PUCE A TRANSISTORS NMOS ET PMOS CONTRAINTS

    公开(公告)号:FR3066318B1

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:FR1754199

    申请日:2017-05-12

    Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant une couche isolante sur un substrat ; des tranchées longitudinales (250L) entre et de part et d'autre de première (54N) et deuxième (54P) bandes côte à côte ; des tranchées transversales (250W) d'un bord à l'autre de la première bande, s'étendant à travers la couche isolante et dans le substrat, la couche isolante de la première bande étant recouverte, entre les tranchées transversales et longitudinales, de dalles semiconductrices (260) contraintes en tension, et la couche isolante de la deuxième bande étant recouverte, en regard des dalles et entre les tranchées longitudinales, de portions semiconductrices d'un ruban (252) contraintes en compression longitudinale et/ou en tension transversale ; et des transistors MOS à canal N étant situés, dans la première bande, dans et sur les dalles et des transistors MOS à canal P étant situés, dans la deuxième bande, dans et sur lesdites portions de ruban.

    SYSTEME DE MESURE DU NIVEAU DE PUISSANCE D'UNE SOURCE D'ENERGIE AMBIANTE

    公开(公告)号:FR3066269B1

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:FR1754047

    申请日:2017-05-09

    Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.

    SYSTEME D'IDENTIFICATION D'UNE PUCE 3D

    公开(公告)号:FR3061602B1

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:FR1750011

    申请日:2017-01-02

    Abstract: L'invention concerne une puce comprenant : au moins deux niveaux semiconducteurs superposés, dans chacun desquels sont formés des circuits élémentaires (58, 59) d'un même type tous connectés à un même noeud d'entrée ; et une pluralité de composants (74), chacun étant adapté à fournir une valeur dépendant d'une différence entre les signaux de sortie de premier et second circuits élémentaires, situés respectivement dans des premier et second niveaux semiconducteurs, les signaux de sortie de la pluralité de composants étant combinés pour former un nombre.

    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE

    公开(公告)号:FR3073075A1

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:FR1760166

    申请日:2017-10-27

    Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.

    CIRCUIT INTEGRE AVEC ELEMENT CAPACITIF A STRUCTURE VERTICALE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION

    公开(公告)号:FR3070535A1

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:FR1757907

    申请日:2017-08-28

    Abstract: Le circuit intégré comprend un élément capacitif (C) comprenant au moins une tranchée (TR) comportant une portion centrale conductrice (5) enveloppée d'une enveloppe isolante (7) et s'étendant verticalement dans un caisson (3) depuis une première face (10), une première couche conductrice (15) recouvrant une première couche isolante (17) située sur la première face (10) et une deuxième couche conductrice (25) recouvrant une deuxième couche isolante (27) située sur la première couche conductrice (15), la portion centrale conductrice (5) et la première couche conductrice (15) étant électriquement connectées et formant ainsi une première électrode (E2) de l'élément capacitif (C), la deuxième couche conductrice et le caisson (3) étant électriquement connectés et formant ainsi une deuxième électrode (E2) de l'élément capacitif (C), l'enveloppe isolante (7), la première couche isolante (17) et la deuxième couche isolante (27) formant une région diélectrique de l'élément capacitif (C).

    PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE PLANARISATION

    公开(公告)号:FR3066316A1

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:FR1754243

    申请日:2017-05-15

    Inventor: GABEN LOIC

    Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une structure de planarisation à face supérieure plane entourant un relief (1) faisant saillie à partir d'un substrat (3) à face supérieure plane, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une couche (15) d'un premier matériau ; b) former une couche (19) à face supérieure plane en un deuxième matériau gravable sélectivement par rapport au premier matériau ; c) graver sélectivement de façon isotrope une partie seulement de l'épaisseur de la couche (19) du deuxième matériau pour découvrir des protubérances (17) du premier matériau ; et d) planariser le premier matériau jusqu'à la couche (19) du deuxième matériau par polissage mécano-chimique sélectif par rapport au deuxième matériau.

    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE
    220.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3065314A1

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:FR1753345

    申请日:2017-04-18

    Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant un élément résistif (28) en forme de L, une première partie de l'élément résistif (28) s'étendant entre une couche de matériau à changement de phase (32) et l'extrémité supérieure d'un via conducteur (21), une seconde partie de l'élément résistif (28) reposant au moins partiellement sur l'extrémité supérieure du via conducteur (21), la partie supérieure du via conducteur (21) étant entourée d'un isolant (46) non susceptible de réagir avec l'élément résistif (28).

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