-
公开(公告)号：KR100345446B1
公开(公告)日：2002-07-26
申请号：KR1019990060412
申请日：1999-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본발명은결합된인덕터(coupled inductor)를이용하여고주파에서의정확한 D2S 및 S2D를보장하고, 상기결합된인덕터와병렬로커패시터를접속함으로써병렬공진에의해원하는주파수에서보다큰 임피던스를얻어 D2S 및 S2D 변환시의구동손실을제거할수 있는단일신호및 차동신호간의상호변환회로를제공하기위하여, 단일신호및 차동신호간 상호변환회로에있어서, 중앙의연결점에전원전압이연결된좌우의권수가같은제1 결합된인덕터; 상기제1 결합된인덕터의양단이, 각각의게이트와연결된차동쌍공통소스형구조의제1 및제2 N형트랜지스터를포함하여, 상기제1 결합된인덕터의일측에인가된신호전압에응답된역전압을상기제1 결합된인덕터의타측에생성하고, 상기제1 및제2 N형트랜지스터를통해쌍전류가생성되도록구성함을특징으로하며, 반도체회로등에이용됨.
-
公开(公告)号：KR100340692B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990061980
申请日：1999-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B28/00
Abstract: 본발명은광대역가변특성을갖는저잡음 L-C 전류제어발진기에관한것으로, 전원에각각연결되어있는제1 내지제4 인덕터; 상기제1 및제2 인덕터에각각연결되어있는제1 및제2 트랜스콘덕터; 상기제3 및제4 인덕터에각각연결되어있는제3 및제4 트랜스콘덕터; 상기제3 및제4 인덕터와제1 및제2 트랜스콘덕터에연결되어있는제5 및제6 트랜스콘덕터; 상기제1 및제2 인덕터와제3 및제4 트랜스콘덕터에연결되어있는제7 및제8 트랜스콘덕터; 상기제5 및제6 트랜스콘덕터의접속점과접지의사이및 상기제7 및제8 트랜스콘덕터의접속점과접지의사이에각각연결되어있는주 전류원조정수단; 및상기제1 및제2 트랜스콘덕터의접속점과접지의사이및 상기제3 및제4 트랜스콘덕터의접속점과접지의사이에각각연결되어있는보조전류원조정수단을포함하고, 상기제1 내지제4 트랜스콘덕터에는각각 '주파수가변전류원(I)/2'의전류가공급이되고상기제5 내지제8 트랜스콘덕터에는 '(최대주파수가변범위제어용전류원(I)-주파수가변전류원(I))/2'의전류가공급하여상기주파수가변전류원(I)을제어해서상기제1 내지제4 트랜스콘덕터의트랜스콘덕턴스를변화시킴에있어서상기제5 내지제8 트랜스콘덕터를상기제1 내지제4 트랜스콘덕터의트랜스콘덕턴스와반대방향으로변화시킴으로써주파수가변범위를넓히는것을특징으로하여이루어지며, 전류로제어가능하고, 제어범위를넓힐수 있으며, 저전압응용예에적합하며, 집적화가용이하다.
-
公开(公告)号：KR1020010063789A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990061882
申请日：1999-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
Abstract: PURPOSE: A frequency generator is provided to be capable of obtaining a high frequency even in the case a capacity of a generator is not similar. CONSTITUTION: A phase locked loop(21) receives a reference signal from a reference frequency generator and an output signal of a multiplier(24) and detects a phase difference between the output signal and the reference signal to output a detection result signal to the first and second controlled oscillators(22,23). The first and second voltage controlled oscillators(22,23) are oscillated according to a signal from the phase locked loop(21) to output oscillation signals of different frequencies to the multiplier(24). The multiplier(24) receives the oscillation signals from the first and second voltage controlled oscillators(22,23) and outputs a frequency corresponding to a sum or difference of the oscillation signals according to a signal from a band selector(25).
Abstract translation: 目的：即使在发电机的容量不相似的情况下，频率发生器能够获得高频率。 构成：锁相环（21）从参考频率发生器和乘法器（24）的输出信号接收参考信号，并检测输出信号和参考信号之间的相位差，以将检测结果信号输出到第一 和第二受控振荡器（22,23）。 第一和第二压控振荡器（22,23）根据来自锁相环（21）的信号振荡，以将不同频率的振荡信号输出到乘法器（24）。 乘法器（24）从第一和第二压控振荡器（22,23）接收振荡信号，并根据来自频带选择器（25）的信号输出与振荡信号的和或差相对应的频率。
-
公开(公告)号：KR1020000037693A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980052342
申请日：1998-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F1/3223
Abstract: PURPOSE: An integrated radio frequency circuit for improving linear characteristics of a small signal using a balun of an active element is provided to improve the performance of an active element, by increasing the linear characteristics of the integrated circuit which operates in response to the small signal and medium power signal, while maintaining a small size, low power consumption and high efficiency of a terminal, using the difference between nonlinear characteristics and a gain according to a gate voltage of a FET transistor. CONSTITUTION: A signal amplifier(10) is driven by external gate voltages(VGG1,VGG2), and performs a cascade amplification at a normal operation point which is determined so as to make the third-order distortion signal intensive. A distortion signal generator(20) is driven by an external gate voltages(VGG3), and generates the third-order distortion signal, based on the nonlinear characteristics of the active element, in order to decrease the amplified the third-order distortion signal from the signal amplifier(10). An insulation part(30) is adapted for an insulation with the external gate voltages(VGG3) applied to the distortion signal generator(20).
Abstract translation: 目的：提供一种用于使用有源元件的平衡 - 不平衡转换器来改善小信号的线性特性的集成射频电路，通过增加响应于小信号而工作的集成电路的线性特性来提高有源元件的性能 和中等功率信号，同时使用根据FET晶体管的栅极电压的非线性特性和增益之间的差异来保持端子的小尺寸，低功耗和高效率。 构成：信号放大器（10）由外部栅极电压（VGG1，VGG2）驱动，并在确定为使三阶失真信号密集的正常工作点进行级联放大。 失真信号发生器（20）由外部栅极电压（VGG3）驱动，并且基于有源元件的非线性特性产生三阶失真信号，以便将放大的三阶失真信号从 信号放大器（10）。 绝缘部件（30）适于与施加到失真信号发生器（20）的外部栅极电压（VGG3）绝缘。
-
公开(公告)号：KR100243658B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960062617
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01L28/10 , H01F2017/0046
Abstract: 무선주파수 집적회로(Radio Frequency Integrated Circuits) 설계에서 임피던스 정합을 위해 사용되는 인덕터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 제공되는 집적형 인덕터 소자에 있어서는, 인덕터 배선 주위에 전극을 추가 배치하고, 기판과 전극 사이에 역전압을 인가하므로써, 기판 내부에 공핍층을 형성한다. 따라서 기판 변환이 이루어져 인덕터 금속선과 기판사이의 기생 커패시턴스를 감소시킴으로써 향상된 성능을 가진 인덕터를 제조할 수 있다. 본 발명은 또한 금속배선 및 패드를 가진 다른 반도체 소자에도 적용될 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990047343A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065704
申请日：1997-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 실리콘 모노리식 고주파 IC에 적용되는 나선형 인덕터를 제조함에 있어서 기판과 인덕터간의 기생저항과, 인덕터 자체의 저항을 줄일 수 있는 인덕터의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 나선형의 형상을 가지는 인덕터의 저항을 감소시키기 위해 인덕터 형성용 금속층을 두껍게 형성하고, 금속층을 패터닝하기 위한 식각 마스크를 유전체막을 이용하여 형성하는 동시에, 기판상의 소자와 인덕터간의 기생용량을 감소시키기 위해 금속 배선을 다층으로 형성하였다.-
公开(公告)号：KR1019990034146A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970055644
申请日：1997-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본 발명은 공통 소스 구조와 CMOS 인버터 구조를 갖는 초고주파용 CMOS 저잡음 증폭기 회로에 관한 것이다. 본 발명의 초고주파용 CMOS 저잡음 증폭기 회로는 공통소스 구조를 갖는 nMOSFET 소자와, 상기 nMOSFET 소자에 바이어스를 인가하기 위한 바이어스회로와, 일단이 상기 바이어스회로 및 입력단자에 접속되고 타단이 상기 nMOSFET의 게이트에 접속된 입력정합용 제 1인덕터와, 일단이 상기 nMOSFET 소자의 소스에 접속되고 타단이 접지에 접속된 입력정합용 제 2인덕터와, 일단이 전원에 접속되고 타단이 상기 nMOSFET 소자의 드레인에 접속된 출력정합용 제 3인덕터와, 일단이 상기 제 3인덕터와 상기 nMOSFET 소자의 드레인 사이에 접속되고 타단이 둘째단에 접속된 출력정합용 제 1커패시터를 구비한 첫째단과, CMOS 인버터 구조를 갖는 nMOSFET 소자 및 pMOSFET 소자와, 일단이 상기 첫째단에 접속되고 타단이 pMOSFET 소자와 nMOSFET 소자의 게이트 사이에 접속되어 상기 pMOSFET 소� �� 및 상기 nMOSFET 소자에 바이어스를 인가하기 위한 저항과, 일단이 상기 저항에 접속되고 타단이 출력단자에 접속된 출력정합용 제 4인덕터와, 일단이 상기 저항과 상기 제 4인덕터 사이에 접속되고 타단이 접지에 접속된 출력정합용 제 2커패시터를 구비한 둘째단으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR1019980050944A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069792
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 인덕터
2. 발명이 해결하고자하는 기술적 과제
본 발명은 인덕터와 트랜지스터를 별도로 형성하고, 모스트랜지스터의 각 단자에 병렬 혹은 직렬로 인덕터를 자유롭게 구성할 수 있게 함으로써 면적의 증가를 축소함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
인덕터가 형성된 구조내에 모스트랜지스터 활성영역의 폭이 W ㎛인 모스트랜지스터 n개 형성하고, 다층 금속 배선 공정을 이용하여 인덕터 배선과 모스트랜지스터의 단자 중 임의의 단자와 연결시킴으로써 인덕터와 모스트랜지스터의 임의의 단자가 직렬로 연결되면서 채널 폭이 W xn ㎛인 모스트랜지스터가 내장된 인덕터 소자를 구현한다.
4. 발명의 중요한 용도
인덕터를 요구하는 반도체 소자-
公开(公告)号：KR1019980048924A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960067578
申请日：1996-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K23/00
Abstract: 본 발명은 출력신호의 주기가 입력신호 주기의 분수비가 되도록 신호를 변화시키는 분수비 분주회로에 관한 것으로, 두개의 정수 분주기에서 나오는 출력신호를 다단의 지연소자를 거치게 하고 각각의 지연소자의 출력을 스위칭 로직회로에 연결하여 상승신호 및 하강신호 타이밍을 취하여 분수비로 분주하여 출력하되, 지연소자의 첫단의 입력과 끝단의 출력을 비교하여 동기시키고 필터를 통과하게하여 다시금 첫단의 지연소자에 입력시켜 지연시간을 조절하게 함으로, 종래의 분수비 분주회로에서 발생하는 지터의 발생을 줄이는 분수비 분주방법 및 그 회로를 제공하기 위한 것이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
276
records
(took 0.025 seconds)
