Abstract:
Es wird eine Videowand-Modul mit einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips vorgeschlagen, wobei die Leuchtdiodenchips an einer mehrlagigen Leiterplatte angeordnet sind, wobei ein Schaltungschip an der Leiterplatte befestigt ist, wobei der Schaltungschip mit elektrischen Anschlüssen der Leuchtdiodenchips verbunden ist, um die Leuchtdiodenchips elektrisch anzusteuern, wobei ein Gehäuse für den Schaltungschip wenigstens teilweise durch die Leiterplatte gebildet ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) mit einer Unterseite auf einer Oberseite (30) eines ersten Trägers (3) angeordnet ist, wobei der erste Träger (3) transparent für die Strahlung des Bauelementes (2) ist, wobei der erste Träger (3) mit einer Unterseite (31) auf einer Oberseite (13) eines zweiten Trägers (4) angeordnet ist, wobei der zweite Träger (4) zweite elektrische Kontakte (10, 11) aufweist, wobei die zweiten elektrischen Kontakte (10, 11) über elektrische Leitungen (16, 17) mit elektrischen Kontakten (14, 15) des Bauelementes (2) verbunden sind.
Abstract:
Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, bei dem der Träger eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, welche verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).
Abstract:
Es wird ein Konversionselement (100) beschrieben. Das Konversionselement (100) umfasst eine Konversionsschicht (16), welche ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst, eine erste Verkapselungsschicht (30) auf einer ersten Hauptfläche (20) der Konversionsschicht, wobei die erste Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 10 µm und 500 µm aufweist, und eine zweite Verkapselungsschicht (32) auf einer zweiten Hauptfläche (22) der Konversionsschicht, wobei die zweite Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 0,1 µm und 20 µm aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (200) und ein Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen angegeben.
Abstract:
Das Verfahren ist zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Modulen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte : A) Bereitstellen eines metallischen Trägerverbunds (20) mit einer Mehrzahl von Trägereinheiten (2), B) Aufbringen eines Logikchips (3) mit je wenigstens einem integrierten Schaltkreis auf die Trägereinheiten (2), C) Aufbringen von Emitterbereichen (4) zur Strahlungserzeugung, die einzeln elektrisch ansteuerbar sind, D) Abdecken der Emitterbereiche (4) und der Logikchips (3) mit einem Schutzmaterial (5), E) Umspritzen der Emitterbereiche (4) und der Logikchips (3), sodass ein Vergusskörper (6) entsteht, der die Trägereinheiten (2) und die Logikchips (3) und die Emitterbereiche (4) miteinander verbindet, F) Entfernen des Schutzmaterials (5) und Aufbringen von elektrischen Leiterbahnen (7) auf die Oberseiten der Logikchips (3) sowie auf eine Vergusskörperoberseite (60), und G) Zerteilen des Trägerverbunds (20) zu den Modulen.
Abstract:
Es wird ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (10), einer Vielzahl von ersten Kontaktelementen (31), einer Vielzahl von zweiten Kontaktelementen (32), und einem Formkörper (40) angegeben. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Vielzahl von ersten Kontaktelementen (31) mit einer ersten Halbleiterschicht (21) und die Vielzahl von zweiten Kontaktelementen (32) mit einer zweiten Halbleiterschicht (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (10) elektrisch leitend verbunden ist; der Formkörper (40) den optoelektronischen Halbleiterchip (10) zumindest teilweise umgibt; das Halbleiterbauelement eine Montagefläche (50) aufweist, die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (40) gebildet ist; und die Vielzahl von ersten und die Vielzahl von zweiten Kontaktelementen im Bereich der Montagefläche durch den Formkörper hindurchragen. Es wird außerdem ein Verfahren zur Herstellung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers, ein Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips auf dem Träger, und ein Ausbilden einer Konversionsschicht zur Strahlungskonversion auf dem Träger, wobei die optoelektronischen Halbleiterchips von der Konversionsschicht umgeben sind. Weiter vorgesehen ist ein Durchführen eines Vereinzelungsprozesses zum Bilden von separaten optoelektronischen Bauelementen, wobei wenigstens die Konversionsschicht durchtrennt wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.
Abstract:
Angegeben wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit - zumindest einem Halbleiterchip (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge (200), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Montagefläche (11), an der zumindest ein elektrischer Kontakt (51, 52) für die externe Kontaktierung des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei die Montagefläche parallel zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verläuft; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die schräg oder senkrecht zur Montagefläche verläuft; - einer Strahlungsführungsschicht (3), die im Strahlengang zwischen dem Halbleiterchip und der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist; und - einem Reflektorkörper (4), der bereichsweise an die Strahlungsführungsschicht angrenzt und den Halbleiterchip in Aufsicht auf das Halbleiterbauelement überdeckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.
Abstract:
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt und einen Formwerkstoff auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist aus einem elektrisch leitenden Material gebildet und weist eine erste Seite und eine von der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf. Der Leiterrahmenabschnitt weist einen Kontaktabschnitt auf, der an der ersten Seite einen Kontaktbereich zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements aufweist. Der Leiterrahmenabschnitt weist mindestens einen Aufnahmeabschnitt auf, der an der ersten Seite einen Aufnahmebereich zum Anordnen des elektronischen Bauelements aufweist. Der Kontaktabschnitt und der Aufnahmeabschnitt sind körperlich voneinander getrennt. Der Kontaktabschnitt ist in Richtung senkrecht zu der ersten Seite dünner ausgebildet als der Aufnahmeabschnitt. Der Formwerkstoff weist eine Aufnahmeausnehmung auf, in der der Aufnahmebereich und der Kontaktbereich frei gelegt sind. Der Leiterrahmenabschnitt ist so in den Formwerkstoff eingebettet, dass ein Teil des Formwerkstoffs zwischen dem Kontaktabschnitt und dem Aufnahmeabschnitt ausgebildet ist und dass die zweite Seite des Leiterrahmenabschnitts, im Bereich des Kontaktabschnitts von dem Formwerkstoff bedeckt ist und die zweite Seite des Leiterrahmenabschnitts im Bereich des Aufnahmeabschnitts frei von Formwerkstoff ist.