公开(公告)号：FR3091007A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873756

申请日：2018-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURAUD PASCAL ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/02

Abstract: Fabrication de cavités La présente description concerne un procédé de fabrication de cavités comprenant une étape de formation simultanée d'une première cavité (104) dans une première région (110) de semiconducteur massif et d'une deuxième cavité (102) dans une deuxième région de semiconducteur (114) sur isolant (112), les première et deuxième cavités comprenant un palier au niveau de la face supérieure de l'isolant (112). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3087047A1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：FR1859284

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (100) comprenant une étape de formation d'une première partie (104) d'un collecteur s'étendant sous une tranchée isolante (106), et une étape de formation d'une deuxième partie (110) du collecteur traversant la tranchée isolante, les première et deuxième parties du collecteur étant en contact physique.

公开(公告)号：FR3086796A1

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：FR1858935

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LEMANG MATHILDE ,  GREGOIRE MAGALI ,  RODRIGUEZ PHILIPPE ,  LACHAL LAURENT

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: La présente description concerne un procédé de siliciuration comprenant une étape d'implantation d'atomes de Xénon dans une région semiconductrice (17, 19, 21).

公开(公告)号：FR3086462A1

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：FR1858603

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CANVEL YANN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  BOIXADERAS CHRISTELLE

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L21/3065

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique (100) comprenant une première étape de gravure d'au moins une première couche (104) suivie, sans remise en contact avec de l'oxygène, d'une deuxième étape de passivation (112).

公开(公告)号：FR3078197B1

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).

公开(公告)号：FR3084773A1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1857187

申请日：2018-08-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: Le procédé de siliciuration d'une partie à siliciurer (A) d'un dispositif semiconducteur (CI), comprend : une étape de formation d'une couche de protection (20), sur une partie à ne pas siliciurer (A) du dispositif semiconducteur (CI), comprenant une formation d'une couche d'oxyde de silicium (21) et d'une couche de nitrure de silicium (22) sur la couche d'oxyde de silicium (21) ; une étape de siliciuration de ladite partie à siliciurer (B) comprenant une pulvérisation d'ions sous environnement plasma (90) sur ladite partie à siliciurer (B) et sur ladite partie à ne pas siliciurer (A) ; le procédé comprenant une étape de retrait (80) d'au moins une portion de la couche de nitrure de silicium (21) de la couche de protection (20), préalablement à l'étape de siliciuration.

公开(公告)号：FR3065320B1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1753344

申请日：2017-04-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.

公开(公告)号：FR3069703B1

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：FR1757142

申请日：2017-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN

IPC: H01L23/58

Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant : des plots conducteurs (4, 6, 8) situés sur la face avant d'un substrat (2) de matériau semiconducteur ; des cavités creusées dans le substrat (2) depuis la face arrière de ce substrat (2), chaque cavité atteignant un plot conducteur (4, 6, 8) ; une couche conductrice recouvrant les parois et le fond des cavités et comprenant des portions (16, 18) de couche conductrice (10) connectant du côté la face arrière au moins certaines cavités deux à deux, chaque portion (16, 18) de couche conductrice (10) étant partiellement située sur une protubérance (14) ; et un circuit adapté à détecter une variation d'une caractéristique électrique mesurée entre deux plots (4, 6, 8).

公开(公告)号：FR3083646A1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：FR1856285

申请日：2018-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RIDEAU DENIS ,  CROCHERIE AXEL

IPC: H01L27/146

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), chaque pixel comportant une zone active photosensible formée dans une portion de la couche semiconductrice délimitée latéralement par des murs d'isolation périphériques (105), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une première dimension latérale choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une deuxième dimension latérale différente de la première dimension, choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.

公开(公告)号：FR3029435B1

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：FR1462035

申请日：2014-12-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  UNIV GRENOBLE 1

Inventor： CHAPPAZ CEDRICK ,  CASSET FABRICE ,  BASROUR SKANDAR ,  GORISSE MARIE

IPC: G06F3/048 ,  B06B3/04

Abstract: L'invention concerne un dispositif vibrant comprenant : - un premier support (1) configuré pour se déformer présentant une surface (S) définie dans un plan selon des directions X et Y; - au moins un actionneur (2) configuré pour générer des modes de plaque se propageant dans ledit premier support ; - ledit premier support comportant : ○ au moins un défaut vis-à-vis de la propagation des modes de plaque ; ○ ledit défaut étant de nature géométrique ou correspondant à une hétérogénéité de structure ; caractérisé en ce qu'il comporte : - un second support (4) ; - au moins un réflecteur mécanique encastré (3) solidaire dudit premier support, configuré pour bloquer ledit premier support selon au moins une direction Z perpendiculaire auxdites directions X et Y, ledit réflecteur mécanique étant solidaire dudit second support ; - ledit réflecteur mécanique encastré étant configuré pour isoler une zone dite active (Sa) appartenant à ladite surface (S) définie dans un plan selon des directions X et Y dans laquelle se propagent les modes de plaque, ladite zone active excluant ledit défaut ; - ledit actionneur étant situé dans ladite région active.