlänge λ, und einem strukturierten Bereich (3), der der aktiven Zone nachgeordnet ist und unregelmäßig angeordnete Strukturelemente aufweist, die ein erstes Material mit einem ersten Brechungsindex nenthalten und die von einem Medium umgeben sind, das ein zweites Material mit einem zweiten Brechungsindex naufweist, wobei der Strahlung emittierende Halbleiterchip (1) ein Laser-Array mit mehreren Streifenlasern (12) ist und mehrere strukturierte Bereiche (3) aufweist, wobei jeweils ein strukturierter Bereich (3) zwischen zwei benachbarten Streifenlasern (12) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (1) eine durchgehende aktive Zone (2) aufweist, die sich unterhalb der Streifenlaser (12) erstreckt,wobei der Halbleiterchip eine Zwischenschicht aufweist, welche die Strukturelemente und das Medium aufweist, wobei die Dicke der Zwischenschicht einer maximalen Höhe der Strukturelemente entspricht, und wobei für einen effektiven Brechungsindex nder Zwischenschicht n
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017118477A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：DE102017118477
申请日：2017-08-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01S5/00
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3) und einer Stegwellenleiterstruktur (9) mit einem Steg, der sich in einer longitudinalen Richtung (93) von einer Lichtauskoppelfläche (6) zu einer Rückseitenfläche (7) erstreckt und der in einer senkrecht zur longitudinalen Richtung (93) stehenden lateralen Richtung (91) durch Stegseitenflächen (11) begrenzt wird, aufweist, wobei der Steg einen ersten Bereich (910) und einen in einer senkrecht zur longitudinalen und lateralen Richtung stehenden vertikalen Richtung (92) daran angrenzenden zweiten Bereich (920) aufweist, wobei der Steg im ersten Bereich (910) ein erstes Halbleitermaterial und im zweiten Bereich (920) zumindest ein vom ersten Halbleitermaterial verschiedenes zweites Halbleitermaterial aufweist, wobei der Steg im ersten Bereich (910) eine erste Breite (919) aufweist und wobei der Steg im zweiten Bereich (920) eine zweite Breite (929) aufweist, die größer als die erste Breite (919) ist.
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公开(公告)号：DE102014115253A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：DE102014115253
申请日：2014-10-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN , GERHARD SVEN
IPC: H01L21/308 , H01S5/22 , H01S5/24
Abstract: Es werden ein Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge sowie eine Halbleiterlaser-Vorrichtung angegeben. Bei dem Verfahren erfolgt die Erzeugung zumindest eines Grabens (4) in der Schichtenfolge (10) durch zwei Plasmaätzverfahren. Die Halbleiterlaser-Vorrichtung umfasst eine Schichtenfolge (10), die mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, und zwei Gräben (4) in der Schichtenfolge (10), die einen Stegwellenleiter (30) seitlich begrenzen, wobei jeder der Gräben (4) an seiner dem Stegwellenleiter (30) abgewandten Seite von einem Bereich (A) der Schichtenfolge (10) begrenzt ist.
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公开(公告)号：DE102010046793A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：DE102010046793
申请日：2010-09-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , NELZ CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN , HARTAUER STEFAN
Abstract: Es ist eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen, die einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Planarisierungsschicht (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist einen Grundkörper (2a) und einen Stegwellenleiter (2b) auf, wobei der Grundkörper (2a) eine aktive Schicht (2c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist. Die Planarisierungsschicht (3) bettet den Stegwellenleiter (2b) derart ein, dass eine Oberfläche (21) des Stegwellenleiters (2b) und eine Oberfläche (22) der Planarisierungsschicht (3) eine ebene Hauptfläche (4) ausbilden. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen.
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公开(公告)号：DE112016000795A5
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE112016000795
申请日：2016-02-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER JENS , STEPHAN CHRISTOPH , WALTER ROBERT , RUMBOLZ CHRISTIAN , HARTAUER STEFAN
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20.发明专利
公开(公告)号：DE102011012928A1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：DE102011012928
申请日：2011-03-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR , BIEBERSDORF ANDREAS DR , VOGL ANTON , BUTENDEICH RAINER DR , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01L33/22 , H01L21/205
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), – Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1), – Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13), – Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und – Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.
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