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    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
    12.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
    光电子器件及其制造方法的光电子器件

    公开(公告)号：WO2013017466A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：PCT/EP2012064434

    申请日：2012-07-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEYER GUDRUN ,  HOEPPEL LUTZ ,  ZULL HERIBERT

    Inventor： GEYER GUDRUN ,  HOEPPEL LUTZ ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/44 ,  H01L21/02 ,  H05K3/38

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01S5/0282

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component, which has a semiconductor layer sequence (10) having an optoelectronically active region and a dielectric layer (20) on the semiconductor layer sequence (10) and a metal layer (40) on the dielectric layer (20). An adhesive layer (30) is arranged between the dielectric layer (20) and the metal layer (40), which adhesive layer is connected covalently to the dielectric layer (20) and the metal layer (40). The invention further relate to a method for producing an optoelectronic component.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电器件，其包括具有光电有源区和在半导体层序列（10）和介电层（20）上的金属层（40）的介电层（20）的半导体层序列（10）。 该介电层（20）和金属层（40）被布置的粘接剂层（30），其被共价键合到介电层（20）和连接到所述金属层（40）之间。 此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    13.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102013110853A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：DE102013110853

    申请日：2013-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist, und mit einem Träger (5), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei – im Träger ein pn-Übergang (55) ausgebildet ist; – der Träger auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (501) einen ersten Kontakt (61) und einen zweiten Kontakt (62) aufweist; und – der aktive Bereich und der pn-Übergang über den ersten Kontakt und den zweiten Kontakt bezüglich der Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

    HERSTELLUNG VON VEREINZELTEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    14.
    发明专利
    HERSTELLUNG VON VEREINZELTEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 未知

    公开(公告)号：DE102012215067A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：DE102012215067

    申请日：2012-08-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L21/301 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von vereinzelten Halbleiterbauelementen (191, 192). Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), und ein Durchführen eines Ätzprozesses zum Ausbilden von Vertiefungen (160) an einer Seite (102) des Ausgangssubstrats (100). Die Vertiefungen (160) sind im Bereich der herzustellenden Halbleiterbauelemente (191, 192) angeordnet. Zwischen den Vertiefungen (160) vorliegende Wandungen (161) sind im Bereich von zum Durchtrennen des Ausgangssubstrats (100) vorgesehenen Trennbereichen (140) angeordnet. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Ausbilden einer metallischen Schicht (130) auf der Seite (102) des Ausgangssubstrats (100) mit den Vertiefungen (160) und Wandungen (161), und ein Durchführen eines weiteren Ätzprozesses zum Durchtrennen des Ausgangssubstrats (100) in den Trennbereichen (140) und Bilden der vereinzelten Halbleiterbauelemente (191, 192).

    17.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE502005008192D1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：DE502005008192

    申请日：2005-06-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS ,  WIRTH RALPH ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/46

    Abstract: The invention describes a method for producing a reflective layer system and a reflective layer system for application to a III/V compound semiconductor material, wherein a first layer, containing phosphosilicate glass, is applied directly to the semiconductor substrate Disposed thereon is a second layer, containing silicon nitride. A metallic layer is then applied thereto.

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