公开(公告)号：CN100594759C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200680029260.5

申请日：2006-10-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 会田哲也 ,  近间义雅

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/14

CPC classification number: H05K3/323 ,  G02F1/13452 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/386 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599

Abstract: 包括具有树脂衬底、层叠在树脂衬底表面上的阻挡膜、形成在阻挡膜上的电路部、以及设置在树脂衬底中层叠了阻挡膜一侧的第一电极的第一电路部件，和与第一电路部件相对设置、具有与第一电极相对的第二电极的第二电路部件；第一电路部件的第一电极、和第二电路部件的第二电极，是在使它们相互接近的方向上施加了压力的状态下电连接的；阻挡膜，在第一电极的周围从树脂衬底表面除去。

公开(公告)号：CN100531529C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610058626.3

申请日：2006-03-02

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安镇庸 ,  黄哲盛 ,  金成根 ,  柳彰燮 ,  曹硕铉 ,  全皓植

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/16 ,  H01L21/48 ,  H01L23/64

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/095 ,  H05K3/108 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09881 ,  Y10S438/957 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: 所公开的是一种其中具有嵌入式电容器的印刷电路板，包括：双面覆铜叠层，包括形成在其外层中的第一电路层，所述第一电路层包括底电极以及电路图案；电介质层，通过借助原子层沉积在所述第一电路层上沉积氧化铝膜而形成；第二电路层，形成在所述电介质层上并且包括顶电极以及电路图案；一面覆铜叠层，形成在所述第二电路层上；盲过孔和通孔，形成在一面覆铜叠层的预定部分中；以及形成在所述盲过孔和通孔中的镀层。也公开了所述印刷电路板的制造方法。

公开(公告)号：CN100517588C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200680009279.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 格雷戈里·J·邓恩 ,  罗伯特·T·克罗斯韦尔 ,  雅罗斯瓦夫·A·毛盖劳 ,  约维察·萨维奇 ,  阿龙·V·通加雷

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  C23F1/34 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/025 ,  H05K3/06 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0746

Abstract: 公开了一种制造图案化的嵌入电容层的方法。该方法包括制造(1305、1310)陶瓷氧化物层(510)，其覆在导电金属层(515)上面，该导电金属层(515)覆在印刷电路基板(505)上面；在区域(705)内穿孔(1320)陶瓷氧化物层；并通过化学蚀刻导电金属层而移除(1325)该区域中的陶瓷氧化物层和导电金属层。陶瓷氧化物层的厚度可小于1微米。

公开(公告)号：CN100442404C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510055192.7

申请日：2000-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  杉本高则

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0289 ,  H05K1/141 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/403 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本发明涉及电子部件的制造方法，具有重复层叠金属薄膜和电介质薄膜的工序，在层叠了金属薄膜后，层叠有开口的电介质薄膜，通过再层叠金属薄膜覆盖上述开口，形成通过上述开口导电性地连接多个上述金属薄膜的贯通电极。

公开(公告)号：CN101276690A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088819.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李承恩 ,  郑栗教 ,  李汀苑 ,  李寅衡 ,  宋秉翼

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  C23C14/46 ,  H01G13/00

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/105 ,  H01G4/33 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb－基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb－基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb－基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb－基非晶质金属氧化物包含金属相铋。

公开(公告)号：CN101147240A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009279.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 格雷戈里·J·邓恩 ,  罗伯特·T·克罗斯韦尔 ,  雅罗斯瓦夫·A·毛盖劳 ,  约维察·萨维奇 ,  阿龙·V·通加雷

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  C23F1/34 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/025 ,  H05K3/06 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0746

Abstract: 公开了一种制造图案化的嵌入电容层的方法。该方法包括制造(1305、1310)陶瓷氧化物层(510)，其覆在导电金属层(515)上面，该导电金属层(515)覆在印刷电路基板(505)上面；在区域(705)内穿孔(1320)陶瓷氧化物层；并通过化学蚀刻导电金属层而移除(1325)该区域中的陶瓷氧化物层和导电金属层。陶瓷氧化物层的厚度可小于1微米。

公开(公告)号：CN101116382A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004096.2

申请日：2006-03-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川上弘伦 ,  藤田岩雄 ,  户濑诚人 ,  齐藤善史 ,  木村真宏

IPC: H05K3/28 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/481 ,  H01L23/15 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/282 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了具有极好的抗迁移性以及在树脂密封材料与陶瓷多层基板主体之间的高接合强度的陶瓷多层基板，及这种陶瓷多层基板的制造方法。用通过PVD方法形成的硅氧烷膜完全覆盖包括焊区(16，17)和外部电极(24，25)的多层基板主体(2)。将硅氧烷膜的厚度设置为低于100nm。然后，安装组件(11)的外部电极(13，14)通过焊料(19)电连接到多层板主体(2)的焊区(16，17)并固定。然后，在多层基板主体(2)上形成用于密封安装组件(11)的树脂密封材料(4)。

公开(公告)号：CN101111128A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710108648.0

申请日：2007-06-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李汀苑 ,  郑栗教 ,  李寅衡

IPC: H05K3/00 ,  H05K1/16 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/33 ,  H01G13/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/50 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的电容器。在该方法中，在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜。在热处理后的介电膜上形成第一导电层。将激光束从透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离。在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。此外，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。

公开(公告)号：CN101047067A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089801.X

申请日：2007-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐田仁 ,  佐屋裕子 ,  内田清志 ,  堀野贤治

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/08 ,  H05K1/16 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0682 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L28/55 ,  H05K1/09 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供一种高容量且低泄漏电流的薄膜电容器的制造方法。在镍纯度大于等于99.99重量％的镍基板(10)上形成含有有机金属化合物的前驱电介质层(11D)后，进行退火，使前驱电介质层(11D)变为电介质层(11)。由此，将镍基板(10)中含有的一种或多种杂质(例如铁、钛、铜、铝、镁、锰、硅及铬中的至少之一)在退火中从镍基板(10)向前驱电介质层(11D)扩散的扩散量抑制在微量。

公开(公告)号：CN101026930A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710079520.6

申请日：2007-02-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 林成泽 ,  郑栗教

IPC: H05K1/18

CPC classification number: H05K1/0231 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/162 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10643 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611

Abstract: 一种在低频带和射频带具有优良退耦功能的多层板。多层板包括：板体，具有多个堆叠的介电层、通过过孔连接的电源端、通过过孔连接的接地端、以及连接至电源端和接地端的集成电路元件。多层板还包括：电源线单元，连接至电源端和集成电路元件；以及地线单元，连接至接地端和集成电路元件。多层板进一步包括：至少一个多层片式电容器，安装在板体上，并连接于形成在板体上的电源端和接地端之间；以及至少一个薄膜电容器，安装在板体的内部，并连接于电源线单元和地线单元之间。