公开(公告)号：CN104124141A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310561130.8

申请日：2013-09-23

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A·K·辛哈 ,  C·I·李

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源线圈的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。

公开(公告)号：CN103582927A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280026587.2

申请日：2012-03-29

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J3/14 ,  G21K5/10 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明涉及一种用于当离子束在工件(304)的表面上扫描时改变离子束的横截面形状(308a、308b、308c)以产生具有改善的离子束电流轮廓均匀度的时间平均离子束的方法和装置。在一个实施例中，当离子束在工件的表面上移动时，改变离子束的横截面形状。离子束的不同横截面形状分别具有不同的束轮廓(例如，在沿着束轮廓的不同位置处具有峰值)，使得快速地改变离子束的横截面形状导致平滑工件所受到的束电流轮廓(例如，减少与单独的束轮廓相关联的峰值)。由此产生的平滑束电流轮廓提供改善的束电流均匀度以及改善的工件剂量均匀度。

公开(公告)号：CN102737937A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210099031.8

申请日：2012-04-06

Applicant: FEI公司

Inventor： M.T.奥滕 ,  G.C.范霍夫滕 ,  J.洛夫

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J37/244 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/22 ,  H01J2237/2441 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/262 ,  H01J2237/2802

Abstract: 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜（104）、投影器透镜（106）和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时，实现所期改变，否则产生警告消息并且推迟设置的改变。

公开(公告)号：CN101233597B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200680028442.0

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  黄永灿

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供了一种用于减轻在离子注入期间的污染的系统、方法以及装置。本发明提供了离子源、终点台以及设置在离子源与终点台之间的质量分析器，其中离子束由离子源形成且经由质量分析器而行进至终点台。离子束收集组件包括：粒子收集器、粒子吸引器以及与质量分析器连接的屏蔽。其中，可操作粒子吸引器的电位，以将污染粒子吸引并限制在粒子收集器中，并且其中可操作该屏蔽，以将粒子吸引器的电位与质量分析器中离子束的电位屏蔽。

公开(公告)号：CN101410929B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200780010801.4

申请日：2007-03-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·C·欧尔森 ,  摩根·艾文斯

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/302 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/30488 ,  H01L21/265

Abstract: 一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器，其产生离子束；扫描器，其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描；及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率，所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量，若所述能量高于能量阀(threshold)值，则所述扫描频率高于扫描频率阀值，若所述能量低于所述能量阀值，则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。

公开(公告)号：CN101681781A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880013320.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： A·V·海斯 ,  R·叶夫图霍夫 ,  V·卡纳罗夫 ,  B·L·德吕

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/24542

Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。

公开(公告)号：CN107424892A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201610860614.6

申请日：2016-09-28

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山元徹朗 ,  萨米·K·哈托

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/1472 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  G21K5/00 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1504 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/30

Abstract: 本发明涉及束电流密度分布调整装置和离子注入机。提供了一种束电流密度分布调整装置。该装置包括在带状束的长侧方向上的构件对，所述构件对通过使用电场或磁场来调整在带状束的长侧方向上的束电流密度分布，所述构件对中的每一个构件对的构件被布置成使得带状束在所述构件中间。在带状束的长侧方向上彼此相邻的构件对的相对表面部分地不平行于带状束的行进方向。

公开(公告)号：CN106133872A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580004882.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 科松·柯-泉珍 ,  马文·法利

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明提出一种用于跨工件(200)以改变的能量注入深度(208，212)的离子注入系统及方法。所述系统包括配置成将掺杂物气体离子化成多个离子且形成离子束(202)的离子源。质量分析器位于离子源的下游且配置成对离子束加以质量分析。减速/加速级位于质量分析器的下游。能量过滤器可以构成减速/加速级的一部分或者可以位于减速/加速级的下游。设置终端站，该终端站具有与其相关的工件支撑件，用于将工件设置在离子束之前。扫描装置配置成相对于彼此来扫描(204)所述离子束及所述工件支撑件中的一或多个。一个或多个电源可操作地耦接至离子源、质量分析器、减速/加速级、以及能量过滤器中的一个或多个。控制器配置成在扫描离子束和/或工件支撑件的同时选择性改变一个或多个分别供应至减速/加速级以及能量过滤器中的一个或多个的电压，其中一个或多个电压的选择性改变至少部分基于离子束相对工件支撑件的位置。

公开(公告)号：CN104428866A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036057.0

申请日：2013-05-14

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： A.H.V.范维恩

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/09 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/0262 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/16 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188

Abstract: 本发明涉及一种带电粒子光刻系统。该系统具有子射束产生器，包括射束产生器，用于产生带电粒子射束；孔径阵列(6)，用于从该带电粒子射束形成多个子射束；以及子射束投射器，用于将该子射束投射在目标的表面上。带电粒子射束产生器包含带电粒子源(3)，用于产生发散的带电粒子射束；准直器系统(5a、5b、5c)，一个或多个泵(220)，高电压屏蔽配置(201)，用于屏蔽保护该高电压屏蔽配置外面的器件，避免受到高电压屏蔽配置内的高电压影响，以及冷却配置(203，204)，用于移除热量。一个或多个泵位于高电压屏蔽配置和冷却配置之间。

公开(公告)号：CN103811255A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310498683.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 月原光国 ,  椛泽光昭

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/30472

Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（100）具备用于从离子源（102）向注入处理室（106）输送离子的射束线装置（104）。注入处理室（106）具备对射束照射区域（105）机械式地扫描被处理物（W）的物体保持部（107）。射束线装置（104）能够在适合输送用于向被处理物（W）进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构（S1）或适合输送用于向被处理物（W）进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构（S2）下作动。在第1注入设定结构（S1）和第2注入设定结构（S2）中，射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源（102）至注入处理室（106）相同。