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公开(公告)号：CN102556945B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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公开(公告)号：CN104053626A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280063151.0
申请日：2012-10-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02178 , B81B7/0032 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00595 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/053 , H01L21/0228
Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。
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公开(公告)号：CN107848790A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043529.9
申请日：2016-05-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： R·赖兴巴赫
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C1/00301 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及一种用于微电子结构元件装置的制造方法和相应的微电子结构元件装置。所述制造方法在此包括所述步骤，据此提供一种具有第一表面和与所述第一表面相对置的第二表面以及至少一个侧面的传感器，其中，所述第一表面至少局部地具有探测面。在下一步骤中将牺牲材料施加到所述传感器的第一表面上，其中，所述探测面至少局部地被所述牺牲材料覆盖并且所述牺牲材料延伸至所述传感器的侧面。此外，提供具有安装面的载体。然后将所述传感器电连接到所述载体上，其中，所述传感器的第一表面和所述载体的安装面彼此相对置地具有间距。接下来除去所述牺牲材料，其中，所述探测面至少部分地免受所述牺牲材料的约束。
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公开(公告)号：CN107235470A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710387527.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 中国计量大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00539 , B81C1/00801 , B81C2201/053
Abstract: 本发明公开了一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护。氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积。淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。利用上述工艺参数淀积的氮化硅薄具有针孔密度和缺陷少的优点，可以光刻并刻蚀后在双面或正面湿法腐蚀过程中保护芯片正面的特定区域的金属及多晶硅材料。
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公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105102371A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480007653.0
申请日：2014-01-15
Applicant: 皮克斯特隆尼斯有限公司
Inventor： 哈维尔·维拉里尔 , 蒂莫西·J·布罗斯尼汉 , 贾斯珀·洛德维克·斯泰恩 , 理查德·S·佩恩 , 斯蒂芬·R·刘易斯
CPC classification number: G02B26/02 , B81B3/007 , B81B2201/045 , B81B2203/0163 , B81B2203/051 , B81C2201/053 , B81C2201/112 , G02B26/023 , G09G3/22
Abstract: 本发明提供用于快门组合件的相对较薄且不太硬的顺应性梁的系统、方法及设备。在将所述快门组合件从牺牲模具释放之前在所述快门组合件之上沉积保护涂层并图案化所述保护涂层，所述快门组合件形成于所述牺牲模具之上。因为所述顺应性梁的一些主要表面接触所述牺牲模具，所以这些主要表面并未涂布有所述保护涂层。因此，当最后释放所述快门组合件时，所述所得顺应性梁相对较薄且不太硬，从而提供用以操作所述快门组合件的致动电压的减小。在一些情况下，在释放之前将所述保护涂层图案化成不连续片段。
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公开(公告)号：CN103262207A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180040593.9
申请日：2011-06-21
Applicant: VTT技术研究中心
IPC: H01L21/02 , B81C1/00 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/0228 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/0167 , B81C2201/053 , B81C2203/0118 , H01L29/02
Abstract: 一种制造多层衬底结构的方法，例如CSOI晶片结构（空腔-SOI，绝缘体上的硅）包括获得第一和第二晶片，如两个硅晶片，其中至少一个晶片可以可选地设置有材料层如氧化物层（302，404），在第一晶片的结合侧形成空腔（306，406），沉积，优选通过ALD（原子层沉积），材料层，如薄氧化铝层，设置在任一个晶片上，以便至少位于面对另一个晶片的位置并覆盖第一晶片的空腔的至少一部分，如其底部、壁和/或边缘，并能够停止蚀刻至底层材料（308，408），例如干蚀刻，并将设置有至少上述ALD层为中间层的晶片结合在一起以形成多层半导体衬底结构（310，312）。介绍了相关的多层衬底结构。
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公开(公告)号：CN102556945A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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公开(公告)号：CN102452638A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110334782.9
申请日：2011-10-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B2207/07 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种制作微机电系统(MEMS)装置的方法。形成MEMS装置(10)的方法包括在衬底(12)上方形成牺牲层(34)。所述方法进一步包括在牺牲层(34)上方形成金属层(42)，以及形成覆于金属层(42)之上的保护层(44)。所述方法进一步包括蚀刻保护层(44)和金属层(42)以形成具有在金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构(56)。所述方法进一步包括蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置的可移动部，其中保护层的保留部在蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置(10)的可移动部期间保护金属层的保留部。
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公开(公告)号：CN101119924A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048189.0
申请日：2005-12-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
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