Abstract:
A MEMS microphone according to an embodiment of the present invention includes: a reference voltage/current generation unit for generating a reference voltage and a reference current; a first noise filter for receiving the reference voltage and removing DC noise of the received reference voltage; a voltage booster for receiving the reference voltage from which the DC noise is removed and generating a sensor bias voltage; a microphone sensor for receiving the sensor bias voltage and generating an output value based on a change in sound pressure; a bias circuit for generating a bias voltage by receiving the reference current; and a signal amplification unit for receiving the bias voltage and the output value of the microphone, and amplifying and outputting the output value, in which the first noise filter includes an impedance circuit; a capacitor circuit connected to the impedance circuit in parallel; and a switch connecting opposite ends of the impedance circuit.
Abstract:
PURPOSE: An ultrasonic wireless communication device and a wireless charging method thereof maximize ultrasonic energy transmission efficiency and directivity. CONSTITUTION: An ultrasonic generator (115) generates an ultrasonic signal for power transmission. A signal processor (112) modulates the ultrasonic signal. A power amplifier (113) amplifies the modulated ultrasonic signal to a predetermined size. An ultrasonic transceiver (114) transmits the amplified ultrasonic signal to an ultrasonic wireless power receiving device. The ultrasonic transceiver receives an ultrasonic signal for data transmission from the ultrasonic wireless power receiving device. [Reference numerals] (111) Controller; (112) Signal processor (modulation and demodulation part); (113) Power amplifier; (114) Ultrasonic transceiver; (115) Ultrasonic generator; (116) Storage
Abstract:
본 발명의 고분자-금속나노복합체의 제조방법은 금속 나노입자의 전구물질인 유기 금속화합물을 합성하는 단계; 유기 금속화합물과 고분자를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계; 및 혼합 용액을 건조시킨 후 열처리하여 금속 나노입자를 포함하는 고분자-금속나노복합체를 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 나노입자의 합성과정을 생략하면서도 입자의 분포에 있어서 높은 균일성을 가지는 고효율 고분자-금속나노 복합재료를 제조할 수 있다. 나노입자, 고분자, 복합체, IPMC
Abstract:
PURPOSE: An oscillator based digital temperature sensor insensitive to a process change is provided to have a simple as the temperature is operated in a time domain and to facilitate digitalization. CONSTITUTION: An oscillator based digital temperature sensor insensitive to a process change comprises a first oscillator(1), a second oscillator(2), and a time-digital converter(4). The first oscillator generates first output signals with first temperature properties. The second oscillator generates second output signals with second temperature properties different from the first temperature properties. The time-digital converter outputs digital signals in which the output of the temperature is compensated by using first and second output signals. The first temperature properties of the first oscillator obtain output frequencies proportionally to a temperature change.
Abstract:
본 발명은 병렬 처리에 기반하여 동영상을 복호화하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 병렬처리 기반 파이프라인 복호화 장치는, 압축 비트스트림에 대해 문맥적응적가변길이디코딩(CAVLC)을 수행함으로써 SPS, PPS, 슬라이스 헤더, 매크로블록 헤더 및 매크로블록 계수값들을 복호화하기 위한 비트스트림 프로세서; 상기 복호화된 매크로블록 헤더 및 매크로블록 계수값들을 이용하여 복수개의 매크로블록에 대한 역양자화(IQ), 역변환(IT) 및 움직임 보상(MC) 연산을 동시에 병렬 처리하는 병렬처리 어레이 프로세서; 상기 복수개의 매크로블록에 대한 인트라 예측(IP) 및 디블록킹필터(DF) 연산을 순차 처리하는 순차처리 프로세서; 상기 프로세서들간에 상기 복수개의 매크로블록에 대한 데이터 전송을 제어하는 DMA 제어기; 상기 프로세서들의 연산과 상기 복수개의 매크로블록에 대한 데이터 전송을 파이프라인하기 위한 시퀀서 프로세서; 상기 프로세서들의 초기화, 프레임 제어 및 슬라이스 제어를 수행하는 메인 프로세서; 및 상기 비트스트림 프로세서, 상기 병렬처리 어레이 프로세서, 상기 순차처리 프로세서, 상기 DMA 제어기, 상기 시퀀서 프로세서 및 상기 메인 프로세서를 상호연결하는 매트릭스 스위치 버스를 포함한다. 복호화, 병렬처리, 파이프라인, 병렬처리 프로세서, 순차처리 프로세서, 시퀀서 프로세서
Abstract:
PURPOSE: A voltage supply circuit and an output voltage supply method for improving a load variation characteristic are provided to minimize variation of a charge pump output voltage by actively compensating variation of the charge pump output voltage through a feedback loop. CONSTITUTION: A voltage regulator (20) receives an external power supply voltage and generates charge pump power supply voltage according to comparison between a reference voltage and a feedback voltage. A charge pump (30) charge-pumps the charge pump power supply voltage according to clock and generates charge pump output voltage. The charging pump feedbacks the charge pump output voltage to the voltage regulator through a feedback line connected to the voltage regulator.
Abstract:
PURPOSE: An MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) type electrochemical gas sensor is provided to stably operate the electrochemical gas sensor using self-charging power under various condition which an energy converting device operates. CONSTITUTION: An MEMS type electrochemical gas sensor comprises a substrate(110), a first insulating film(120), a heat resisting body(130), a reference electrode(150), a solid electrolyte(160), and a sensing electrode(170). A lower central portion of the substrate is etched at a predetermined thickness. The first insulating film is formed on the top of the substrate. The heat resisting body is formed on the top of the first insulating film. A second insulating film is formed on the top of the heat resisting body. The reference electrode is formed in an upper central portion of the second insulating film. The solid electrolyte is formed on the top of the reference electrode. The sensing electrode is formed on the top of the solid electrolyte.
Abstract:
본 발명은 진공밀폐형 플렉서블 필름 일차전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상기 진공밀폐형 플렉서블 필름 일차전지는 표면 처리된 파우치 내면에 전도성 카본층이 코팅된 양극 집전체 및 상기 전도성 카본층 상에 형성된 양극층을 포함한 양극 극판; 표면 처리된 파우치 내면에 전도성 카본층이 코팅된 음극 집전체 및 상기 전도성 카본층 상에 형성된 음극층을 포함한 음극 극판; 및 상기 양극 극판과 상기 음극 극판 사이에 접착/후주입형 고분자 전해질막을 포함하는 전지조립체를 포함하고, 여기서 상기 전지조립체는 완전밀폐되어 있는 것이다. 본 발명에 따른 플렉서블 필름 일차전지는 파우치를 집전체 필름으로 사용함에 따라 유연성을 개선시키고, 파우치가 전지를 완전밀폐시킬 수 있어 보존기간 및 셀성능을 개선시킬 수 있다. 또한, 필름 일차전지는 스크린프린팅 방식을 이용하여 제조될 수 있어 롤투롤(roll-to-roll) 방식의 연속 공정화가 매우 용이하다. 파우치, 비금속단자, 필름 일차전지, 진공밀폐
Abstract:
본 발명은 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법을 제공한다. 상기 소자는 하나의 이상의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 하나의 이상의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어, 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함한다. 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 제2 장벽 영역의 열전도도는 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 클 수 있다. 열전 소자, 반도체 나노 와이어, 열적 장벽
Abstract:
PURPOSE: An analog-digital conversion device and a conversion method using clock delay are provided to reduce SAR(Successive Approximation Register) conversion time and to improve operation speed without additional power or area consumption. CONSTITUTION: An analog-digital conversion device(100) includes a clock delay adjustment unit(110), a clock generation unit(120), an SAR logical unit(130), a capacitive digital-analog conversion unit(150), and a comparison unit(140). The clock generation unit generates a clock signal. The clock delay adjustment unit outputs a first clock signal to a K clock signal. The capacitive digital-analog conversion unit receives an analog signal and a reference voltage and outputs a difference between the analog signal and the reference voltage. The comparison unit determines the output of the capacitive digital-analog conversion unit in response to the output of the clock delay adjustment unit. The SAR logical unit outputs an N-bits digital signal by performing a successive approximation operation. [Reference numerals] (110) Clock delay adjustment unit; (120) Clock generation unit; (130) SAR logical unit; (140) Comparison unit; (AA) Digital signal; (BB) Analog signal; (CC) Reference voltage