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    用于高电流离子注入的低污染低能量束线结构
    13.
    发明授权
    用于高电流离子注入的低污染低能量束线结构 失效

    公开(公告)号：CN102017054B

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN200980114412.5

    申请日：2009-04-23

    Applicant: 艾克塞利斯科技公司

    Inventor： Y·黄

    IPC: H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24528

    Abstract: 一种离子注入系统(500)，包括：离子源(502)，其产生沿射束路径(505，507)的离子束(504)；在该离子源的下游的质量分析器组件(514)，其在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔(516)电极，其包括在该质量分析器组件(514)的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；在解析孔电极的下游的偏转元件(518)，其改变该偏转元件射出该离子束(507)的路径；在偏转元件的下游的减速电极(519)，其将该离子束进行减速；支持台，其在终端站(526)中以用于将由带电离子所注入的工件(522)进行保持和定位，以及其中该终端站以大约逆时针8度安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。

    减少缺陷的基板处理方法
    14.
    发明公开
    减少缺陷的基板处理方法 无效

    公开(公告)号：CN105378898A

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201480023532.5

    申请日：2014-02-25

    Applicant: 艾克索乔纳斯公司

    Inventor： 肖恩·R·柯克帕特里克

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/48

    CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/50 ,  G03F1/82 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/05 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02065 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012

    Abstract: 一种用于处理基板表面的方法使用源自气体团簇离子束的中性射束辐照以及由此产生的包括光刻光掩膜基板的制品。一个实施例提供了处理包含一个或多个嵌入粒子或包含亚表面损伤的基板的表面的方法，该方法包含以下步骤：提供减压室；在减压室中形成包含气体团簇离子的气体团簇离子束；在减压室中加速气体团簇离子以形成沿射束路径的加速的气体团簇离子束；促使沿射束路径的至少一部分加速的气体团簇离子分裂和/或离解；在减压室中从射束路径中去除带电粒子以形成沿射束路径的加速的中性射束；将表面保持在射束路径中；以及通过辐照处理基板的至少一部分表面。

    电子束调节
    15.
    发明公开
    电子束调节 失效

    公开(公告)号：CN104250687A

    公开(公告)日：2014-12-31

    申请号：CN201410223350.4

    申请日：2014-05-26

    Applicant: 苹果公司

    Inventor： S·R.·兰开斯特-拉罗克 ,  C·钱 ,  植村贤介 ,  P·哈雷罗

    IPC: C21D10/00

    CPC classification number: B23K15/00 ,  B23K15/02 ,  B23K20/122 ,  H01J37/05 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/05

    Abstract: 本发明公开了一种电子束调节。所描述的实施例一般地涉及调整输出或电子束的调节。更具体而言，公开了涉及将入射到工件的电子束的足迹保持在所限定的能量水平内的各种构造。这样的构造允许电子束仅将工件的特定部分加热到在其中金属间化合物分解的过热状态。在一个实施例中，公开了阻止电子束的低能量部分接触工件的掩模。在另一个实施例中，电子束可以用将电子束保持在一能量水平以使得基本所有的电子束在阈值能量水平之上的方式被聚焦。

    离子注入装置
    17.
    发明公开
    离子注入装置 无效 复审申请

    公开(公告)号：CN101385113A

    公开(公告)日：2009-03-11

    申请号：CN200780005621.7

    申请日：2007-02-15

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 小方诚司 ,  福井了太 ,  横尾秀和 ,  西桥勉

    IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/05

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31703

    Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置，以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置，从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B)，利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B)，利用扫描器(16)来扫描离子(B)，利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化，注入到基板(20)，由此来制造单晶膜，其中，在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下，若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形，并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致，则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形，并且在两个面上变得完全平行。

    LOW CONTAMINATION, LOW ENERGY BEAMLINE ARCHITECTURE FOR HIGH CURRENT ION IMPLANTATION
    19.
    发明申请
    LOW CONTAMINATION, LOW ENERGY BEAMLINE ARCHITECTURE FOR HIGH CURRENT ION IMPLANTATION 审中-公开
    低污染，低能量束流建筑用于高电流离子植入

    公开(公告)号：WO2009131714A2

    公开(公告)日：2009-10-29

    申请号：PCT/US2009/002568

    申请日：2009-04-23

    Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC ,  HUANG, Y

    Inventor： HUANG, Y

    IPC: H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24528

    Abstract: An ion implantation system comprising an ion source that generates an ion beam along a beam path, a mass analyzer component downstream of the ion source that performs mass analysis and angle correction on the ion beam, a resolving aperture electrode comprising at least one electrode downstream of the mass analyzer component and along the beam path having a size and shape according to a selected mass resolution and a beam envelope, a deflection element downstream of the resolving aperture electrode that changes the path of the ion beam exiting the deflection element, a deceleration electrode downstream of the deflection element that decelerates the ion beam, a support platform within an end station for retaining and positioning a workpiece which is implanted with charged ions, and wherein the end station is mounted approximately eight degrees counterclockwise so that the deflected ion beam is perpendicular to the workpiece.

    Abstract translation: 一种离子注入系统，包括沿光束路径产生离子束的离子源，离子源下游的质量分析器组件，其对离子束执行质量分析和角度校正;分辨孔径电极，包括至少一个电极 所述质量分析器部件并且沿着所述光束路径具有根据所选择的质量分辨率和光束包络的尺寸和形状，所述分辨孔径电极下游的偏转元件改变离开偏转元件的离子束的路径，减速电极 在偏转元件的下游，使离子束减速，在终端站内的支撑平台，用于保持和定位植入有带电离子的工件，并且其中终端站逆时针安装大约八度，使得偏转的离子束垂直 到工件。

    TECHNIQUES FOR COMMENSURATE CUSP-FIELD FOR EFFECTIVE ION BEAM NEUTRALIZATION
    20.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR COMMENSURATE CUSP-FIELD FOR EFFECTIVE ION BEAM NEUTRALIZATION 审中-公开
    有效离子束中性化常用场的技术

    公开(公告)号：WO2009052019A3

    公开(公告)日：2009-06-11

    申请号：PCT/US2008079449

    申请日：2008-10-10

    Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  KOO BON-WOONG ,  SINCLAIR FRANK

    Inventor： KOO BON-WOONG ,  SINCLAIR FRANK

    IPC: H01L21/265

    CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0042 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/05

    Abstract: Techniques for commensurate cusp-field for effective ion beam neutralization are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a charged particle injection system comprising a beamguide configured to transport an ion beam through a dipole field. The charged particle injection system may also comprise a first array of magnets and a second array of magnets configured to generate a multi-cusp magnetic field, positioned along at least a portion of an ion beam path, the first array of magnets being on a first side of the ion beam path and the second array of magnets being on a second side of the ion beam path. The charged particle injection system may further comprise a charged particle source having one or more apertures configured to inject charged particles into the ion beam path. The charged particle injection system may furthermore align the one or more apertures with at least one of the first array of magnets and the second array of magnets to align the injected charged particles from the charged particle source with one or more magnetic regions for an effective charged particle diffusion into the ion beam path.

    Abstract translation: 公开了用于有效离子束中和的相称尖点场技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将这些技术实现为带电粒子注入系统，该带电粒子注入系统包括被配置为传输离子束通过偶极场的束引导。 带电粒子注入系统还可以包括第一磁体阵列和第二磁体阵列，其被配置为产生沿着离子束路径的至少一部分定位的多尖端磁场，第一磁体阵列在第一 离子束路径的第一侧和第二磁体阵列位于离子束路径的第二侧。 带电粒子注入系统可以进一步包括带电粒子源，该带电粒子源具有构造成将带电粒子注入到离子束路径中的一个或多个孔。 此外，带电粒子注入系统还可以将一个或多个孔与第一磁体阵列和第二磁体阵列中的至少一个对齐，以将来自带电粒子源的注入带电粒子与一个或多个磁性区域对齐， 粒子扩散到离子束路径中。

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